Патенты с меткой «гальвано-магнитных»
Способ исследования гальвано-магнитных свойств кристаллов
Номер патента: 502304
Опубликовано: 05.02.1976
Автор: Бройде
МПК: G01N 27/72
Метки: гальвано-магнитных, исследования, кристаллов, свойств
...параллельно соединенными силовыми полупроводниками вентилями, вклю 20енными параллельно соленоиду,Когда напряжение достигает нулевого значения в первый полупериод разряда конденсаторов, вентили открываются, соленоид закорачивается, и ток, протекающий через соленоид,25 спадает по экспоненциальному закону, Таким образом, магнитное поле, создающеесявнутри соленоида и камеры, расположеннойв нем, изменяется по экспоненциальному закону с удлинением периода и не меняет зна 30 ка, поэтому глубина проникновения магнитно. Орловска еда Изд.247 И Государственного ком по делам изобрет 113035, Москва, Ж, Заказ 736/19ЦН Тираж 1029Совета Министроткрытийая наб., д. 4/5 ПодписноеССР тетийауш пография, пр, Сапунова, 2 го поля в образец увеличивается...