Патенты с меткой «магнитостатических»

Номер патента: 978240

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Беспятых, Вашковский, Зубков

МПК: H01P 1/32

Метки: волнах, магнитостатических, сверхвысокочастотное

...выходной преобразователь 7преобразуются в электромагнитный сигнал.Взаимное расположение преобразователя 3 иплоского Г-образного ферритового элемента1 с преобразователем 4 исключает возможностьнепосредственного просачивания электромагнитного сигнала и паразитных отраженных сигйалов с одного преобразователя на друтой.Сверхвысокочастотное устройство йа магнитостатических волнах фиг. 2) работает какнаправленный ответвьггель. Объемные магнитостатические волны, не преобразовавшиеся вповерхностные магнитостатические волны наизгибе первого по направлению их распрост.ранения плоского Г-образного ферритовогозлемецта 1,. распространяясь в плоском ферритовом образце 2 вдоль его продольнойоси, последовательно частично преобразуютсяв...

Номер патента: 1091084

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Бугаев, Галкин, Гуляев, Зильберман

МПК: G01R 21/06

Метки: волн, датчик, магнитостатических

...50ной аппаратуры, чувствительный слойвыполнен из металла и имеет толщинуЙ, удовлетворяющую условию420 п 5 д-- 4 зф 1,55ск с% где и - концентрация свободных электронов в металле; 28 - глубина скин-слоя электромагнитной волны в металле начастоте магнитостатическойволны.На чертеже схематически изображендатчик магнитостатических волн.Датчик магнитостатических волн содержит чувствительный слой 1 с электрическими контактами 2 и 3 по краям,служащими для подключения измерительной аппаратуры.Датчик работает следующим образом.При размещении датчика магнитостатических вблн на поверхности средыс распространяющейся магнитостатической волной поперечное электрическоеи магнитное поля магнитостатическойволны проникают в чувствительныйслой 1, где...

Номер патента: 1223317

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Бахтин, Игнатьев, Мостовой, Стальмахов

МПК: H01P 1/215, H01P 9/00

Метки: волнах, магнитостатических

...волнах.Предлагаемое устройство содержит прямоугольную диэлектрическую пластину 1, на одной стороне которой выполнено Н-образное металлическое покрытие 2, образующее два идентичных отрезка 3 и 4 щелевых линий (отрезок 3 является входной, а отрезок- выходной линиями передачи), ферритовую пленку 5, расположенную на отрезках 3 и:4 со стороны Н-образного металлического покрытия 2, и магнитную систему .(не показана; стрелками Н ь отмечены, направления создаваемого ею магнитного поля). В прямоугольной диэлектрической пластине 1 выполнена выборка 6, расположенная между плоскостями короткого замыкания отрезков 3 и 4 на равном расстоянии от них. В устройство на магнитостатических волнах введен металлический экран, состоящий из двух...

Номер патента: 1226559

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Игнатьев, Лепесткин, Стальмахов

МПК: H01P 1/23

Метки: волн, магнитостатических, поглотитель

...в виде пластины, заключенной между полюсами постоянного магнита, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения эффективности поглощения, полюса постоянного магнита выполнены со ступенчатым зазором между ними, а пластина расположена одной частью в широком зазоре, а другой - в узлом. Составитель В. ЩегловРедактор А. Шандор Техред Л.Олейник Корректор В. Синицкая Заказ 2143/54 Тираж 597 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,4 1 1Изобретение относится к твердотельной электронике СВЧ и может использоваться в СВЧ устройствах на магнитостатических волнах (МСВ) для поглощения...

