Патенты с меткой «эпитаксиальных»

Номер патента: 1599448

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Акчурин, Жегалин, Уфимцев

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиальных

...823 К. При этой температуре осуществляют гомогенизацию раствора-расплава в течение 2 ч после) чего снижают температуру до 773 К (температура насыщения раствора-расплава) и осуществляют контакт раствора-расплава с первой подложкой 1 пАя. После проведения подпитки раствора-расплава контакт с первой подложкой прерывают и с помощью специальных слайдеров разделяют раствор- расплав на пять равных порций, Высота каждой порции раствора-расплава 0,2 см. Далее снижают температуру на 10 К и осуществляют последовательный контакт второй подложки 1 пАя с каждой порцией раствора-расплава. Время контакта с каждой порцией 3 мин3 1599448 4 Таблица 1 Пример Состав щих Толщина Суммарное время контакта подложки с .раствором расплавом,мин оличество...

Номер патента: 1604870

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Балюк, Ковалев, Крыжановский, Лозовский, Овчаренко, Юрьев

МПК: C30B 19/00, C30B 29/06

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...1. Пластины имеют диамето 30 мм. Как и в примере 1, из пластин формируют композицию, которую п,мещают в муфельную печь, Рядом с композицией располагают навеску алюминия массой 600 мг. Печь нагревают до 850 С и вводят при этой температуре в зазор между пластинами расплав алюминия. Снижают темпе ратуру до 650 С и фокусируют при этой температуре на поверхности пластины- источника лазерные лучи от пространственно разнесенных нескольких стеклонеодимовых источников излучения. Дли на волны облучения 1,06 мкм. Через 3 мин облучение композиции прекращают, охлаждают печь до комнатной тем-пературы. В полученном эпитаксиальном слое кремния, легированном алюминием, полностью отсутствуют микрозоны, а плотность дислокаций составляет 2,9 х х 10...

Номер патента: 1633031

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Грошенко, Недвига, Пронина

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...слоем расплава и происходит растворение остатков основного раствора-расплава.Вследствие этого при дальнейшем перемещении подложки в холодную зону печипредотвращается кристаллизация паразитного переходного слоя.Отсутствие остатков раствора-расплава на поверхности пленки определяют визуально. Отсутствие переходного слоя определяют по характеру кривой намагничивания материала пленки. При наличии переходных слоев на кривой намагничивания пленки наблюдают характерные "ступеньки". При отсутствии переходных слоев, то есть при равномерном химическом составе пленки, кривая гистерезиса имеет гладкий вид.На полученных пленках(УЪВ 1)(ГеСа) О 2 наблюдают отсутствие остатков раствора-расплава как на поверхности, так и в местах крепления к...

Номер патента: 1649479

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Гайович, Зависляк, Романюк

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитных, параметров, пленок, эпитаксиальных

...м щий воздействолновод, эле нной частоты ансного погл полем постоянной частоты в. Далее прикладывают постоянное магнитное поле к пленке, ориентируют его перпендикулярно плоскости ЭМП и измеряют амплитуду резонансного поглощения электромагнитной 5 энергии в пленке при различных значениях величины этого магнитного поля (Ноп), которое следует изменять в пределах- + 2 й б 4 ( Ноп- + 4 Л Ма где Ма - предполагаемая величина намагниченности насыщения (например,для ЖИГ- пленки 4 д,Ма = 200 э)Затем ориентируют постоянное магнит ное поле параллельно плоскости пленки вдоль одного из ребер и измеряют амплитуду резонансного поглощения электромагнитной энергии в пленке при различных значениях величины этого магнитного поля 20гд 0Нов -- 2,7 г Ь...

Номер патента: 1682417

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Мальцева

МПК: C30B 29/28, C30B 33/08

Метки: граната, железоиттриевого, основе, пленок, травитель, эпитаксиальных

...с выдеуокиси азота, что обуславливает е скорости травления эпитакпленок толщиной 20 мкм до ин, При превышении данной кон- ф азотной кислоты скорость трав- растает еще более, но при этом ухудшаться качество границ вымых элементов,ники, таки нии задер ляется пов обеспечен лективно Для дости витель, со азотную к ту в соотн вен но, Т темп ерату ратуре азо лением дв повышени сиальных 3 - 4 мкм/м центрации ления воз начинает травливае Поставленная цель достига травитель для эпитаксиальных содержащий ортофосфорную полнительно содержит концен азотную кислоту при следующ нии компонентов, мас. ;Азотная кислота (концентрированная)ОртофосфорнаякислотаТравление производится туре около 175 С, близкой к кипения ортофосфорной кисло температуре...

