Аксененков

Способ получения вюрцитной модификации нитрида бора

Номер патента: 1127228

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Аксененков, Бланк, Голубев, Коняев, Кузнецов, Эстрин

МПК: C01B 21/064

Метки: бора, вюрцитной, модификации, нитрида

Способ получения вюрцитной модификации нитрида бора, включающий воздействие высокого давления при сдвиговом напряжении на порошок графитоподобного нитрида бора и последующее снижение давления до атмосферного, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода вюрцитной модификации нитрида бора, на порошок графитоподобного нитрида бора последовательно воздействуют сначала давлением 2,5 - 4,0 ГПа, затем сдвиговым напряжением 2 - 3 ГПа при углах сдвига от 15 до 30o с скоростью 5 - 10 град/с.

Способ получения материалов для синтеза поликристаллов кубического нитрида бора или алмаза

Номер патента: 1251486

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Аксененков, Бланк, Голубев, Коняев, Эстрин

МПК: C01B 21/064, C01B 31/06

Метки: алмаза, бора, кубического, нитрида, поликристаллов, синтеза

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СИНТЕЗА ПОЛИКРИСТАЛЛОВ КУБИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА ИЛИ АЛМАЗА, включающий воздействие высокого давления и сдвиговой деформации на спрессованный исходный материал с последующим снижением давления до атмосферного, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности поликристаллов за счет увеличения степени аморфизации материала, на спрессованный исходный материал с температурой 77 300 К воздействуют давлением 0,4 2,0 ГПа и сдвиговой деформацией при углах сдвига 30 - 360o.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве исходного материала используют кристаллические модификации нитрида бора или графита.

Подсистема управления внешними устройствами ввода-вывода

Загрузка...

Номер патента: 389503

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Аксененков, Жуков, Кудленок, Мороз

МПК: G06F 9/00

Метки: ввода-вывода, внешними, подсистема, устройствами

...каждому внешнему устройству поочередно реагировать на сигнал выборки, поступающий из канала. Для работы канала с основной и дополнительной цепочками внешних устройств вводаивывода устройству для логического ретранслирования сигналов достаточно управлять сигналами по шинам 71 и 69. Коммутация соответствующих цепей осуществляется с помощью контактов10 15 20 25 ЗО 35 55, 56 второго реле. При этом могут быть следующие случаи;1. Канал выдает сигнал выборки по шине 71, когда ни одно внешнее устройство, вклю ченное:в дополнительную цепочку внешних устройств ввода-вывода, не выдало сигнала по шине 79,или шине 82. В этом случае сигнал по шине 71,поступит одновременно в ос. новную цепочку внешних устройств через контакт 56,...

Линия сборки полупроводниковых диодов

Загрузка...

Номер патента: 270898

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Аксененков, Бовыкин, Бородулина, Колесников, Крупко, Кузнецов, Сафонов, Свергунов, Тулинов, Филимонов, Царенко, Цыков, Чупрнков, Шейнов

МПК: H01L 21/50

Метки: диодов, линия, полупроводниковых, сборки

...и шлюзами для выполнения некоторых ручных операций соорки диодов.Устройство для присоединения к ленте в зоне оформленного кристаллодержателя баллона диода выполнено также в виде двух линейно расположенных механизмов, обслуживаемых оператором. Оно содержит направляющую 38 для ориентированного перемещения ленты, механизм 39 контактной конденсаторной сварки с двумя подвижно смонтированными в вертикальной плоскости электродами, один из которых выполнен регулируемым, а также комплект сменных кассет 40 с установочными штифтами и съемными электродами 41.Устройство для обжима и проварки трубки45 50 55 60 65 5баллона выполнено в виде пресса и механизма контактной конденсаторной сварки, которые приводятся в действие посредством...