Способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

Номер патента: 468706

Опубликовано: 30.04.1975

Автор: Иващиненко

МПК: B22D 27/00

Метки: кристаллизации, литейной, направленно-последовательной, расплава, форме

...системе, с металлопроводом 6, вакуумный аккумулятор 7 и воздушный насос 8. Раздаточ 468706ная емкость снабжена герметичной крышкой9, вакуумметром 10, датчиком уровня 11, натекателем 12, в качестве которого используется вакуумный магнитный клапан ДУМКи при помощи вентилей 13 и 14 соединена свакуумной системой,Раздаточная емкость 5 и металлопровод 6изнутри футерованы набивкой из жароупорного бетона, а снаружи заключены в вакуумную рубашку 15. Нижний конец металлопровода утоплен в насадке 16, выполненной ввиде чашечки из теплоизоляционного материала (например из жароупорного бетона),армированной металлическим листом 17.Насадка установлена таким образом, чторасстояние между нижним торцом металлопровода и верхним торцом насадки не...

Номер патента: 1085612

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Бей, Пономаренко, Потебня, Рашевский

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, расплавов

...охлаждаемую поверхность-валец 2, привод 3 для непрерывного перемещения указанной поверхности, устройство 4 для нанесения на охлаждаемую поверхность расплава, устройство 5 для съема корки закристаллизовавшегося продукта, газодувки 6, смесителя 7 для получения пылегазовой смеси, дозатора 8 затравки кристаллизуемого вещества, щелевых форсунок 9 для подачи пылегазовой смеси на неза кристаллизовавшуюся поверхность расплава, циклона 1 О для очистки отработанного газа от кристаллического вещества и теплообменника 11 для охлаждения газа, вывод которого соединен с газодувкой 6 штуцеров ввода исходного расплава 2 в кристаллизатор, вывода из аппарата закристаллизовавшегося продукта 13 и пылегазового потока 14, подачи охлаждаемой кристаллической...

Номер патента: 1804371

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Соколов

МПК: B22D 11/00

Метки: кристаллизации, расплава

...4 с патрубком 5 и венти лем 12, связанными с напорной гидравлической системой 6 подачи охлаждающей жидкости, которая обеспечивает заданные расходы и гидродинамическое давление охлаждающей жидкости, 10К кожуху 4 крепится стенка 7 кристаллизатора, установленная с переменным зазором 8 относительно поддона 3. В качестве охлаждающей жидкости используется вода 9, а в качестве разливаемого расплава - 15 расплав 10.меди. Направление движения потока воды совпадает с направлением движения заготовки. На стенке 7 выполнен участок 11, расширяющийся в направлении увеличения статического давления распла ва, Высота участка 11 стенки кристаллизатора равна глубине жидкой фазы слитка и расстоянию,от уровня А-А до уровня В-В,Глубина лунки определяется по...

Номер патента: 600090

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Гареев, Горечий, Збарский, Кречмер, Полищук, Старенченко

МПК: C01G 49/12

Метки: железа, кристаллизации, расплава, сернистого

...в охлаждающую воду путем самотеч 20 ного слива с разрывом п дроблением струица высоте 0,3 - 2,0 м от поверхности воды перед контактцрОВаццем с ней. Продукт контакт:1 рует с водой. температуру которой поддерживают 25 - 60 С, в течсгц 1 е 5 - 60 с. Затем стемпературой поверхности 60 - 90 С извлекают на воздух ц сушат в условиях окружающей среды. Готовый продукт не ржавеет, сохраняет гладкую поверхность с металлцческцмблеском в течение нескольких месяцев,П р и м е р 1. Расплав сернистого железа, полученный из смеси чугун-колчедан (при весовом соотношении, равном 0,8: 1), при 1280 С выгружают со скоростью 6,2 кг/ч через насадку с внутренним диаметром 14 мм непосредственно в проточную воду, при 48 С, расходуя 120 л на 1 кг...

Номер патента: 1575103

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Колесников, Малахов, Новоселов, Сафронов, Якобсон

МПК: G01N 11/14

Метки: кристаллизации, расплава, скорости

...ипостроения термокинетических диаграмм.Анализ уравнения (1) показываетчто в начальный момент времени, когдалЬ =0 и 0 =О,уголопределяетсяиз выраженияи =1(Н-О)=Е 10, т,е, соот"оветствует максимальному значению, показанному на тарировочном графике,В конце затвердевания при-- ок,л ЛЬ=Н угол ( будет равен нули, а приКНЬ=-=1(Н ) = - = -- так какг "к гН по условию равно 1 О,Следовательно, при постоянной ско -рости эатвердевания отливки графикифункций ( =11 и С =1(Н-Ь) идентичны, представляют собой прямые линии и накладываются друг на друга(фиг,3), В данном случае скоростькристаллизации определяется из соотношения ЬкХ л )Л(2) где В. - скорость кристаллизации;Ь к - величина, определеннаяпо графику в интервале от 0 до Н при известном врелмени...