Номер патента: 1693519

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Грошенко, Каменев, Сурова

МПК: G01N 27/48

Метки: компонентов, слоев, содержания, феррит-гранатовых, эпитаксиальных

...тартрата натрия, Аликвотную часть раствора обьемом 10 мл перенесли в трехэлектродную полярографическую ячейку и продували аргоном в течение 20 мин. Полярографирование осуществляли в режиме, указанном в примере 1, в тех же интервалах потенциалов. Для определения содержания железа (И) в ячейку добавили 2 ил насыщенного раствора КаОН, доводя значение рН раствора до 10,5, Потенциалы пиков Ея диффузионного тока для В 1 (1 И), РЬ (И) и Ре (1) составили Егъ -0,010 В, -0375 В, -1,44 В соответственно, Полярографирование проводили иэ 5 аликвот раствора. Результаты приведены в таблице, Увеличение концентрации фона уменьшило среднее значение соцержания В 1(И 1) и Ее (И) и отрицательно повлияло на метрологические характеристики Яг 0,045,П р и м е...

Номер патента: 1705425

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Зелимханов, Марасина, Пичугин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/40

Метки: галлия, нитрида, слоев, эпитаксиальных

...в заданном градиенте температуры, наложенном нормально к поверхности расплава. Время эпитаксиального осаждения составляет 3 ч и в течение этого времени поддерживают постоянный градиент температуры, равный 2 ОС/см. После эксперимента подложки и раствор-расплав разобщают, подложки со слоем очищают от остатков металлов в горячей царской водке и промывают в дистиллированной воде.Морфологию поверхности слоев исследуют в оптическом и растровом электронном микроскопах при различных увеличениях. Структурные характеристики исследуют электронографическим и рентгендифрактометрическим методами. Толщину слоев и однородность слоев по толщине измеряют интерференционным микроскопом МИИ.Выращенные эпитаксиальные слои нитрида галлия были...

Номер патента: 1728900

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Абрамов, Гурова, Макеев

МПК: H01L 21/26

Метки: концентрации, кремниевых, легирующей, примеси, профиля, структурах, эпитаксиальных

...график распределения концентрации носителей заряда+для структур типа и - и - и, иллюстрирующий предлагаемый способ,П р и м е р. Измерение профиля концентрации мышьяка осуществляют на электрохимическом профилометре в кремниевыхструктурах и - и - и, изготовленных методом газофазной эпитаксии. Травление и измерение емкости проводят в стандартнойячейке, состоящей из резервуара для электролита и прижимного устройства, создающего контакт к обратной стороне образца.В качестве электролита используют 2-З ный водный раствор НЕ:НМОз:Н 202=1:1:1,В процессе травления к барьеру Шотткиприкладывают напряжение смещения 1-2В, измеряемая плотность тока травления1-3 мА/см . Измеряют емкость барьераШоттки полупроводник-электролит при напряжении...

Номер патента: 1737261

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Арешкин, Иванов, Федорцов, Федотова

МПК: G01B 11/06

Метки: бесконтактного, полупроводниковых, слоев, толщины, эпитаксиальных

...слое или в подложке вследствие различия их электрофизических свойств. Область генерации неравновесных носителей зависит от глубины проникновения инжектирующего излучения в структуру, т. е, от его длины волны. Снимают спектральную зависимость изменения интенсивности прошедшего через структуру или отраженного ею зондирующего излучения от длины волны дополнительногоизлучения, фиксируют длины волны1 определяющую спектральное положение перехода величины изменения интенсивности от значения, характерного для подложки, к значению, характерному для эпитаксиального слоя, и по заранее построенной градуировочной кривой определяют толщину эпитаксиального слоя И/.На фиг. 1 изображена эпитаксиальная структура; на фиг. 2 - зависимость...

Номер патента: 1756840

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Костюк, Матковский, Михалевич, Сыворотка, Убизский

МПК: G01R 33/04

Метки: iii», единицы, качества, магнитостатических, меньше, ориентации, параметров, пленок, фактором, феррогранатовых, эпитаксиальных

...изменяют напряженность магнитного поля всторону уменьшения до нуля с шагом намного меньшим поля насыщения. На каж дом шаге измеряют величину наведеннойЭДС Е и напряженность магнитного поля,При измерениях дайные заносятся в память 2микроЭВМ,Измеренная зависимость наведеннойпленкой ЭДС, пропорциональной магнит ному моменту пленки, от приложенного поля, всущности, кривая намагничивания 2(КН). Для контролируемых пленок в направлении, перпендикулярном к плоскостипленки, т,е, в направлении измерений онаявляется безгистереэйсной вшироком интервале полей и ее можно однозначно аналитически . описать в интервалеотносительной намагниченности от 0,2 до0,9 выражением, имеющим вид 10 15натовых пленок ориентации (111) с 35 фактором качества меньше...