Номер патента: 1239638

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Евтихиев, Медведев, Преображенский, Фетисов, Экономов

МПК: G01R 27/32

Метки: амплитуднои, волнах, магнитостатических, устройств, фазочастотных, характеристик

...определения амплитудно- ифазочастотных характеристик устройствна магнитостатических волнах состоитв следующем,Амплитудно- и фазочастотные характеристики устройств на магнитостатических волнах (МСВ) целиком определяются интерференцией различных мод. МСВ между входной и выходной антеннами устройства на МСВ и поэтому обискомых характеристиках судят, знаякакие моды МСВ возбуждаются, каковыих амплитуды и какова их групповаяскорость расцространения. Моды МСВвозбуждаются электрическим сигналом,подаваемым на входную антенну. Выходная. антенна преобразует моды МСВобратно в электрический сигнал, чтоявляется первой операцией предлагаемого способа, Возбуждение тех илииных мод магнитостатических колебаний определяется .геометрией...

Номер патента: 1275327

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Гуревич, Гусев, Краснов, Наронович

МПК: G01R 27/04

Метки: волн, затухания, магнитостатических, пленках, ферритовых

...2, приобретают в процессе распространения на пути от входного преобразователя 2 до выходного преобразователя 3 некоторьп набег фазы. Кроме того, на этом же пути амплитуда магнитостатической волны уменьшается из-за потерь в исследуемой ферритовой пленке 5. Магнитостатические волны, принятые проводниками 7 входного преобразователя 3, имеют различные амплитуды и фазы, поэтому результатом сложения сигналов магнитостатических волк в диапазоне частот является периодическое затухающее колебание.По результату суммирования двух волн, зафиксированному индикатором 4, вычисляется коэффициент затухания на единицу времени распространения магнитостатических волн по формуле ьХ 1 п с ТЬ (5, 76 10 81 Ц (1) где цкоэффициент затухания на единицу...

Номер патента: 1278997

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Вашковский, Зубков, Новиков, Петрунькин, Радюк

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, многоканальное, свч

...задержки электромагнитной волны на соответствующем выходном преобразователе 2 относительно входной электромагнитной волны, будет различным из-за разной величины волновых векторов и длины полос 4.В случае многоотводной линии задержки с неизбирательными входным преобразователем 1 и входными преобразователями 2, величина волнового вектора определяется однозначно значениями частоты ПМСВ, внешнего постоянного магнитного поля, намагниченностью насыщения ферритового материала полос 4, толщиной полос 4 и направлением волнового вектора, При этом на каждом из выходных преобразователей 2 получают соответствующий СВЧ-сигнал частоты ы, каждый со своей определенной задержкой,В случае многоканального СВЧ-фильтра на магнитостатических волнах с...

Номер патента: 1322389

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Букесов, Прокушкин, Шараевский

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...В этом случае АЧХ имеет наиболее широкую форму. 1 ил.Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в устройствах обработки СВЧ-сигналов в качестве фильтра с управляемыми параметрами.Цель изобретения - управление формой амплитудно-частотной характеристики.На чертеже представлен фильтр на магнитостатических волнах.Фильтр содержит ферритовую пластину 1, входной 2 и выходной 3 преобразователи, периодическую полупроводниковую структуру 4, элементы 5 которой выполнены в виде р-(.п-диодов, источник 6 управляющего на- пряжения фильтр на магнитостатических волнах работает следующим образом.Электромагнитный сигнал, поступающий на входной преобразователь 2, возбуждает в ферритовой пластине 1 магнитостатическую волну,...

Номер патента: 1343470

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Гурзо, Прокушкин, Стальмахов, Шараевский

МПК: H01P 1/23

Метки: волнах, магнитостатических, шумоподавитель

...и 35, Москва, Ж, Раущс аказ 483 одписное омитета СССРоткрытийая наб д. 4/ 1 роизводственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к техникеСВЧ и предназначено для увеличенияотношения сигнал/шум в системах обработки информации,Целью изобретения является расширение рабочей полосы частот.На фиг,1 представлен пример выполнения шумоподавителя на магнитостатических волнах; на фиг,2 - разрез А-Ана фиг,1.Шумоподавитель на магнитостатических волнах содержит подложку 1 с закрепленным на ней ферритовым слоем 2,который может быть выполнен в видепленки по эпитаксиальной технологии,диэлектрическую подложку, которая вданном примере выполнена в виде ферритового слоя 3, закрепленного на диэлектрическом...

