Устройство для выращивания монокристаллов

Номер патента: 459192

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Аничхин, Примак

МПК: A01G 9/24

Метки: выращивания, искусственных, камера, растений, условиях

...перфорированных поверхностей и5 имеющим постоянные термодинамические пар а метры.На фиг. 1 изображена предлагаемая камера; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1;на фиг. 3 - варианты присоединения патруб 10 ков стеллажей,к приточным воздуховодам; нафиг. 4 - перфорации боковых поверхностейстеллажей (а - типа Унифлор, б - перфорированный лист),Камера 1 состоит из ограждающих конст 15 рукций 2, в которых расположены приточные3, вытяжные 4 воздуховоды и источник 5света, воздухоприготовительного агрегата б,источника 7 искусственного холода и подвижных стеллажей 8 в виде плоского короба с20 патрубками 9. Большие поверхности 10 короба перфорированы.Патрубки 9 могут быть, присоединены кприточным воздуховодам 3 с возможностьюперемещения:...

Номер патента: 917574

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Жвирблянский, Степанова, Шутова

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее герметичную камеру с поддоном, тигель с расплавом, электронагреватель с шинами питания, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, долговечности работы установки и безопасности ее обслуживания, оно снабжено аварийным датчиком, установленным между тиглем и поддоном, ресивером с датчиком давления и реле, установленным на шинах питания, при этом аварийный датчик соединен с ресивером, а датчик давления подключен к реле.

Номер патента: 1707089

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Васильев, Лифшиц, Севастьянов, Семенков, Станишевский, Чиркин

МПК: C30B 15/24, C30B 15/30

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

...преобрэзоеэте,.ь 8 регу 1 руемого электроприесдэ Заданная скоппс ь тягиьания кристалла о,еспечиеа-; ся при помощи преобразователя 10 котос. й сравнивает два сигнала - сигнач задания и сигнал тахогенерэтора 9,,с;э овленного нэ еэлу злектподеигателя 8"1 рл нэл чии рассогласпьания скоростьэчектродеи этеля 8 аетс.этическ 11 коррек суется Погрешность поддержэ я скоро:ти вытягивания при этсм не превышает0,5.Для поддержания постоянства диаметра еыращиеаемого кристалла екчючаетсядатчик 5 массы тиля 4 с блоком 15 регулирования мощности нагревателя 3 (при схемеработы устройства с контролел массы растущего кристалла включается датчик 17 массы кристалла), При появлении сигналарэссоласоеания датчиков 5 или 17 массы5101520 25 КР 1 С аЛЛЭ ИЛИ ГИГгЯ С...

Номер патента: 136328

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C30B 29/36, C30B 9/06

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов

...его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пер- сыщение раствора. Известен способ выращивания монокристаллов карбида кремния В атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава,С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлов карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме прп постоянной температуре расплава 1600 вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллический...

Номер патента: 342395

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Лобачева, Черневская

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, контактирующего с газообразным реагентом, включающее герметичную камеру с неподвижно установленным нагревателем и тиглем, перемещаемым по вертикали при помощи введенного снизу полого штока, и расположенный вне камеры источник реагента, отличающееся тем, что, с целью увеличения эффективности воздействия реагента на расплав и уменьшения коррозии камеры и нагревателя, тигель установлен на опорах в полости укрепленного на штоке стакана с крышкой, причем полость стакана соединена с источником реагента посредством выполненного в штоке осевого канала.