Номер патента: 1798397

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Никорич, Симашкевич, Соболевская, Сушкевич

МПК: C30B 19/06, C30B 29/48

Метки: полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

...пена 100-150печь возврание, при этоампулу извлния ампулыподложку сиз ампулы иводой или сности выращтеля.Изобретение может бьследующим образом,Берут навески Еп, Те, 5учения твердого раствора,.Милюков Тираж Подписное сударственного комитета по изобретениям и открытиям 113035, Москва, Ж. Раушская наб., 4/5КНТ СССР роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. ужгород, ул,Гагарин ва ЕпЯео,яТео,1, Количество соли хлорида-4цинк. Ампулу откачивают до 10, тор и отпатвердого раствора и 95 мол.хлоридэ цинка, Навески: Р(Еп С 2) = 4,68 (г); Р(Еп) = 0,0118 + 0,1063-0,11811(г); Р(Те) = 0,0231(г); Р(Зе)= = 1,285 (г).В чистую кварцевую ампулу загружают обезвоженную соль ЕпС 2, селен, теллур, цинк. Ампулу откачивают до 10 тор и...

Номер патента: 1813819

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Иванов, Лобызов

МПК: C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных

...В крышке 10 реакционной камеры 2 выполнено центральное отверстие 11, и она установлена с зазором 12 к колпаку 1, при этом зазор 12 соединен со средством сброса 13. Вокруг реакционной камеры 2 размещен нагреватель 14.Устройство работает следующим образом. изводят загрузку подлож арсенида галлия, на вн ость граней подложкодерют реакционную камеру 21. Продувают реакционную камеру 2 инертным газом и водородом, После этого нагревают подложки 4 нагревателем 14 и подают газовую сглесь и водород через трубки 6 и б и кольцевой коллектор 7.В предлагаемом устройстве перфорированная перегородка обеспечивает равномерность поля скоростей не по всему сечению реактора, а лищь непосредственно над перегородкой, между коаксиальным вводом газа и внутренней...

Номер патента: 1827694

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Никулов

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, кремния, слоев, структур, эпитаксиальных

...р,- р- области,приложенный к и+и области положительныйпотенциал относительно катода оказывается более низким по сравнению с потенциалом рр+,г р",;" р - области, Это приводит ктому, что во время проявления шлифа и-область структуры не изменяет окраску, а и+область окраску цвета изменяет вследствиеболее легкой окисляемости.Таким образом после проявления шлифа окрашенными являются и", р, р+ рслои. Неокрашенными остаются и-, р слои. Соседствующие р и р -слои имеютразличную окраску и могут быть измереныраздольно.Время выдержки структуры в растворебез подачи напряжения, равное 1 - 3 с,берется минимальным, поскольку естественный окисел, толщина которого не более50 А стравливается практически мгновенно.Нижний предел электрического напряжения...

Номер патента: 1056807

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Брюхно, Матовников, Огнев, Половенко

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий осаждение на монокристаллическую кремниевую подложку поликристаллического слоя кремния, его шлифование, удаление части подложки параллельно шлифованной поверхности поликристаллического слоя кремния, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет уменьшения плотности дефектов на их монокристаллической поверхности и упрощения процесса изготовления структур, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия проводят после шлифования слоя поликристаллического кремния.

Номер патента: 1462857

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Жиляев, Кечек, Куликов, Маркарян

МПК: C30B 25/08, C30B 25/14

Метки: выращивания, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксиальных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР из газовой фазы, содержащее реактор, неподвижно установленный в нем подложкодержатель, источники исходных компонентов, каждый из которых соединен со средством ввода газов, и средство их вывода, отличающееся тем, что, с целью уменьшения толщины переходных слоев, устройство снабжено проточной камерой роста, в которой размещен подложкодержатель, при этом камера роста соединена с одним из источников поворотным коммутатором.

