Способ стабилизации униполярности кристаллов ват о
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 501444
Авторы: Берберова, Бородин, Проскуряков, Шпитальник
Текст
ш. у ссоозн,кя Эйтьнтно-технично(вод ПИСАН И ЗОБРЕТЕН ИЯ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУс присоединением з 23) Приоритет осударственнын комитет оеета Министров СССРбликовано 30,01.76. Бюллетень4 ела изобретений Дата опубликования описания 15.04 аткрыти 72) Авторы пзооретепп 5 итальник, Б. Ф. Проскуряков и Л, М, Берберов ородин, Б, Ц),Заявитель остовский орд Трудового Красного Знамени государственный университет 4) СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ УНИПОЛЯРНОСТ КРИСТАЛЛОВ ВаТ 10 звалентность которого больше валонтностн тнтарна, или его окисел,На очищенные предварительно поверхностикристалла ВаТ 10 з наносят соли СоС 1, бН,Оп5 ЪОз на внешнюю и внутреннюю грани соответственно, и такой образец помещается в платиновую капсулу, которая нагревается в печидо 1000"С и выдерживается в течение 30 мпн.При этом происходит термодиффузпя метал 10 лов на некоторую глубину в образец, затемобразцы охлаждаются до комнатной температуры. Контроль состояния поляризации дои после термодиффузии осуществляется методом динамического пироэффекта, Внедрение15 металлов необходимой валентности в кристалл ВаТ 10 з можно осуществить ионным легированием. Для этого крвсталлы ВаТ 10,обезжирнваются в бензоле и помещаются вкамеру, где осуществляется бомба 1 здпровка20 попами щелочных металлов. Унипо,лагаемы ность к 25 ности. На фи тока от фпг. 2 --Способ относится к ооластп создания чувствительных и стабильных сегнетоэлектричесматериалов. Униполярность в сегнетоэлектриках предоставляет интерес с точки зрения создания пьезо- и пироэлементов, обладающих стабильными характеристиками, а также нелинейных элементов.Существует два способа усиления и стабилизации естественной униполярности; па одну из поверхностей кристалла наносится электрод из одного материала (например, жидкий, либо Ад, Сп, Ап), а на вторую - из другого (например С, А 1, Лп, Ад), униполярность, создаваемая таким образомне обусловлена валент 1 ностью металлов, используемых в качестве электродов; одну из пов(1 рхностей кристалла шлифуют.Существенным недостатв(ом описанных выше способов является нестабильность характористик полученных образцов тепловым, электрическим и механическим воздействиям.Целью изобретения является повышение стабилизации у 1 ниполярности и улучшения управления униполярностью кристаллов ВаТ 10 з.Достигается это тем, что в одну из граней кристалла внедряют металл, валентность которого меньше валентности титана, или его окиссл, а в другую герань внедряют металл,рпость образцов, полученных пред способом, проверена на стабнль олю и температуре по ппроактив 1 представлена зависимость ппротемпературы кристалла ВаТ 10 з, на ависимость пиротока от времени при:сдактор Е, Дайч Текред М, Семенов 1(орректор Л. (отава д. М 1030 Т ктвеного комитета Сове делам изобретений и отк Чосква, Ж, Раунекая 1 од;сисСССР рак 977а Чинистроытйаб д. 4/5 на 5 о 919 Из Ц 1-ИИПР Госуда ио 113035, иографи, и 1 н Самоа, 2 поле, приложенном против возникающей после термодиффузии удиполярности.После выключения электричеокого тока первоначальная униполярность восстанавливается.Кристаллы, унпполярность в которых стабилизирована предлагаемым способом, могут найти применение в качестве чувствительных и высокостабильных элементов в приемниках ИК-излучения, где особенно важна роль стабильности униполярности к внешним воздействиям,Способ стабилизации униполярности криталлов ВаТ 10 з, о т л и ч а ю щ и й с Я тем, что, с целью повышения стабилизации униполярности и улучшения управления униполярностью, в одну из граней кристалла внедряют металл, валентность которого меньше валентности титана, или его окисел, а в другую графинь внедряют металл, валентность которого больше валентности титана, или его окп
СмотретьЗаявка
2024226, 17.05.1974
РОСТОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
БОРОДИН ВИКТОР ЗАХАРОВИЧ, ШПИТАЛЬНИК БОРИС ЦАЛИКОВИЧ, ПРОСКУРЯКОВ БОРИС ФЕДОРОВИЧ, БЕРБЕРОВА ЛЮДМИЛА МИХАЙЛОВНА
МПК / Метки
МПК: H01V 41/00
Метки: ват, кристаллов, стабилизации, униполярности
Опубликовано: 30.01.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-501444-sposob-stabilizacii-unipolyarnosti-kristallov-vat-o.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ стабилизации униполярности кристаллов ват о</a>
Устройство для измерения малых зазоров между двумя поверхностями, одна из которых прозрачная
Номер патента: 954812
Опубликовано: 30.08.1982
Авторы: Аугустайтис, Маченис, Ряубунас
МПК: G01B 11/14
Метки: двумя, зазоров, которых, малых, между, одна, поверхностями, прозрачная
...из которых прбзрачная,, Устройство содержит последовательно5расположенные осветитель 1 - источниксвета, излучающий световой поток, неменее двух определенных частот, т,е,полихроматический световой поток, первый светоделитель 2, второй светоделитель 3, светофильтры 4 и 5 для лропускания световых потоков определенныхчастот и блок регистрации интенсивностисветовых потоков, включаклпий фотодетекторы 6 и 7 и двухканальный осциллог раф 8.Устройство рразом.Излучаемый и20 матический светрез первый светется на измеряеповерхностями 9ми поверхностя412/4 исное ираж 6 3 9548первым светоделителем 2 направляютсяна второй светоделитель 3, который направляет их через светофильтры 4 и 5,каждый из которых пропускает свет определенноф частоты на...
