Схема управления аттенюатора свч на полупроводниковых диодах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 278800
Автор: Кантор
Текст
СО.тон" и , 1 п и ОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ278800 Союз Советских Социалистических Республиквисимое от авт, свидетельства чос аявлено 14.1 Ч,1969 ( 1325712/26 Кл. 21 присоединением заявки Мо Комитет по делам изобретениИ и открыт при Совете Министре Приоритет 1 ПК Н 01 р 1/2 публиковано 21,Ч 1.197 плетень М К 621.372 (088.8) а опубликования опис ся 13.Х 1,19.вторизобретения Заявитель ХЕМА УПРАВЛЕНИЯ АТТЕНЮАТОРА СВЧ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХЧ,одн Изобретение относится к технике СВ в частности к аттенюаторам на полупров иковых диодах.Известны схемы управления аттенюаторов СВЧ на полупроводниковых диодах, содержащие несколько цепочек, каждая пз которых состоит из последовательно соединенного диода и резистора. В этих схемах диоды устанавливаются непосредственно в высокочастотной линии передач и оказывают на нее шуптирующее действие. Каждый диод питается током, определяемым только входным напряжением и постоянным сопротивлением, включенным последовательно с диодом.Недостаток такой схемы управления заключается в том, что в динамическом режиме происходит зпачптельпое увеличение КСВН.С целью получения определенной взаимной зависимости проводимости диодов от величины входного напряжения предлагаемая схема выполнена в виде ступенчатого делителя напряжения, содержащего несколько ступеней цепочек, состоящих из полупроводниковых диодов и постоянных сопротивлений, при этом каждая цепочка, состоящая из одного диода, последовательно соединенного с постоянным сопротивлением, подключена к соседней цепочке непосредственно к диоду, Подбором постоянных сопротивлений достигается желательная взаимозависимость проводимостей диодов. Предлагаемая схема управления дподамп создает в СВЧ-устройствах определенную характеристику КСВН путем образования взаимозависимости проводимости диодов 5 от входного напряжения (общего тока).На фиг. 1 представлена предлагаемая схемас независимым управлением диодов; на фпг. 2 - предлагаемая принципиальная схема; па фпг. 3 - схема, использующая аттенюа тор, в котором могут быть применены диоды.Как показано па фиг, 1, диоды управляютсянезависимо друг от друга, ток г, - , через диоды определяется входным напряжением С/ и величинами постоянных сопротивлений 15 Л, - Я,. Пунктиром условно показана высокочастотная линия передачи, в которой располагаются полупроводниковые диоды.Как показано на фпг. 3, прп одинаковыхдиодах Д 1 - Д 4 и расстояниях между пимп /4 20 длины волны Р, значения постоянных сопротивлений следующие:Йд = Р 12 = 200 Олс;Рто=Рм=11=51 оль25 Сравнивая работу известной и предлагаемой схем и реальной конструкции электрически управляемого аттенюатора, можно отметить: группа пз четырех диодов, управляемых по известной схеме, прп изменении общего то ка до величины, соответствующей затуханию3аттенюатора в 40 дб, приводит к рассогласованию линии до КСВН=4 . 5.Те жс диоды, управляемые по предложенной схеме, показанной на фиг. 3, при тех же затуханиях до 40 дб обеспечивают в линии КСВН (1,6.Таким образом, предлагаемая схема управления создаст положительный эффект, заключающийся в улучшении качества конструкции, В которой испол ьзуОтс 5 полунроводннковьс диоды, нли при равных качсствах в упрощении конструкции за счет сокрашения количества диодов в приборе,278800Предмет изобретенияСхема управления аттешоатора СВь 1 наполупроводниковых диодах, содержащая нес 5 колько цепочек, каждая нз которых состоитнз последовательно сосдвенного диода и резистора, отличаюсцаяся тем, что, с целью получения опрсделенной взаимной зависимости проводимости диодов от величины входного 10 напряжения, каждая предыдущая цепочкавключена между общей ииной источника питания и точкой соединения диода и резистора следующей цепочки.278800Фиг. 3Составитель Курныков Редактор Т. И. Морозова Тскред Л. Я. Левина Корректор О. С. Зайцева Заказ 3252/4 Тираж 480 Подписи.ь ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий прн Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушскан. наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
1325712
М. М. Кантор
МПК / Метки
МПК: H01P 1/22
Метки: аттенюатора, диодах, полупроводниковых, свч, схема
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-278800-skhema-upravleniya-attenyuatora-svch-na-poluprovodnikovykh-diodakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Схема управления аттенюатора свч на полупроводниковых диодах</a>
Способ контроля отсутствия обрывов и коротких замыканий на корпус или подложку внешних выводов твердотельных интегральных схем с изолирующими диодами
Номер патента: 1541542
Опубликовано: 07.02.1990
Авторы: Антонов, Самиуллин, Цветков
МПК: G01R 31/02, G01R 31/303
Метки: внешних, выводов, диодами, замыканий, изолирующими, интегральных, коротких, корпус, обрывов, отсутствия, подложку, схем, твердотельных
...по номиналу ограничительные резисторы 4.1-4.п, Этонапряжение должно быть больше, чемнапряжение обратимого пробоя диоднойизоляции в интегральной микросхемеа ток пробоя не должен превышать значения, гарантирующего обратимостьпробоев любых р - и-переходов микросхемы (Фиг.2-5)На ТТЛ-микросхеме (Фиг.2) при подключении выводов 3.1-3,5 к отрицательному полюсу источника 5 через токоограничивающие резисторы 4,1-4.5 открываются входные 8-10 и изолирующие11-13 диоды. При отсутствии обрывови коротких замыканий выводов на корпус или подложку нз всех резисторах4,1-4.3, 4,5, подключенньх к выводам3.1-3.3, 3.5, устанавливается напряжение источника 5 за вычетом прямого5 154 падения напряжения йа диодах. На резисторе 4.4, подключенном к выводу 3,4...