Номер патента: 1797403

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Алешин, Енишерлова-Вельяшева, Казакевич, Мордкович, Русак

МПК: H01L 21/265

Метки: внутренним, геттером, кремниевых, структур, эпитаксиальных

...определяющих дефектообразование в материале,Технология эпитаксиального наращивания на кремнии практически всегда включает процесс газового травления, обеспечивающий очистку поверхности перед эпитаксиальным наращиванием. Проведение газового травления необходимо и в предлагаемом варианте в целях очистки, однако в заявляемом варианте накладывается определенное условие, оговаривающее возможную толщину удаляемого в процессе га 1797403зового травления слоя материала. он должен составлять; 0,1-02 Вр где Йр средний проецированный пробег ионов кислорода и углерода, Именно при этом условии, как экспериментально было показано, удастся пол учить чистый бездефектный слоЯ у поверхности подложки и наиболее совершенные эпитаксиальные пленки, При...

Номер патента: 1800856

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Нестерова, Пащенко, Шубин

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, подложках, структур, эпитаксиальных

...удельной мощности в такой системе нетпоэтому. целесообразно привести и геометрические характеристики используемой авторами установки. Высота пирамиды-подложкодержателя 220 мм, максимальный размер (диаметр) верхнего торца пирамиды 120 мм, нижнего торца 150 мм, Боковая поверхность пирамиды, как сумма площадей ее восьми граней, составляет 924 см, Наружный диаметр кварцевой трубы2реактора 190 мм. Высота катушки индукто5 10 15 20 30 35 40 45 50 ра-излучателя 250 мм, средний диаметр 220 мм. Диаметр медной трубки, из которой навит индуктор, 12 мм, число витков катушки индуктора-излучателя 11. Этих сведений достаточно для оценки энергетики получаемой плазмы и воспроизведения способа не только,в увстановке описанной конструкции, но ив других...

Номер патента: 1771335

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Нестерова, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий наращивание на полуизолирующих арсенидогаллиевых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений элементов III группы в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка гидридных или металлоорганических соединений мышьяка буферного слоя полуизолирующего арсенида галлия и последующее наращивание легированных низкоомных слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет улучшения изолирующих свойств буферного слоя и повышения воспроизводимости его параметров, наращивание буферного слоя проводят при давлении 12 30 Торр в среде водородной плазмы высококачественного тлеющего разряда при температуре подложек 530...

Номер патента: 1422904

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Прохоров, Сазонов

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, формирования, эпитаксиальных

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР, включающий нанесение маскирующего слоя на кремниевую подложку, вскрытие окон в слое, введение легирующей примеси, отжиг для активации легирующей примеси, эпитаксиальное наращивание, создание нарушенного слоя на рабочей стороне подложки путем имплантации ионов нейтральной примеси, отжиг для образования геттерирующих центров, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур при одновременном упрощении способа, на кремниевой подложке дополнительно формируют p+ скрытый слой ионной имплантацией легирующей примеси через маску, нарушенный слой создают ионной имплантацией через ту же маску непосредственно после введения легирующей примеси, а отжиг для образования геттерирующих...

Номер патента: 1820783

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Пашенко, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ p типа проводимости, включающий наращивание искомых слоев на нагретых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений галлия в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка арсина, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения концентрации носителей и повышения воспроизводимости их параметров, наращивание проводят при температуре подложек 530 690oС, давлении 2 10 торр, при этом расход металлоорганических соединений галлия и арсина задают таким, чтобы соотношение образовавшихся в процессе их термического распада мышьяка и галлия в газовой фазе составляло (5-35) 1.

Номер патента: 1256608

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, кадмия, слоев, сульфида, фазы, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающий размещение кремниевых подложек в зоне роста, загрузку порошка сульфида кадмия в зону испарения реакционной камеры, ее вакуумирование, испарение сульфида кадмия в водороде, осаждение эпитаксиальных слоев на подложках, отличающийся тем, что, с целью повышения качества эпитаксиальных слоев за счет обеспечения постоянства их стехиометрии по толщине, перед осаждением эпитаксиальных слоев на подложки порошок сульфида кадмия испаряют в вакууме при давлении не более 10-1.10-2 мм рт.ст. на поверхность реакционной камеры с градиентом температуры в направлении потока паров кадмия и серы не менее 40oС/см, после чего...

Номер патента: 1316488

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Гантман, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/26

Метки: локальных, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР в хлоридном газотранспортном процессе, включающий заращивание углублений в подложке от боковых граней при подаче входного давления треххлористого мышьяка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества локальных эпитаксиальных структур GaAs за счет уменьшения толщины переходного слоя, перед заращиванием углублений подложки облучают протонами дозой 6 12 мКл/см2 и проводят заращивание при входном давлении треххлористого мышьяка 20 66 Па.