Номер патента: 1345138

Опубликовано: 15.10.1987

Автор: Краснов

МПК: G01R 27/04

Метки: волн, затухания, магнитостатических, пленках, ферритовых

...Государственного комитета СССРделам изобретений и открытийМосква, Ж, Раушская наб., д. 4 113 о-полиграфическое предприятие, г. Ужгород ул. Проектная, 4 Производств Изобретение относится к измерительной технике, в частности к измерению параметров затухания магнитостатических волн (МСВ) в ферритовыхпленках, и является усовершенствова -нием изобретения по авт, св.У 1275327,Цель изобретения - увеличение точности измерения. 10На фиг.1 приведена конструкцияустройства для измерения затуханиямагнитостатических волн в ферритовыхпленках на фиг.2 - график зависимости изменения потерь от частоты. 15Устройство для измерения затуханиямагнитостатических волн в ферритовыхпленках содержит проводники 1 микрополосковые, диэлектрическую подложку 2, входные...

Номер патента: 1350704

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Новиков, Петрунькин

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...анализаСВЧ-сигналов,Цель изобретения " уме"ьяек.не керавномеркости вкосимьх потерь приперестройке и расширение частотногодиапазона,На Фиг,1 изображен предлагаемыйФильтр на магнитостатических волнахна Лиг,2 - сечение А-А на Фиг,2.Фильтр на магнитостатических волнах содержит первую диэлектрическуюпластину 1, металлизацию 2, много- "штыревые преобразователи Р, отрезки4 ликии передачи СВЧ-сигнала, 1 ерритовую пленку 5, втопчуо диэлектрическую пластину 6,Устройство работает сецуоим образом.На мкогоштыревой преобразовательр поступает входной электромагнитныйсигнал и без существенных отраженийпроходит по нему. При этом в 1 ерритовой :женке 5 возбуждаются магнчтостатическке волны, Они распространяютсяпо Йерритовой пленке 5 от одного...

Номер патента: 1385167

Опубликовано: 30.03.1988

Авторы: Власкин, Дубовицкий, Новиков, Петрунькин

МПК: H01P 1/215

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...изобретений и открытий 113035, Москва, 7(-35, Раушская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в системах анализа и обработки магнитостатических волн (МСВ).5 На чертеже схематически показан 10 фильтр на МСВ.Устройство содержит входной 1 и выходной 2 многоштыревые преобразователи, диэлектрическую подложку 3, металлизацию 4 и ферритовую пленку 5., 15Фильтр на МСВ работает следующим образом.СВЧ-сигнал, поступающий на преобразователь 1, при определенном значении внешнего постоянного магнитного 20 поля (магнитная система не показана) преобразуется в МСВ,которая распространяется в ферритовой пленке 5 по направлению к преобразователю...

Номер патента: 1392605

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Новиков, Петрунькин

МПК: H01P 1/215

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...относится к технике СВЧ и предназначено для частотной селекции сигналов в системах их анализа и обработки.Целью изобретения является подавление резонансов вне полосы пропускания.На чертеже схематично изображен фильтр на магнитостатических волнах.Фильтр на магнитостатических волнах содержит входнойи выходной 2 многоэлементные преобразователи электромагнитных волн в магнитостатические волны н обратно, ферритовую пленку 3, 15 обе стороны которой в данном случае выполнены в виде Б зубьев 4, диэлектрическую подложку 5, металлиэацию 6 и электромагнит (не показан).фильтр на магнитостатических вол" 20 нах работает следующим образом,При подаче на входной преобразователь 1 СВЧ-сигнала в намагниченной электромагнитом ферритовой пленке 3...

