Патенты с меткой «разращивания»

Номер патента: 548312

Опубликовано: 28.02.1977

Авторы: Васецкий, Гавриш, Даниленко, Ефимченко, Заславский, Рыбкин, Соломаха, Стадник

МПК: B01J 17/18

Метки: активированных, монокристаллов, разращивания

...расплава и 15 на восстановление уровня, понизпвшегося засчет расхода расплава на кристаллизацию.Профиль разращпваемого кристалла задают соотношением скорости вытягивания кристалла и скорости опускания тигля при под вижном датчике (илп подъеме датчика принеподвижном тигле),П р и м е р. Выращивание кристалла цезияйодистого, активированпого таллием, Диаметр затравки 43 ми. Заданный диаметр кри сталла 300 мм. Тигель конический с угломпри вершине 130, В тигель помещают исходное сырье и расплавляют. Столб расплаваравен 15 мм, площадь расплава - 50 мм. При этом отношение площадей расплава и фронта 30 кристаллизации затравочного кристалла рав548312 Ф ор мул а из о бр етен ия Составитель Н. Гангардт Техред Л, ГладковаРедактор Т. Пилипенко Заказ...