Номер патента: 1373232

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/20

Метки: индия, локальных, структур, фосфида, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ФОСФИДА ИНДИЯ, включающий создание защитной маски, формирование углублений в подложке, удаление защитной маски и эпитаксиальное заращивание углублений в подложке, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества локальных эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой, перед эпитаксиальным заращиванием углублений подложку обрабатывают в плавиковой кислоте при 80 - 106oС в течение 5 - 15 мин.

Номер патента: 1266253

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Билалов, Самудов, Сафаралиев

МПК: C30B 19/04

Метки: слоев, эпитаксиальных

1. Способ получения эпитаксиальных слоев SiC, включающий осаждение его на подложку из раствора-расплава, содержащего Yb, отличающийся тем, что, с целью улучшения совершенства структуры и управления процессом, осаждение ведут при температуре раствора-расплава 1100 1400К и воздействии на него постоянного электрического тока.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения растворимости SiC и увеличения за счет этого скорости осаждения, в раствор-расплав добавляют Al или Ga в количестве, равном по массе количеству Yb.

Номер патента: 1297523

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Нурмагомедов, Сафаралиев, Таиров, Цветков

МПК: C30B 23/02

Метки: sic)00100-00x(aln)00x, растворов, слоев, твердых, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)х сублимацией источника в атмосфере инертного газа при 1900 2100oС, отличающийся тем, что, с целью получения совершенных слоев заданного состава в интервале 0,35 0,9 и удешевления процесса, процесс ведут в контейнерах из карбида циркония, а в качестве источника используют поликристаллические спеки из SiC и AlN при следующем соотношении компонентов, мас.SiC 20 80AlN Остальное

Номер патента: 766418

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: aiibvi, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа AIIBVI, включающий вакуумирование рабочей камеры до 1 10-1 1 10-2 мм рт. ст. продувку водородом, создание давления водорода 90 110 мм рт. ст. нагрев зоны источника до 750 800oC и зоны подложек до 600 620oC, эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров слоев за счет изменения полярности ориентации, предварительно перед нагревом зон источника и подложек проводят их отжиг в течение 2 3 мин при давлении 1

Номер патента: 1127479

Опубликовано: 20.02.1997

Автор: Лапин

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, равномерных, слоев, эпитаксиальных

Способ получения равномерных эпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий нанесение эпитаксиального слоя арсенида галлия на полуизолирующую подложку, анодное окисление эпитаксиального слоя вплоть до прекращения процесса окисления с последующим стравливанием анодного окисла, отличающийся тем, что, с целью получения равномерных эпитаксиальных слоев большей толщины, перед анодным окислением путем фотолитографии на поверхности эпитаксиального слоя вскрывают окна, через которые проводят локальное анодное окисление эпитаксиального слоя на глубину h W, где h конечная толщина эпитаксиального слоя, W глубина распространения области объемного заряда, возникающей на границе окисел полупроводник с последующим стравливанием анодного окисла.

Номер патента: 993775

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белобровая, Биленко

МПК: H01L 21/66

Метки: контролируемого, подложка, создания, структур, эпитаксиальных

Подложка для контролируемого создания эпитаксиальных структур GaAs и твердых растворов на его основе, содержащая слой GaAs, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности контроля, она содержит внутренний отражающий слой Ga I-xAlхAs при 0,2 < x < 0,5 мол.долей.

Номер патента: 1441837

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Барабошкин, Есина, Тарасова

МПК: C25D 3/66

Метки: вольфрамовых, монокристаллических, осаждения, покрытий, расплав, электрохимического, эпитаксиальных

Расплав для электрохимического осаждения эпитаксиальных монокристаллических вольфрамовых покрытий, содержащий вольфрамат натрия и трехокись вольфрама, отличающийся тем, что, с целью получения гладких бездефектных покрытий, он дополнительно содержит вольфрамат калия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Трехокись вольфрама - 8 - 16Вольфрамат калия - 9 - 40Вольфрамат натрия - Остальное

Номер патента: 1591751

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белобровая, Биленко, Медведев, Мокеров, Пылаев, Слепнев, Ципоруха

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых рабочих слоев, осаждение буферного слоя прекращают после достижения интенсивностью регистрируемого отраженного излучения постоянного уровня в момент времени t3,...