Способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава

Союз Советских ОЛ ИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(45) Дата опубликования описания 30.03.82 Государственный комито СССР ио делам изобретений, Багдасаров и Л. В. Приходьк 11 Заявит ена Трудового Красного Знамени инститкристаллографии им. А. В, Шубникова(54) СП Б КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА области проможет быть о при вырах монокри- направленукционного нные лии, перпен- олируемой Изобретение относится кизводства монокристаллов ииспользовано преимущественнщивании высокотемпературньсталлов из расплава методомной кристаллизации,Известен способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава методом направленной кристаллизации путем использования зависимости гидродинамического сопротивления колебательному движению твердого тела в расплаве от расстояния между телом и границей раздела кристалл - расплав 1.Однако способ трудно осуществить при методе направленной кристаллизации,С целью непрерывного контролирования положения границы раздела кристалл - расплав, твердое тело помещают и расплав, сообщают ему колебательное движение, контролируют положение границы раздела кристалл - расплав путем определения положения тела и измерения одного из параметров, характеризующего его колебания, например его амплитуду, и зависящего от расстояния между телом и границей.На фиг. 1 схустройство длямого контроля; ематически представлено осуществления предлагаена фиг, 2 - приведены калибровочные зависимости амплитуды колебаний диска от расстояния между дис. ком и границей в различных жидкостях и расплавах.Для определения положения границы 1 раздела фаз в расплав, находящийся в контейнере 2, помещают твердое тело 3 (диск диаметром 12 мм и толщиной 1 мм), ориентированное параллельно поверхности границы.С помощью жесткого стержня 4 диск соединяется с остальными элементами устройства: индукционным датчиком 5 амплитуды колебаний, датчиком 6 положе. ния диска, магнитоэлектрическим датчиком 7 для возбуждения колебаний, упругим элементом 8.Диск 3 под действием инддатчика 5 совершает вынужденейные колебания в направленидикулярном поверхности контрграницы.Затем определяют положение границы 1 раздела фаз путем определения положения диска 3 и измерения величины од ного из параметров, характеризующих его колебания и зависящих от расстояния между телом и границей раздела фаз (например, измерения амплитуды колебаний датчиком 6). При этом измеряемый пара3метр колебаний тела, связан с величиной расстояния между телом и границей раздела фаз калибровочной зависимостью, полученной предварительно для данного расплава и данного тела.На фиг. 2 кривые изображают полученные зависимости амплитуды колебаний диска от расстояния между диском и границей в различных жидкостях и расплавах.Кривая 9 - инородная граница (металл, стекло, керамика) в воде при 20 С, кривая 10 - та же граница в глицерине при 20.С, кривая 11 - граница поли- кристалл - расплав тимола, кривая 12 - граница монокристалл - расплав иттрий алюминиевого граната (температура плавления 1970 С).Формула изобретения1. Способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава мето 52750дом направленной кристаллизации путем использования зависимости гидродинамического сопротивления колебательному движению твердого тела в расплаве от рас 5 стояния между телом и границей разделакристалл - расплав, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью непрерывного контролирования положения границы раздела кристалл - расплав, твердое тело помещают 10 в расплав, сообщают ему колебательноедвижение, контролируют положение границы раздела кристалл - расплав путем определения положения тела и измерения одного из параметров, характеризующего 15 его колебания, например его амплитуду,изависящего от расстояния между телом и границей,Источкик информации, аринятый во 20 внимание при экспертизе:1. Авторское свидетельство СССР272286, кл. В 01 3 17/18, 1968.552750 Рхс/7 ЮЯН Редактор Е. а 1 есропова Техред И, Пенчко Корректор И. Осиновска ип. Харьк. фи Пат аказ 257/167 Изд,120 Тираж 373 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 1130%, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5