Номер патента: 1467615

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Игнатьев, Мостовой

МПК: H01P 1/215

Метки: волнах, каналов, магнитостатических, свч-разделитель

...обратные объемные МСВ, а при двух СБЧ-сигналах с соответствующими частотами - одновременно и те и другие. При этом прямые поверхностные МСБ распространяются в направлении, перпендикулярном направлению поля Н, магнитной системы 7, т,е. вдоль направления продольной осн входного преобразо 35 вателя 3, и в первом выходном преобразователе 4 происходит обратный процесс преобразования их мощности в мощность электромагнитной волны. Обратные МСВ распространяются вдоль поля Н и. возбуждают электромагнитные волны во втором выходном преобразователе 5 но уже в другом частотном диапазоне. В результате происходит час тотное разделение СВЧ-колебаний,Особенностью таких МСВ являетсято, что нижняя частотная граница существования прямых поверхностных и...

Номер патента: 1469537

Опубликовано: 30.03.1989

Автор: Новиков

МПК: H03B 7/14

Метки: волнах, магнитостатических, свч-генератор

...б в направлении первого 3 и второго 4 выходных преобразователей. Часть этой волны возбуждает электромагнитную волну в первом выходном преобразователе 3, коэффициент преобразования которого в К/р раз меньше коэффициента преобразования входного преобразователя 2, где К - коэффициент усиления усилителя 1, р - коэффициент ослабления магнитостатических волн на пути между входным и первым выходным преобразователями 2 и 3. Эта электромагнитная волна через один из проводников 8 поступает на вход усилителя 1. В результате обеспечивается нарастание амплитуды колебаний и их поддержка в установившемся режиме.Другая часть магнитостатической волны вторым выходным преобразователем 4 преобразуется в электромаг-. нитные колебания, которые и...

Номер патента: 1501198

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Вашковский, Локк, Щеглов

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, поверхностных, фильтр

...зависит от частоты: траектории ПМСВ более низких частот искривляются сильнее, Расположение выходного преобразователя 3 на пути ПМСВ, частота которых лежит между областями высоких и низких частот, обеспечивает селективность фильтра на ПМСВ.Изменение расстояния между стержнем 4 и поверхностью магнитной пленки 1 позволяет изменять глубину области с локальным неоднородным магнитным полем и тем самым перестраивать полосу пропускания фильтра на ПМСВ. Увеличение расстояния а между проекциями центров входного 2 и выходного 3 преобразователей позволяет дополнительно повысить селективность фильтра на ПМСВ.Открытый доступ.к ПМСВ на всем пути ее следования позволяет расширить функциональные возможности фильтра, например реализовать многоканальный...

Номер патента: 1510027

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Гречушкин, Куликов, Прокушкин

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, резонатор

...касательно намагниченную внешним магнитным полемН прямоугольную ферритовую пластину 1, входной и выходной преобразователи в виде полосковых линии 2 и 3,продольные оси которых лежат на оси размещен слои 4 диэлектритор работает следующим обформула из обр етения Составитель Н. Павловаедактор А. Мотыль Техред А.Кравчук Корректо Шар оши Тираж 616 Заказ 582 писноекрытиям при ГКНТ СССРд. 4/5, ВНИИ Государственного113035,мите тасква,изобретениям и Раушская наб Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,10 3 1510027поля Ц Обратная объемная МСВ отражается от области с пониженным внутренним магнитным полем, образующейсявблизи краев прямоугольной феррито 5вой пластины 1 при ее касательном намагничивании эа счет...

Номер патента: 1378587

Опубликовано: 15.10.1989

Авторы: Высоцкий, Казаков, Новиков, Сухарев, Филимонов

МПК: G01R 27/28

Метки: волн, затухания, магнитостатических

...материала, расположенный на поверхности магнитостатического волновода 3. Сигнал с омических контактов 4 слоя 2 регистрируется измерите лем 5.Способ измерения затухания магнитостатических волн заключается в следующем.При расположении слоя 2 на поверхности магнитостатического волновода 3 . с распространяющимися магнитостатическими волнами (ИСВ), возбужденными передающей антенной 1, поперечные электрическое и магнитное поля ИСВ проникаит в слой 2 и воздействуют с силой Лоренца на электроны проводимости, заставляя их двигаться в направлении распространения волны. При этом на омических контактах 4 измерителем 5 регистрируется электрический сигнал А (напряжение или ток), линейно пропорциональный мощности МСВ. При изменении расстояния между...

