Способ определения оптических констант одноосных кристаллов

Номер патента: 539209

Опубликовано: 15.12.1976

Авторы: Любощиц, Мельцер, Николайчик, Эльперин

МПК: F26B 3/10

Метки: мелкозернистых, тепловой

...5, н 1 ахты 6 и 7 промежуточного и окончательного охлахкдсния, соответственно, вентиляторы 8 и 9, патрубок 10 выгрузки адсоросита н патрубок 11 ввода холодного воз;мха.Установка работает следующим образом.Сырос зерно нз загрузочного бункера 1 и рецнркуляцио 1 нос зерно из шахты 6 промсжуточного охлаждения направляют к осноВанн 10 пнсвкОТ 1 з 50 ы 2, которая подкл 10 ченаисточнику холодного воздуха через патрубок 11. Высокотемпературный адсорбент за 1 ружают В всрхпю 10 власть ппсвк 10 трубы 21 срез патрубок 3. Вследствие того, что скорость Воз,1 уха мсньнзс скорости Витания частиц адсороснта, последний под действием силы тяжести дв;жется Вниз, отдавая свое тепло Встречному потоку газовзвеси зерна с воздухом, н выгружается через...

Номер патента: 594928

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Бородюк, Тарусов

МПК: A01G 7/00

Метки: изменений, объек-тов, оптически, проницаемых, регистрации, структурных

...повр. 0 10 16 учен на 50 100 50 4,1 1,4 0,57 0,34 0,22 100 50 умен. иа 50 умен. на 12 увел. на 11 увел. иа 125 увел. на 122 6,7 1,85 0,55 0,32 0,19 на 39 2,5 0,9 0,2 0,12 2,21 умен,учен,на 24 увел. на 3,5 увел. на 6 увел. на 16 0,50,27 20 25 Из таблицы видно, что при повреждяющих воздействиях интенсивность прямо проходя щего света при ср=О падает на 50%. Это уменьшение интенсивности имеет место до- 10 (для разных объектов этот угол различный), при ср)15 наблюдается увеличение абсолютного значения рассеянного светя. Эф фскт измецсния интенсивности в результате повреждающего воздействия ца длине волны Л=1150 нм существенно больше, чем ца Л= =630 нм. Таким образом, по изменениям интенсивности падающего света можно судить о структурных...

Номер патента: 390165

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Боев, Езители, Навроцкий

МПК: C21D 5/14

Метки: отливок, охлаждения, чугунных

...определяют критические токп начала и конца фазовых превращений. После этого на других образцах устанавлива 5 от допустимый диапазон скоро стей охлаждения при температурах фазовыхпревращений путем нагрева образца до верхних критических точек фазовых превращений и охлаждения до нижних критических точек с одновременной записью кривых охлаждения, 20 Скорости охлаждения между различными точками образца определя 5 от интерполяцией, По данным металлографического анализа устанавливают допустимый диапазон скоростей охлаждения. После определения оптимальных 25 скоростей охлаждения чугунные отливкиохлаждают с найденными скоростями.Предложенный способ был опробован приохлаждении после горячей заварки блоюв цилиндров дизеля из высокопрочного...

Номер патента: 408758

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Антонов

МПК: B24B 19/06

Метки: 408758

...и тел качения, для чего, в свою очередь, держат окружную скорость сообкатки достаточно высокой, но не выше максимальной для каждого размера подшипника качения. Далее обеспечивают равномерность обкатки тел качения и их пере ориентировки в процессе сообкатки, для чего,продолжая вращение, ритмично прерывают аксиальную нагрузку на подшипниках паузами полной нагрузки с частотой до 15 - 20 ритмов в минуту.10 Активизируют процесс сообкатки, повышаяодновременно чистоту обработки поверхностей качения, для чего применяют при сообкатке абразивную пасту, например, на основе крокуса, Для повышения чистоты поверхности ка пения (до полного устранения следов прежнейобработки) продолжают процесс сообкатки не менее 3 - 30,чин в зависимости от размера и...

Номер патента: 411548

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: H01K 1/32

Метки: 411548

...нанесением слоя двуокиси титана на внутреннюю поверхность колбы. Однако нанесение на поверхность колбы слоя двуокиси титана приводит к поглоще нию в этом слое излучения в видимой области спектра и уменьшению светового потока лампы на 15 - 20%.Для увеличения светоотдачи в предлагаемой лампе в качестве диффузного покрытия при меняют люминофоры, преобразующие инфракрасное излучение в видимое, например люминофоры на основе УОС 1, ВаУГ 1.п 20 о 5, содержащие в качестве активаторов Ег+з, Но+в, Тгп+в, Рг и в качестве сенсибилизатоУЬ+з олбу отжигаютя биндера. Далезвестной техноло ламп увеличив редмет изобрет разом. ензию, офора20 оверх- током Лампу изПо известсостоящуюУгОЙ УЬ 1Суспензиюность колб готавливают следующим об ной технологии...