Стабилизатор свч мощности на полупроводниковых диодах
Номер патента: 145914
Опубликовано: 01.01.1962
Метки: диодах, мощности, полупроводниковых, свч, стабилизатор
...которого определяется. В другом плече тройника находится согласованная конечная нагрузка 3, позволяющая раздельно изменять фазу и модуль коэффициента отражения для компенсации ассиметрии волноводного тройника 1,Ввиду отсутствия взаимной связи между плечами силовых линий Е и Н и отсутствия отражения от конечной нагрузки 3 на индикаторе 4 можно наблюдать коэффициент отражения испытуемого элемента, Для измерения малых отражений необходимо, чтобы линии связи имели минимальные потери в тракте, в связи с чем в стабилизаторе СВЧ мощности применены в качестве регулирующих элементов четыре низкочастотных германиевых диода. Диоды включены в линию парами с разной полярностью в ларе и последовательно по постоянному току. В схеме примене СВЧ...
Синхронизируемый генератор на туннельном диоде
Номер патента: 675578
Опубликовано: 25.07.1979
Авторы: Катков, Семиглазов
МПК: H03B 7/08
Метки: генератор, диоде, синхронизируемый, туннельном
...с туннельным диодом 4 включен параллельный 1,С-контур 5, который настроен на частоту синхронизирующего генератора 151 и индуктивно связан с его выходным контуром 2. При подаче напряжения питания в устройстве генерируются одновременно два колебания: низкочастотное на частоте кварцевого резонатора 6 и высокочастот ное на частоте параллельного 1.С-резонансного контура 5, настроенного на гармонику основной частоты, близкой к входной частоте синхронизирующего сигнала. Входной сигнал захватывает колебания высокой675578 Ь=+ ---- " -- ф -4 А" Бви а О 1 Ркв соС Формула изобретения(Составитель А. 3Техред О. ЛуговаТираж 1060дарственного комитеизобретений н открЖ - 35, Раушская ннт, г, Ужгород, ул. айцеваКорректор Е, ЛукПодписноеа...
Свч узел крепления полупроводникового диода
Номер патента: 1109829
Опубликовано: 23.08.1984
Авторы: Коломойцев, Лукаш, Самойлов, Соколовский
МПК: H01P 1/00
Метки: диода, крепления, полупроводникового, свч, узел
...металлического основания, и гайку, направляющая трубка выполнена составной из первой и второй втулок, при этом в первой втулке выполнены сквозной продольный паз и два торцовых конусообразных углубления, а один из торцов второй втулки выполнен в виде конусообразного выступа, угол образующей которого равен углу образующей 40 одного торцового конусообразного углубления первой втулки, угол образующей другого торцового конусообразного углубления которой равен углу образующей конусообразного цангового наконечника.45На фиг. 1 изображен СВЧ узел крепления полупроводникового диода, продольный разрез; на фиг. 2 - то же, поперечный разрез.СВЧ узел крепления полупроводникового диода содержит металлическое основание 1, 50 металлический штырь...
Генератор последовательности случайных двоичньгх знаков
Номер патента: 324634
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Тьков, Федотов, Финогенов
МПК: G06F 7/58
Метки: генератор, двоичньгх, знаков, последовательности, случайных
...задач. Лучше удовлетворяют првбованиям метода случайные числа, получаемые с помощью датчиков случайных чисел, содержащих многоразрядные двоичные регистры, в каждую ячейку которых по команде вписьвваются случайным образом 0 или 1. Г 1 оследоьательности случайно следующих нулей и единиц создаются специальными генераторами случайных двоичных знаков.Известны различные принципы построениягенераторов случайных двоичных знаков, В частности, известно устровство, основанное на использовании вероятностного характера перехода симметричной бистабильной схемы в любое из своих состояний.Известная схема содержит ламповый триггер с ключом для включения питания. После включения питания триггер с равной вероятноУДК 681.332:519.2 (088 8)Корректор Е....
Предыдущий патент: Устройство для градуировки микрошкал высокочастотных блоков
Следующий патент: Установка адиабатического сжатия
Случайный патент: Феррозондовый дефектоскоп