Способ идентификации граней по крайней мере двух кристаллов соединений aiibvi и aiiibv
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИДЕНТИФИКАЦИИ ГРАНЕЙ ПО КРАЙНЕЙ МЕРЕ ДВУХ КРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ AII-BVIи AIII- BV, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, изолируют все грани кристаллов, кроме сравниваемых, поочередно опускают кристаллы вместе с угольным электродом в электролит, измеряют разность потенциалов между неизолированными гранями и угольным электродом, а об идентичности граней двух кристаллов судят по равенству измеренных разностей потенциалов.
Описание
Известен способ идентификации граней кристаллов, основанный на облучении граней рентгеновским излучением с энергией квантов, соответствующей краю поглощения вещества кристаллов.
В этом способе идентификацию граней осуществляют по интенсивности отражения.
Недостатком способа является его сложность, так как для осуществления этого способа необходим источник рентгеновских лучей и рентгеновский дифрактометр.
Известен также способ идентификации граней кристаллов, основанный на химическом травлении. По этому способу идентификацию граней кристаллов осуществляют сравнением фигур травления.
Недостатком способа является его сложность, так как для его осуществления требуется несколько различных химических травлений.
Цель изобретения - упрощение способа.
Цель достигается тем, что изолируют все грани кристаллов, кроме сравнительных, поочередно опускают кристаллы вместе с угольным электродом в электролит, измеряют разность потенциалов между неизолированными гранями и угольным электродом, а об идентичности граней судят по равенству измеренных разностей потенциалов.
Изобретение основано на том факте, что разность потенциалов между двумя идентичными электродами, опущенными в электролит равна нулю.
П р и м е р. Два куска монокристаллической пластины сульфида кадмия, вырезанной по полярным кристаллографическим плоскостям покрывают парафином, оставив открытым только исследуемые поверхности. В качестве контактов к исследуемым поверхностям используют нанесенные полоски из эвтектического сплава InGa. В качестве электролита используют 10% раствор NaCl. Разность потенциалов измеряют с помощью электрометрического усилителя У5-6.
Способ позволяет идентифицировать грани кристаллов простейшими средствами, без использования дорогостоящей аппаратуры.
Заявка
2662849/25, 06.09.1978
Дагестанский государственный университет им. В. И. Ленина
Магомедов Х. А, Гасанов Н. Г, Буттаев М. С
МПК / Метки
МПК: G01N 27/416
Метки: aiibvi, aiiibv, граней, двух, идентификации, крайней, кристаллов, мере, соединений
Опубликовано: 09.01.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-725504-sposob-identifikacii-granejj-po-krajjnejj-mere-dvukh-kristallov-soedinenijj-aiibvi-i-aiiibv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ идентификации граней по крайней мере двух кристаллов соединений aiibvi и aiiibv</a>
Предыдущий патент: Способ определения эквивалентной шумовой температуры входа усилителя
Следующий патент: Предохранительная подушка системы безопасности человека
Случайный патент: Способ изготовления сложных карбинов