Рассошинский

Номер патента: 289680

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Альперович, Кислицын, Корнилов, Лебига, Рассошинский

МПК: B23K 1/00

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов

...присоединение неско оских металлических проводнцковых выводов к полупроводниковым кристаллам германия, кремния, карбида, арсенида таллия ц др.Предварительно собранные в приспособлении 1 в необходимой последовательности элементы прцбо)ра 2 нагреваются со скоростью нагрева 10 С,.ттин до температуры на 40 - 70 С ниже температуры плавления припоя цли образовання (плавления) эвтектической прослойки на отдельном нагревателе 3 или струей горячего газа (1 стадия), затем все элементы прибора сжимают с определенным усилием Р, нанример, электродом наконечником тльтразвуковой головки 4 (11 стадия) и собранные эле 1 о менты 1 подвергают воздействию механических колебаний ультразвуковой частоты (111 стадия). При этом происходит увеличение...