Способ отливки металлом одной плавки связанной смычки якорной цепи
Номер патента: 104485
Опубликовано: 01.01.1956
Автор: Кузьмин
МПК: B22C 9/30
Метки: металлом, одной, отливки, плавки, связанной, смычки, цепи, якорной
...5р:3//оч) и скс)п нд (/ег.Вг(Н/5/1:ЭВРНЬРВ В (ОО/)/1 ПНОЙ (03)Е Р(1 СЕоЛГ Ж(.1/Г)1 ВЕ Гц КД 11 ПО ИО) 1 Ц)/Ч ЫЧ У Г,Е ж 3"/ (5)(3 Г(ьГ)н /;)т/)1 о и. /) ГГЕ;)/но (33 4, Все нечетцыс )вечья (1, 3, 5, 7) 3 т.,(., кд)к ц цегны( звонгя (2 4, 6, 8) ц т.,л чсж(у Ро/)Ой н(рдллс;п)ны и расио О;кгн (ол 1 р//э/ьи уг,/оч ко В"(ч не- ПТИЫЧ З/5 Н /(, П)ЦЦСЧ 1,ОСКГ/С)И:5)ЕНЬСВ (О 3//3),Н/)Е МРЖ У Р)ц)Й 5 ГРЭ/О/(3 У, Й)3 зу)3 к )п рт;(кльнои ;ев)й илос/ ЯОН Рт)РЖНРВОГ (НЭЭ(Ь УГЛЫ 35 1 Оре:(мет изойргт)/и я. ( /1 О)Р,335(и эитдл(о)1 (ной И,ГД 1/КИ (/15 Я)/ /1 ПОИ СМЬЕ К/ Я/ДР/3 (11 3(РИК из звеньев ( пере)11)3)м) (Н(/нр(/н)р 33- Чц), 35 Р/3/)Ь)ЛЬНЫ)(3( Ц /5;5,3/)/Н ПЕРП(и- (П;)Г /Я И Ы) 1)/(/ЛО;КС////3 /3 (3(Р;//3(РВ(/1 лит(йнои О)э /и/Ег(гтг ч;...
Способ подготовки под диффузионную сварку алмазных кристаллов
Номер патента: 198893
Опубликовано: 05.06.1976
Авторы: Багаев, Гаврилов, Казаков, Погодин-Алексеев, Храмов
МПК: B23K 31/00
Метки: алмазных, диффузионную, кристаллов, подготовки, сварку
...окиси металла до металла и процесс диффузии, т,е, проникновения восстановленных частиц металла в тело исходного алмазного кристалла, с которым они непосредственно соприкасаются. Диффузия восстановленных частиц металла в тело исходного алмазного кристалла объясняется повыцкнной активностью веществ (в данном случае металлов) в момент их образования.Исходные алмазные частицы с нанесенным на соответствующие грани слоем металла нагревают в печи с восстановительной атмосферой я течение 6-7 час при 900 - 950 С, после чего охлаждают и вынимают из печи ванночки с исходи ми алмазны. ми кристаллами (частицами). Эти кристаллы со стороны металлизируемых граней ич н 1 т три слоя:Редактор Т. Ларина Корректор И. Гоксич Заказ 746/170 Тираж 1207...
Способ определения катионов металлов
Номер патента: 199480
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Павличей, Тулюпа, Усатенко
МПК: G01N 31/22
...образцам стали (фиг. 1).Удовлетворительные результаты получают при содержании кобальта от 0,2 до 10 у в 1 лл. Часть результатов определения кобальта в сталях представлена в табл. 1. П р и м е р 3, Амперометрическое определение металлов.Дикарбоксиметилдитиокарбаминат калия легко окисляется на вращающемся платиноПрямолинейная зависимость между оптической плотностью и концентрацией металлов соблюдается также для никеля и меди. Дикарбоксиметилдитиокарбаминат калия можно использовать и для фотометрического определения никеля и меди в различных материалах.П р и м е р 2. Объемное определение металлов.Берут раствор реагента в качестве титрованного при объемном опре делении висмута, свинца, кадмия в присутствии ксиленолового оранжевого,...
Способ подвода расплавленного металла на установке непрерывной разливки металла
Номер патента: 506273
Опубликовано: 05.03.1976
Авторы: Отто, Торвальд, Фридрих, Эрнст
МПК: B22D 11/00
Метки: металла, непрерывной, подвода, разливки, расплавленного, установке
...12, 13 четыре потока металла создают на поверхности зеркала металла кристаллизатора непрерывной разливки волны или выпуклости 14 - 17, но так, что при этом не происходит разрыва находящегося на зеркале металла слоя шлака 18, длина а вертикальных потоков от места выхода из каналов 12 и 13 до уровня зеркала металла 19 равна 3 - 30 см, при расстоянии меньшем, чем 3 см, возможно падение металла ниже уровня 20, что привело бы к нежелательному окислению расплава; при расстоянии большем, чем 30 см, возникает опасность того, что не все неметаллические частицы попадут на поверхность. Расстояние а выбирается подниманием или опусканием промежуточного устройства в направлении двойной стрелки. Неметаллические частицы, как только они попали на...
Предыдущий патент: Устройство для дистанционного измерения линейного износа щеток электрических машин
Следующий патент: Способ защиты генератора от однофазных замыканий
Случайный патент: Сортировка волокнистой суспензии