Проектор для измерения параметров сечения кристаллов

О П И С А Н И Е и 550527ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик) Заявлено 17,06.75 44950 28 исоединснием заявкиГосударственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретенийи открытий 23) рте 31.715 088.8) 53 УД Опубликовано 15,03.77, Бюллетень10Дата опубликования описания 14.04. 12) Авторы изобретения(54) ПРОЕКТОР ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРО СЕЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВИзобретение относится к области контрольно-измерительной техники, приборам технологического контроля и может оыть использовано, в частности, в ювелирной промышленности при измерении параметров сечений кристалловв н а проектор ах.Известен проектор для измерения параметров сечения деталей, например, лопаток турбин, содержащий осветитель с щелевыми диафрагмами, проектирующий объектив, экран и держатель детали 11, Контур сечения в таком проекторе образуется при проектировании щелевых диафрагм на поверхность детали. Однако наблюдать на экране можно только часть общего контура сечения: контур сечения тех поверхностей, которые обращены в сторону проектирующего объектива.Таким образом, невозможен одновременный контроль полного контура сечения объекта в случае, если одна часть контура сечения обращена в сторону проектирующего объектива, а другая - в противополоокную сторону, Между тем, наблюдение всего контура сечения объекта (кристалла) является обязательным условием технологического процесса на ювелирных предприятиях. Для контроля контура сечения поверхностей, обращенных от проектирующего объектива, необходим разворот контролируемого объекта на 180, что отрицательно сказывается на производительности труда. Наиболее близким техническим решениек предлагаемому изобретению является проектор для измерения параметров сечения кристаллов, содержащий осветитель с щелевыми 5 диафрагмами, первую проектирующую систему из последовательно расположенных объек тива и сменного светоотражателя, установленного перпендикулярно оси проектирования, экран и держатель кристалла 2.О Этот проектор позволяет осуществлятьконтроль сечения поверхностей, обращенных как в сторону проектирующего объектива, так и от него, без разворота контролируемой де тали на 180.Однако масштаб изображения поверхностей,обращенных в сторону проектирующего объектива, отличается от масштаба изображения поверхностей, обращенных от проектирующего 2 О ооъектива, что объясняется различной длинойхода световых лучей. Следствием этого является незамкнутость контура сечения прп некоторых пространственных положениях детали относительно осветителя. По этой причине при 25 выполнении процесса измерений появляетсянеобходимость производить дополнительные пересчеты параметров частей контура сечения кристалла, полученных в различных масштабах, в один масштаб, что приводит к резкому ЗО снижению производительности труда.55 60 б 5 Целью изобретения является повышение производительности процесса измерения.Для этого предлагаемый проектор снабжен симметрично расположенной относительно первой проектирующей системы второй проектирующей системой, у светоотражателя которой количество отражающих поверхностей на единицу больше, чем у светоотражателя первой проектирующей системы, и устройством совмещения изображения частей контура сечения, проектируемых объективами обеих систем в плоскость экрана. На фиг. 1 изображена оптическая схема проектора; на фиг. 2 - кристалл с линиями контура сечения при виде со стороны объектива первой проектирующей системы; на фиг, 3 - кристалл с линиями контура сечения при виде со стороны объектива второй проектирующей системы; на фиг. 4 - совмещенное изображение контура сечения кристалла на экране проектора.Проектор содергкит осветитель, включающий источники света 1 и 2, конденсоры 3 и 4, щелевые диафрагмы 5 и б, объективы 7 и 8 и обращенные навстречу друг другу плоские зеркала 9 и 10, расположенные под 45 к оптическим осям объективов 7 и 8 так, что отражаемые ими световые потоки лежат в одной плоскости.Симметрично относительно зеркал 9 и 10 на пути отражаемого ими светового потока расположен держатель 11 кристалла. В плоскости, перпендикулярной световому потоку, с противоположных сторон относительно держателя 11 кристалла расположены: первая проектирующая система, содержащая последовательно расположенные объектив 12 и и отражатель 13 (например, плоское зеркало), который установлен под 45 относительно оптической оси объектива 12, и ей симметричная вторая проектирующая система, содержащая последовательно расположенные объектив 14 и отрагкатель 15 с двумя плоскими, обращенными навстречу друг другу рабочими поверхностями 16 и 17, установленными под 2230 относительно оптической оси объектива 14. Оптические оси объективов 12 и 14 первой и второй проектирующих систем совпадают. Фокусные расстояния объективов 12 и 14 одинаковы.