Номер патента: 1538198

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Алиев, Зубков, Локк, Щеглов

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...перпендикулярнопреобразователям 3 и 4 с возможностьюперемещения вдоль них, магнитную систему и источник управляющего тока (неприведены), причем расстояние с между преобразователями 3 и 4, длины 1линейных проводников 6 и 7 и ширинаа ферритовой пленки 2 удовлетворяютсоотношениям1 ъ, 2 с; 0,5 а (с (1,.5 а,35Фильтр на магнитостатических волнах работает следующим образом.СВЧ-сигнал, поданный на преобразователь 3, возбуждает в ферритовой пленке 2 поверхностные магнитостати 40 ческие волны (ПМСВ), которые распространяются к преобразователю 4 где снова преобразуются в электромагнитный сигнал. Так как при включенном источнике управляющего тока линейные проводники 6 и 7 создают в Ферритовой пленке 2 неоднородное в направлении преобразователей 3 и...

Номер патента: 1538283

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Букесов, Прокушкин, Шараевский

МПК: H01P 1/20

Метки: волн, магнитостатических, характеристиками

...(МСВ) с носителями электрического заряда,Цель изобретения - повышециетивности управления характеристимагцитостатической волны (дисперсиец,затуханием),Способ управления заключается втом, что в области распространениямагцитостатической волны Формируетсяпоток носителей электрического заряда, например, в полупроводниковойструктуре, введенной в указанную область, причем направление распространения носителей устанавливают перпенПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИМАГЯИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН(57) Изобретение относится к управиямьм устройствам СВЧ, использующим взаимодействие магнитостатических волн (МСВ) с носителями электрического заряда. Цель изобретения - повышение эффективности управления харакристиками МСВ (дисперсией, затухаем), Способ...

Номер патента: 1626274

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Балинский, Берегов, Ерещенко, Кудинов, Кущ, Монголов

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, перестраиваемый, полосовой, фильтр

...его отражающая сторона 14 расположена под углом 45 к щелям 9 и 10. Ферромагнитная пленка 1 ортогонально намагничена полем Но.Фильтр работает следующим образом.СВЧ-сигнал, поступающий на входной преобразователь 7 с частотой, совпадающей с частотой настройки входного резонатора 4, возбуждает во входном резонаторе 4 колебания различных типов. Через щель 9, коэффициент передачи которой максимален для колебаний основного типа и резко уменьшается для колебания высших типов, сигнал поступает в элемент 6 связи, который отражает его под прямым углом к щели 10, при этом модуль коэффициента отражения близок к единице только для магнитостатических волн с малыми значениями волновых чисел и быстро падает с ростом волнового числа. Отраженная элементом...

Номер патента: 1631631

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Третьяков, Харина

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, частотно-избирательное

...на фиг,2 - то же, вид спереди.Устройство содержит диэлектрическую подложку 1, на которую нанесены входной и выходной преобразователи 2, 3 магнитостатических волн, ферритовую пленку 4, намагниченную до насыщения и расположенную на входном и выходном преобразователях 2, 3, входной и выходной отрезки 5, 6 линий передачи, к которым подключены входной и выходной преобразователи 2, 3 соответственно, Входной и выходной отрезки 5, 6 выполнены Я-образными, центральные части 78 которых параллельны входному и выходному преобразователям 2, 3, На нижнюю поверхность диэлектрической подложки 1 нанесен слой 9 металлизации,Частотно-избирательное устройство на магнитостатических волнах работает следующим образом.. СВЧ-сигнал через входной отрезок 5...

