Способ термообработки кристаллов метаниобата лития
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 502651
Авторы: Алавердян, Белабаев, Саркисов, Фарштендикер
Текст
Союз Соеетскик Социалистических Респуолик(51) М. Кл В 011 17/О 988663/23 2) Заявлено 21,01,7 сиприсоединением за Государственный комите Совета Министров СИР 3) Приоритетубликовано 15.02.76, Б 53) УДК 548.55(088.8 ллетень6 гния 23.04.7 по делам изобретений н открытий(54) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ МЕТАНИОБАТА ЛИТИЯзец помещают в кристаллодержатель из тефлонг, диэлектрического материала, выдерживающего сильные электрические поля до 300 С. Подъем температуры осуществляют в течение 2 ч. до 230 С и выдерживают в электрическом поле 2000 В/см в течение 30 мин, затем охлаждают до комнатной температуры в течение 3 ч,В результате проведенной термообработки в электрическом поле происходит расширение динамической характеристики (см. линию 2 на чертеже). 5н 1 1. Способ термообработки кристаллов метаиобата лития, используемых для изготовления электрооптических модуляторов, включающий нагрев, выдержку в постоянном электрическом поле и охлаждение, о т л и ч а ю щ и й ся тем, что, с целью улучшения динамическиххарактеристик модуляторов, выдержку кристаллов проводят при 225 в 2 С в течение 10 - 30 мин при напряженности электрического поля 1960 в 20 В/см.25 2. Способ по п. 1, отличающийся тем,что подъем температуры проводят со скоростью 150 - 200 град/ч.3. Способ по п. 1, ючто снижение темпе ос.30 ботки проводят со с 5 отл ич а ратуры п кор остью щиися тем, че термообра - 100 град/ч,Изобретение относится к способу термообработки кристаллов метаниобата лития, широко применяемых в квантовой электронике.Известен способ термообработки кристаллов метаниобата лития, включающий нагрев, выдержку в постоянном электрическом поле и охлаждение. Однако электрооптические модуляторы, в которых используются кристаллы метаниобата лития, полученные известным способом, имеют ухудшенные динамические характеристики.С целью улучшения динамических характеристик модуляторов выдержку кристаллов проводят при 225 - 235 С в течение 10 - 30 мин при напряженности электрического поля 1960 - 2040 В/см. Преимущественно подъем температуры проводят со скоростью 150 - 200 град/ч, а снижение температуры после термообработки проводят со скоростью 50 - 100 град/ч,П р и м е р. Выращенный, отожженный и монодоменизированный по известной технологии кристалл метаниобата лития с размерами 4 К )(5 Х 16 мм, имеющий динамическую характеристику - зависимость М=Р(1 ф) ( см. линию 1 на чертеже), где М - глубина модуляции, Г - частота, при времени коммутации т= =5 10 -с, подвергают термообработке в присутствии электрического поля, Термообработку проводят в термостатированной печи. Обраормула изобретения
СмотретьЗаявка
1988663, 21.01.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1110
БЕЛАБАЕВ КОНСТАНТИН ГРИГОРЬЕВИЧ, САРКИСОВ ВЛАДИМИР ХАЧАТУРОВИЧ, ФАРШТЕНДИКЕР ВИКТОР ЛЬВОВИЧ, АЛАВЕРДЯН САМВЕЛ АРШАКОВИЧ
МПК / Метки
МПК: B01J 17/00
Метки: кристаллов, лития, метаниобата, термообработки
Опубликовано: 15.02.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-502651-sposob-termoobrabotki-kristallov-metaniobata-litiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ термообработки кристаллов метаниобата лития</a>
Устройство для измерения температуры, напряженности магнитного поля и механи-ческих напряжений
Номер патента: 853424
Опубликовано: 07.08.1981
Автор: Логвиненко
МПК: G01B 7/16, G01K 7/01, G01R 33/06
Метки: магнитного, механи-ческих, напряжений, напряженности, поля, температуры
...образованный областями 2 и 4 пластины 1, контакт 10; контакт б, область 2 пластины 1, контакт 8, входное сопротивление измерителя напряжения, подключенного к контактам 8 и 10, контакт 10. Измеритель напряжения входит в состав измеритель. ной схемы. Соотношение между токами в указанных цепях будет определяться соотношением сопротивления р-и-перехода и входного сопротивления измерителя напряжения. Для эффективной совместной работы термодиода и измерителя напряженности магнитного поля это соотношение следует выбирать таким образом, чтобы ток первой цепи, т.е. ток термодиода, был в пределах (10-50)10А. Протекание тока от контакта б к контакту 8 через область 2 вйэывает инжекцию носителей тока в эту область, имеющую малую толщину (2-5 мкм)...
Устройство для измерения температуры в магнитных полях
Номер патента: 492757
Опубликовано: 25.11.1975
Автор: Шор
МПК: G01K 7/02
Метки: магнитных, полях, температуры
...тепловой экран 8, имеющийтепловой контакт с блоком 2 и выполненный в виде трубки нэ материала с высокой 10 тепяопроводностью, например нз меди.Все устройство, включая тепловой экран8, помещено в теплонзоляцию 9, напримерввакуумную оболочку, Термометр 1 с бло-,ком 2 помещен в магнитный экран 10. тф Устройство работает следующим образом.Прн отклонении температуры блока 2от нэмеряемай на термопаре 4 возникаеттермо-э.д. с., воздействующая на терморегулятор 7 так, что последний с помощью 20 нагревателя 3 возвращает температуру блока 2 к измеряемой. Температура блока 2измеряется термометром 1. Погрешность термометрасобусловленная аффектом Гаус тивлення снижено О П И А Н И Е ц 4 ювтИЗОБРЕТЕН Ияблагодаря вынесению термометра в зону слабого...
Способ изготовления активного элемента лазера на основе кристалла фторида лития с центрами окраски
Номер патента: 1152475
Опубликовано: 19.06.1995
Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер
МПК: H01S 3/16
Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.
Способ термообработки сцинтилляционных кристаллов
Номер патента: 1609211
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Зеленская, Кривошеин, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 29/32, C30B 33/04
Метки: кристаллов, сцинтилляционных, термообработки
...кристаллы со ско" ростью 50-100 град/ч до 930+30 С и д- лее до комнатной температуры со скоростью 100-20 ф град/ч. После охлаждения ячейку вынимают нз печи и извле 1609211кают кристаллы (или сцинтилляторы),Кристаллы передают на оптико-механи:ескуа обработку, а спинтилляторына измерение сцинтилляционных параметров,Были проведены лабораторные испытания известного.и предлагаемого способов, Термообработке. подвергалосьболее 35 кристаллов германата висмута и сцинтилляторов из них, Характерные результаты испытаний приведены втаблице (для сцинтилляторов размером4040 мм и 5 ПМ 50 мм),В абсолютном значении световой выход увелицивается на 3,0-393, энергетицеское разрешение улучшается на2,0-7,33,Относительное улучшение сцинтилляционных параметров...
Способ создания лазерноактивных f-2-центров в кристаллах фторида лития
Номер патента: 1443496
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Проворов, Симин, Цирульник
МПК: C30B 29/12, C30B 33/00
Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида
Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.
Предыдущий патент: Катализатор для гидрокрекинга нефтяного сырья
Следующий патент: Способ приготовления катализатора для гидрирования непредельных органических соединений
Случайный патент: Способ изготовления штампованных и прессованных изделий из спеченных порошков магниевых сплавов