Способ распиловки кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1511979
Авторы: Горилецкий, Радкевич, Федько, Эйдельман
Текст
19) 3 Ы51) 5 В 28 1) 1511979 А 1 0 ЕТЕНИЯ СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИКГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР)ОПИСАНИЕ ИЗОК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(72) Горилецкий В,И Радкевич АВфедько ВФЭйдельман йГ.(54) СПОСОЬ РАСПИЛОВКИ КРИСТАЛЛОВ(57) Изобретение относится к обработке кристаллов, применяемых, в частности, при изготовленииактивных и пассивных оптических элементов ИКлазеров, сцинтилляционных детекторов, акустических звукопроводов и других изделий, и может бытьиспользовано в химической, электронной, электротехнической, ядерной и оптико-механической промышленности, Целью изобретения является повышение производительности процесса распиловки и снижение потерь кристалла при его раскрое. Цель достигается тем, что в способе, включающем направленное растворение кристалла смоченной в воде вращающейся бесконечной нитью, нити придают колебательные движения в плоскости распиловки с регулируемыми амплитудой и частотой При этом амплитуду выбирают от 0,5 до 4 мм, а частоту - от 0,5 до 4,5 Гц. 1 таблАмплиту Фоому ретения ВКИ КРИСТАЛ- авленное раствоенной в воде ой нитью, отличаповышения прола изоб РАСПИЛО ющий напр алла смо бесконечн что, с целью распиловки инити дополниое движение витудой 0,5 - 4 СПОСОБ ЛОВ, включа рение крис вращающейс ющийся тем,изводительности процесс снижения потерь кристалл тельно придают колебател плоскости распиловки с ам мм и частотой 0,5 - 4,5 Гц,оставитель Г,Афиногеноваехред М.Моргентал Корректор В.Петра Редактор Е,Зубиетов аказ 34 Тираж Подписно НПО "Поиск" Роспатента1 ЗОЗ 5, Москва, Ж. Раушская иаб., 4/5 венно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул.Гагарина 101 Произв Предлагаемое изобретение относится к обработке кристаллов, применяемых, в частности, при изготовлении активных и пассивных оптических элементов ИК-лазеров, сцинтилля цион н ых детекторов, акустических звукопроводов и других изделий, и может быть использовано в химической, электронной, электротехнической, ядерной и оптико.-механической промышленности,Целью предлагаемого изобретения являегся повышение производительности процесса распиловки и снижение потерь кристалла при его раскрое.Способ осуществляется следующим образом. Приводят в движение нить против часовой стрелки, подают воду на вращающуюся нить, сообщают нити колебательные движения с определенной амплитудой и частотой в зависимости от высоты контакта нити с кристаллом, определяемые из таблицы,Осуществляют процесс распиловки кристалла.При амплитудах колебательных движений менее 0,5 мм с любой частотой эффект равномерного смачивания нити не наблюдается. При амплитудах больших 4,0 мм наблюдается понижение производительности процесса распиловки тем больше, чем меньше частота. Для реального использования нецелесообразно ,.:пользовать амплитуды менее 0,5 мм и более 4 мм, а частоты менее 0,5 Гц и более 4,5 Гц.П р и м е р, Резка кристаллов диаметромдо 500 мм проводилась на серийной автома тизированной нитяной пиле, оснащеннойдатчиком положения нити. При отсутствии контакта нити с кристаллом датчик подает команду, по которой нить подается вперед до соприкосновения с кристаллом, при этом 10 меняется ее геометрическое положение: отклонение от вертикали. Изменение положения нити фиксируется датчиком, который подает на исполнительный орган команду "Назад", и как только нить выпрямляется, 15 вновь поступает команда "Вперед" и т.д.Таким образом, за счет растворения кристалла нить непрерывно продвигается вперед, совершая колебательные движения в плоскости распиловки, удерживая нить в по ложении, близком к вертикальному.При распиловке кристалла хлорида калия диаметром 500 мм достигнута производительность процесса распиловки 950 см /ч, а локальные отклонения от проект 225 ной плоскости не превышали 2-3 мм, Всравнении с нормальным, без колебательных движений нити, режимом производительность реза увеличилась в 1,5 раза при снижении потерь на 40.З 0 (56) Авторское свидетельство СССРМ 1248824, кл, В 28 О 5/04, 1986.