Номер патента: 1663651

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Гурзо, Прокушкин

МПК: H01P 1/23

Метки: волнах, магнитостатических, нелинейное

...полюсам 9 второго магнита 3, ширина полоска второго отрезка 5 выбрана больше ширины полоска первого отрезка 4, а напряженность поля в зазоре первого магнита 2 выбрана больше, но не более чем в два раза, напряженности поля в зазоре второго магнита 3.Нелинейное устройство на магнитостатических волнах работает следующим обра. Циткина аказ 2268 Тираж 349 Подписн ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и откр 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5м при ГКНТ ССС оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 СВЧ-сигнал поступает на первый отрезок 4, и если его уровень мощности лежит ниже порогового уровня первой ферритовой пластины 6, то в ней возбуждаются поверхностные магнитостатические волны...

Номер патента: 1684760

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Куликов, Прокушкин

МПК: G01R 33/05

Метки: волн, диссипации, магнитостатических, параметра, пленках, ферритовых

...волны (ООМСВ) распространяющиеся в обе стороны от сси МПЛ вдоль силовых линий внешнего магнитного поля, За счет того, что пленка феррита поднята над плоскостью МПЛ на расстояние 0,2-0,5 мм, эффективно возбуждаются ОПМСВ только с малыми значениями волнового числа Е и соответственно на частоте, близкой к частоте поперечного ферромагнитного резонанса. При рас- пространении вдоль силовых линий статического магнитного поля в обе стороны от оси МПЛ ООМСВ доходят до той области ферритовой пленки, которая расположена над магнитными шунтами, Благодаря эффекту нвтягивания 11 силовых линий магнитного поля в ферромагнетик, магнитное поле над шунтом уменьшается.Дойдя до этой области пониженного статического магнитного поля, ООМСВ испытывает...

Номер патента: 1693659

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Жилинскас, Зубовский, Ивашка

МПК: H01P 1/19

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...подложки.Фильтр на магнитостатических волнахсодержит входной преобразователь 1, диэлектрическую подложку 2, резонаторы 3, выполненные в виде намагниченных 15ферритовых пленок прямоугольной формы,выходной преобразователь 4, диэлектрические прокладки 5 (фиг,2).фильтр работает следующим образом,СВЧ-сигнал, поступивший на входной 20преобразователь, размещенный на диэлектрической подложке 2, последовательновозбуждает магнитостатические волны в резонаторах 3. Эти волны распространяютсявдоль намагниченных ферритовых пленок 25прямоугольной формы, претерпевая отражения от их концов, при этом воэникаетстоячая магнитостатическэя волна, которая приводит к резонансу, если на длинерезонатора укладывается целое число длин 30полуволн,...

Номер патента: 1702461

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Вашковский, Зубков, Локк, Щеглов

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, многоканальное, поверхностных, свч-сигнала

...с осью У, Такая система создает поле Н 7(2), показанное на фиг, 2. Магнитная система может быть реализована и в других вариантах, например, в виде комбинации прямоугольного магнита и стержня иэ магнитомягкого материала, продольная ось которого совпадает с осью У, Центры входных преобразователей 4 - 8 лежат на кривых 13- 18, исходящих из центра входногс преобразователя 3 и описываемых уравнением (1). Входной 3 и выходные 4-8 преобразователи выполнены на отдельной диэлектрической плате 11, размеры которой совпадают с размерами ферритовой пленки 1, а сама диэлектрическая плата 11 лежит ча поверхности ферритовой пленки 1, как это показано стрелкой на фиг, 1. Для создания отрезков микрополосковой линии на одной поверхности...

