Патенты с меткой «забракованных»

Номер патента: 129449

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Гурнов

МПК: C23C 16/16

Метки: забракованных, карбонильного, никелированных, никеля, покрытия, применение, снятия, способа

...помешают в герметически закрывающийся реактор, выполненный например, из стали, В котором при 80 их подвергают воздействию окиси углерода, в результате чего никель, образуя летучее соединение - карбонпл никеля М(СО) ь отделяется от поверхности деталей. Образовавшиеся пары карбонила никеля при помоци насоса ОткачиваОт из реактор и прон с:.аюг чсрез фильтр, состоящий из асбеста или пемзы, нагретых до 200 При этой температуре карбонил никеля разрушается, образуя металлический никель, который оседает на асбесте 1 ли пемзе, и окись углерода, возвращаемую в реактор.Посредством трубопроводов реактор, фильтр и циркуляционный насос соединяют в общую замкнутую систему, через которую непрерывно циркулР 1 ру 10 т газообразные прОдукты (Окись...

Номер патента: 174781

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Гуревич, Хромов, Чубуков

МПК: B24B 5/40, C03C 19/00

Метки: забракованных, люминесцентных, люминофора, станок, трубчатых, удаления

...ней и Балом, наотверстия и единен с ваСтанок для удаления люмпноф кованных трубчатых люминесцс лий, отличающийся тем, что, с ц ния люминофора сухим способох полнен со станиной и укрепленч вра:цающимися диском и полы одном конце которого образовань укреплена щетка, а другой - с куум-установкой. одаисная ярупаИ В настоящее время люминофор с трубок люминесцептных ламп, заОракОВанных иОсле нанесения люминофорной суспензии на трубВыжигаия итро(летчатки и заварки, удаляют окрьх способом, который зя(лочается в том, что трубки с нанесенным на них люмииофором помещают в ванну с водой и затем вручпуо с помощью ерша моют, Пр: этом Весь люминофор, смытый с трубок. Вместе с ВО э сОРасывают В каализацпю 10Предлагаемый станок позволяет снимать...

Номер патента: 535628

Опубликовано: 15.11.1976

Авторы: Саркисян, Чубич

МПК: H01L 21/66

Метки: забракованных, кристаллов, удаления

...кристаллов, локально нагревают до размягчения пленки, прикладыва ют к этим участкам давление в направлениикристаллов, после чего пленку с прилипшими к ней забракованными кристаллами удаляют. Пленку можно нагревать одновременно с приложением давления. Полупроводни ковую пластину с готовыми микроструктурами после операции скрайбирования размещают в полиэтиленовом пакете, откачивают из него воздух и герметизируют. Затем известными способами, например валиком, разламы вают пластину на отдельные кристаллы, рас535628 Составитель О, Бочкин Техред Е, Подурушина Редактор И, Шубина Корректор Л, Брахнина Заказ 3025/14 Изд, Юа 1801 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий...