Способ определения магнитостатических параметров эпитаксиальных феррогранатовых пленок ориентации (iii) с фактором качества меньше единицы

(51)5 О 01 В 33/О ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ1 РИ ГКНТ СССР ИЕ ИЗОБРЕТ Щ и .псг,3 .","Й,У СВИДЕТЕЛЬСТВУ АВТОР 2 О Г юаЬ ключает измерение магнитно магниченного внешним полем я образца методом вибромагпределейие намагниченности ак магнитного момента единиленки, ориентацию плоскости ендикулярно к направлению гнитного поля; измеренйе загнитного момента образца от к области изме- в материалов и ля определейия тров эпитакси- . ленок (ЭФГС) в:- Изобретение относитсярения магнитных параметроможет быть использовано дмагнитостатических парамеальных феррогранатовых ийроцессе их йзготовления,Цель изобретения - рациональных возможностейния параметров анизотропи Способ в о момента на до насыщени нитометра и о насыщения к цы объема и пленки перп нешнего ма исимости ма(21) 4752945/21 измерения йараметрОв аЙизотрбпии. Для (22) 23,10,89 этого пленку при измерениях ориентируют (46) 23,08.92",Бюл, М 31 ,.: перпендикулярно к направлению внешнего (71) Львовский научно-исследовательский глагнитйого поля. После измерения ЭДС, наинститут материалов веденнЬй намагниченйым до насыщения (72) С,Б.Убизский, А,Т.Михалевич, И,М.Сы- образцом, изменяют величйну магнитного воротка, А.О.Матковский и П.С.Костюкполя, уменьшая его до нуля. Определяют (56) Методы йэмерения параметров гидро; наведенную ЭДС и напряжейность магнит- магнитных материалов, предназначенных ного поля в каждой точкекрйвой намаГни. для применения на сверхвысоких частотах. ченности и по разнице нэмагниченности - . Советский комитет по участию в МЭК, насыщения и поля одноосной аниэотропии 1984, с.12-26. с полем кубической аниэотропии пленки оп- (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МАГНИТО- ределяют искомые параметры с помощью СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ЭПИТАКСИ-расчетной формулы. Приэтом воздействуют. АЛЬНЫХ ф Е. РОГРАНАТОВЫХ ПЛЕНОКна образец постоянныммагнитным полем с ОРИЕНТАЦИИ(111) С ФАКТОРОМ КАЧЕ-,. напряженностью, большей напряженности СТВА МЕНЬ ШЙ ЕДИНИЦЫ поля насыщения, приводят пленку В колеба- (57) Изобретение относится к измерению тельное движение в направлении, перпен. магнитных параметров материалов и пред- дикулярйом направлению внешнего поля, назначено для определения магнитостати- измеряют наведенную ЭДС, пропорциоческих параметров эпитаксиальных нальную магнитному моменту намагниченферрогранатовых пленок в процессе их.из- ной до насыщения пленки и определяют готовления. Цель изобретения - расшире-намагниченность насыщения пленки.ние функциональных возможностей путем1756840 4 напряженности магнитного поля в областиполей до насыщения и определении из совокупности измеренных данных эффективных полей и константы одноосной икубической аниэотропии материала пленки. 5Образец помещают на держатель образца таким образом, чтобы при измерениях плоскость пленки была перпендикулярнанаправлению магнитного поля и осям приемных катушек. Устанавливают напряженность магнитного поля больше полянасыщения образца и измеряют наведенную колеблющимся образцом ЭДС Ез, пропорциональную магнитному моментунасыщения образца пь. Затем медленно изменяют напряженность магнитного поля всторону уменьшения до нуля с шагом намного меньшим поля насыщения. На каж дом шаге измеряют величину наведеннойЭДС Е и напряженность магнитного поля,При измерениях дайные заносятся в память 2микроЭВМ,Измеренная зависимость наведеннойпленкой ЭДС, пропорциональной магнит ному моменту пленки, от приложенного поля, всущности, кривая намагничивания 2(КН). Для контролируемых пленок в направлении, перпендикулярном к плоскостипленки, т,е, в направлении измерений онаявляется безгистереэйсной вшироком интервале полей и ее можно однозначно аналитически . описать в интервалеотносительной намагниченности от 0,2 до0,9 выражением, имеющим вид 10 15натовых пленок ориентации (111) с 35 фактором качества меньше единицы, заключающийся в воздействии на образец посто 40 щения пленки, определении45 намагниченности насыщения пленки, о т л и 50 55 Н =(4 7 ГМз - Ми + Нк 0) где 4 л Мз - намагниченность насыщения;Н - напряженность приложенного магнитного поля,Ни - эффективное поле одноосной анизотропии;Нк - эффективное поле кубической ани: зотролии;) - относительная намагниченйостьпленки в направлении приложенного поля . (наведенная ЭДС, нормированная к диапазону 10,Ц;. Я) - функция вида т=Д"ф) - 4- ) (4) - 1), (2)Из совокупности измеренных данныхспомощью микроЭВМ производят вычисление магнитостатических параметров, По йзмерению магнитного момента пленки, намагниченной до насыщения (п)з), и, зная . ее объем, определяют ее намагниченность насыщения. затем в каждой точке измеренной КН определяютотносительную намагниченность пленки в направлении намагничивания: и) Е(3)гпз ЕзПолученную перерасчетом из зависимости Е(Н) зависимость ЯН) аппроксимируют выражением (1) методом наименьших квадратов й определяют параметры зависимости (1) - эффективную намагниченность насыщения (4 л Мз - Ни) и эффективное поле кубической аниэотропии Нк, Аппроксимацию проводят в области относительной намагниченности 0,2 - 0,9, во избежание возможного влияния эффектов, не учитываемых выражением. (3), Рассчитав ранее намагниченность насыщения и определив эффективну)о иамагниченность насыщения легко определить эффективное поле одноосной аниэотропии Ни: Ни=4 ЛМз - (4 7 ГМз - Ни) (4) Далее рассчитывают значения констант одноосной Ки и кубической К 1 анизотропии по формулам; Формула изобретения Способ определения магнитостатических параметров эпитаксиальных феррограянного магнитного поля с напряженностью больше напряженности поля насыщения,приведения пленки в колебательное движение в направлении, перпендикулярном к направлению внешнего поля, измерении наведенной ЭДС, пропорциональной магнитному моменту намагниченной до насыч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем измерения параметров анизотрапии, пленку при измерениях ориентируют перпендикулярно к направлению внешнего поля, после измерения ЭДС наведенной намагниченным до насыщения образцом, изменяют величину магнитного поля в сторону. уменьшения до нуля, определяют в каждой точке кривой намагниченности наведенную ЭДС и напряженность магнитного поля и по разнице намагниченности насыщения и поля одноосной анизотропии с полем кубиче1756840 ской анизотропии пленки определяют искомые параметры из выражения Н-(а лМ. - Н.)1+ Н Рз 3 21 г) (42 1)1 Составитель А.Романов л .- Техред М.Моргентал Корректор О,Кравцова Редактор Е.Пап п Заказ 3086 Тираж. Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 где 4 лМ - намагниченность насыщения; Н - поле кубической анизотропии;1 - наведенная ЭДС, нормированная к диапазону 0,1 ( -1, когда пленка намагничена до насыщения);Ни - поле одноосной анизотропии;