Номер патента: 1737578

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Балинский, Кудинов, Кущ, Монголов

МПК: H01P 1/218, H01P 7/00

Метки: волнах, магнитостатических, объемных, прямых, резонатор

...35 иые размеры ДС 9 выбраны такими, чтор ДС полностью перекрывают выборку вое 3 и поглотители .8,оси резонатора,Замена распределенной отражающей проводящем слоеструктуры системы (решеток , ка) каждый Толщина ДС 9 выбрана из соотношенияиз элементов. которой отражает лишь = (й = (О 15-0 35) Ь/и где Ь - длинаФмалую часть падающеи иа ои него волны диагонали квадрата, выполненного вьсистемой зеркал, где граница раздела проводящем слое 3; Ь = и ц /К , К,сред при заявляемых соот он шениях раз- волновое число и-го рабочего типамеров резонатороиатора практически полно- колебаний ПОМСВ, распространяющейсястью отражает ра очую волб ую волну и не от- в ФП 10 в областивыборки, иражает высшие типы волн, по срасравнению 45 ФП 10 имеет...

Номер патента: 1737702

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Ляшенко, Рубан, Талалаевский, Чевнюк, Яковлев

МПК: H03H 7/00

Метки: волнах, магнитостатических

...тем,что, в устройстве на магнитостатическихволнах, содержащем подложку, на которой расположена эпитаксиальная пленка ЖИГ, на поверхности которой размещены преобразователи МСВ и поглотители МСВ, выполненные в виде полосок, поглотители МСВ выполнены на торцах устройства в эпитаксиальной пленке ЖИГ в виде полосок шириной 2,5 - 3 мм, объемно легированных ионами кремния с концентрацией (О,б - 1) 1 0 смНа чертеже представлено устройство на магнитостатических волнах, общий вид,Устройство на магнитостатических волнах содержит подложку 1 из галлий-гадолиниевого граната (ГГГ), пленку 2 ЖИГ,51015 преобразователи 3 и 4 МСВ, поглотители 5и б паразитных МСВ. Устройство имеет форму прямоугольной пластины шириной 2 - бмм и длиной 8 - 20 мм....

Номер патента: 1614671

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Крышталь, Лисовский, Медведь, Попков

МПК: G01R 33/05

Метки: волн, затухания, магнитостатических, параметра, поверхностных

...10 циркулятор 3. Частота ПАВ Р при которой уровень сигнала отраженной ПИСВ частоты Го " РА максимален, соответст. вует резонансу рассеяния при попутном распространении ПИСВ и ПАВ, это рассеяние происходит в области А исследу емой пленки. Частота ПАВ Г, при которой имеет максимум сигнала частатц Г + Рь, соответствует резонансу рассеяния при встречном распростране нии НИСВ и НАВ, которое происходит в области В пленки. Определив частоту Р (или Р), снимают зависимость уровня сигнала отраженной ПИСВ частоты Г - РА(или й + Р ) от частоты Х 25Ь падающей ПИСВ в окрестности заданной частоты Г. Иащность ПАВ при этом устанавливают не больше той, при которрй ширина измеряемой частотной зависимости уже начинает зависеть от мощности ПАВ. Затем нахоцят...

Номер патента: 1753518

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Безручко, Горбатенко, Зубовский

МПК: H01P 1/215

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...уменьшения коэффициента П, пленка феррита па отношению к проводящему слою установлена с зазором, не превышающим ширины продольной и коротказамкнутай поперечной щелей.На фиг,1 представлена конструкция фильтра на магнитостатических волнах; на фиг,2 - разрез А-А на фиг.1.Фильтр на магнитостатических волнах (МСВ) содержит трехсекционный отрезок 10 зом.Широкополосный СВЧ-сигнал, поступивший во входную секцию 1, попадает через переход 6 на ВЩП в виде последовательно соединенных продольной 30 7 и короткозамкнутой поперечной 9 щелей; в результате чего образуется стоячая волна, причем продольная щель 7 возбуждает в пленке феррита 4 объемную МСВ (ОМСВ), верхний частотный предел которой нахо 35 дится на частоте б) Н )Н и,) О) где - гидромагнитное...