СмотретьЗаявка
04317688, 19.10.1987
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6496
Горилецкий В. И, Радкевич А. В, Федько В. Ф, Эйдельман Л. Г
МПК / Метки
МПК: B28D 5/00
Метки: кристаллов, распиловки
Опубликовано: 30.12.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1511979-sposob-raspilovki-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ распиловки кристаллов</a>
Устройство для определения средней частоты случайного процесса
Номер патента: 454566
Опубликовано: 25.12.1974
Авторы: Гарнакерьян, Лобач, Положенцев, Шепитько
МПК: G06G 7/52
Метки: процесса, случайного, средней, частоты
...квходу фильтра 3, выход которого соединен с 30 первь вход тельн фильСр редел уГ) хм входом блоу блока деленио соединенныетр 5.едняя частотаяется как отнполученного ичерез фильтрк дисперсии х исследуемого процесса опошение дисперсии процесса 3 х(Ц путем пропускання с АЧХ, пропорциональной (г), т. е. по алгоритму;= п,м.6,.(со) ацзб 6,. (о) сКо Как следует нз в зывается несмещенч ширины спектра ан процесса.Исследуемый цен процесс поступает н частот, затем возвод ыраження оцепой при любыхализнр емого а оз,р оказначенияхлучайного 1 учайны трированныйа вход фильтрится в квадра 1 верхних блоком 2454566 Г 1 редмет изобретения Составитель А. КарасовТекред Т, Миронова Корректор В. Кочкарева Ре;1 актор Е. Гончар Заказ 240/12 Изд. ГчЪ 233...
Устройство для измерения средней частоты случайного процесса
Номер патента: 1622829
Опубликовано: 23.01.1991
Авторы: Баранов, Казаков, Моргунов, Морозов
МПК: G01R 23/00
Метки: процесса, случайного, средней, частоты
...Шботы корректора 4 положена оценка влияния двух факторов: энергетических характеристик с/Р и рассогласовання между центральной частотой рабочего диапазона Яо и реальной частотой сигнала у . На выходе первого9сумматора 13 формируется напряжение, учитывающее влияние отношения сигнал/ щум для случая отсутствия рассогласования частот Я = Я а на выходео авторого сумматора 14 формируется напряжение учитывающее отношение сигнал/шум для случая рассогласованиячастот при реальном измерении (У Ф Яо ). На выходе третьего делителя15 напряжений формируется корректирукщсе напряжение, управляющее рабо55 той перемножителя 18 напряжений, на выходе которого формируется напряжение, пропорциональное средней частоте сигнала с учетом соотношения5 мощностей...
Способ определения комплексной диэлектрической проницаемости нитевидных кристаллов на сверхвысоких частотах
Номер патента: 938200
Опубликовано: 23.06.1982
Авторы: Брилингас, Григас, Шугуров
МПК: G01R 27/04
Метки: диэлектрической, комплексной, кристаллов, нитевидных, проницаемости, сверхвысоких, частотах
...нитевидного кристалла сторонними токами, что приводит к изменению коэффициента отражения от нигевидного кристалла. При некотором положении исследуемого кристалла наступают условия для возникновения резонансных явлений и коэффициент отражения достигает максимального значения на данной частоте, При данном положении нитевидного кристалла, соответствующем максимальному коэффициенту отражения точность измерений существенно повышается, вопервых, за счет уменьшения влияния коэффициента отражения отрезка прямоугольного согласованного вопновода, и во-вторых, за счет того, что коэффициент отражения при резонансных явления( становится более чувствительным к малым изменениям аиэлектрической проницаемости.Таким образом, измерение модуля и фазы...
Способ изготовления детекторных кристаллов для сверхвысоких частот
Номер патента: 113403
Опубликовано: 01.01.1958
МПК: H01L 21/363
Метки: детекторных, кристаллов, сверхвысоких, частот
...кремний. Пары этого вещества ионизируются в дуговом разряде источника и ионы втягиваются в камеру, помещенную в магнитное поле. Напряженность магнитного поля и потенциал ускорения ионов подбираются так, чтобы ионы кремния высаживались на графитовую подложку, используему 1 а в качестве коллектора ионов. Аналогично ионы бора или другого легирующего элемента направляются на коллектор 2 из второго ионного источника 3, Ионы посторонних примесей попадают на коллектор 4, не достигая подложки, что позволяет снизить требования, предъявляемые к чистоте испсльзуемых для нанесения на нее веществ.Для получения кристаллической структуры графитовую подложку вместе с нанесенными на нее слоями кремния и бора нагревают до 1 емпературы...
Устройство для термообработки движущихся нитей в поле токов высокой частоты
Номер патента: 328228
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: D01H 13/28
Метки: высокой, движущихся, нитей, поле, термообработки, токов, частоты
...выполнены в виде расположеных одна в другой спиралей. С одной стороНа фиг, 1 показано предлагаемое устройство с равномерным шагом витков спиралей- электродов; на фпг. 2 - то же, с переменным шагом витков.0 Спирали-электроды 1 и 2 вложены одна вдругую, но их витки электрически изолированы один от другого, например, воздушным промежутком. Витки одной спирали (каждый илп несколько) соединены с одним из зажи мов источника 3 высокочастотного поля, авитки другой - с другч зажимом источника высокочастотного поля.Внутри спиралей расположена предохранительная трубка 4, в которой проходит обра- С батываемая нить 5. Концы спиралей-электродов с одной стороны закреплены в неподвижном упоре б из изоляционного материала, с другой стороны...
Предыдущий патент: Диалкилдициклогексил-18-краун-6 как экстрагенты калия, ртути, железа, свинца, индия, таллия, галлия и стронция из растворов
Следующий патент: Детектор рентгеновского и мягкого гамма-излучений
Случайный патент: Способ подготовки голья к дублению