Рабочие поверхности отрагкателей 13 и 15 ориентированы на устройство совмещения изображения частей контура сечения кристалла. Это устройство представляет собой комбинацию из отражателей 18 и 19 (например, плоских зеркал), рабочие поверхности которых обращены навстречу друг другу и в сторону отражателей 13 и 15 и установлены под 45 относительно оптической оси объективов 12 и 14, и расположенного между отражателями 18 и 19 Ч-образного отражателя 20, рабочие поверхности которого обращены в сторону отражателей 18 и 19. Далее по ходу лучей объективов 12 и 14 в предметной плоскости рас 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 4положен экран 21 для наблюдения изображения контура сечения кристалла.Работает предлагаемый проектор следующим образом.Измеряемый кристалл 22 устанавливают в держателе 11 в произвольном положении и затем держателю 11 задают такое пространственное положение, при котором грани 23 и 24 кристалла оказываются ориентированными на ооъектив 12, а грани 25 и 26 - на объектив 14.Световой поток от источников света 1 и 2 конденсорами 3 и 4 фиксируется в плоскость диафрагм 5 и б, и ооъектив 8 через отражатель 10 проектирует на грани 23 и 24 кристалла 22 изоорагкение щелевой диафрагмы б в виде ломанои линии 27 см. фиг, 2), объектив 7 через зеркало 9 проектирует с встречного направления на грани 25 и 26 кристалла 22 изооражение щелевой диафрагмы 5 в виде ломаной линии 28 (см. фиг. 3). В итоге на поверхности кристалла 22 образуется наблюдаемый замкнутый контур сечения в виде световой ломаной линии 27 и 28. Часть этого контура сечения в виде ломаной линии 27, видимой со стороны объектива 12, проектируется последним в плоскость экрана 21 через отражатели 13, 18 и 20, другая часть контура сечения в виде ломанои линии 28, видимой со стороны объектива 14, проектируется последним в плоскость экрана 21 через отражатели 15, 19 и 20, при этом изображение ломаной линии 28 оборачивается по сравнению с изобрагкением линии 27 за счет того, что у отражателя 15 количество рабочих поверхностей на одну больше, чем у отражателя 13. Благодаря одинаковым фокусным расстояниям объективов 12 и 14, масштаб увеличения изображений частей контура сечения кристалла оказывается одинаковым.Предлагаемый проектор позволяет получить на экране изображение замкнутого контура сечения кристалла независимо от пространственного положения последнего относительного осветителя,Благодаря одномасштабному и замкнутому изображению частей контура сечения кристалла упрощается процесс измерения параметров сечения кристалла и тем самым достигается повышение производительности труда. Сущность изобретения не изменится, если зеркала 9 и 10 и отражатели 13, 18 и 19 выполнить в виде прямоугольных призм, отражатель 15 - в виде пентапризмы, а отражатель 20 - в виде двух отдельных прямоугольных призм. Отражатель 20 может быть также выполнен в виду двух скленных прямоугольных призм с полупрозрачным слоем между ними, используемых, например, в бинокулярных насадках к микроскопам, однако, при этом яркость изображения контура сечения кристалла на экране проектора будет ниже, чем в форме исполнения, представленной на фиг. 1.5 Ь 0527 21 Д 6 /па 41 Составитель ЛобзоваТехред А. Камышникова Корректор Л. Кот едактор и. Аристо ПодписноеСР Тираж 899го комитета Совета Министрзобретений и открытийК, Раушская наб., д. 4/5 Изд.27Государственнпо дезам3035, Москва Заказ б 2/4ЦНИИ в Типография, пр. Сапунова,При необходимости объективы 12 и 14 могут быть установлены ;:ежду отражателями 13, 18 и 15, 19 соответственно. Формула изобретенияПроектор для измерения параметров сечения кристаллов, содержащий осветитель с щелевыми диафрагмами, первую проектирующую систему из последовательно расположенных объектива и светоотражателя, экран и держатель кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса измерения, он снабжен симметрично расположенной относительно первой проектирующей системы второй проектирующей системой, у светоотражателя которой количес. во отраукающих поверхностей на единицу больше, чев у светоотражателя первой проектирующей системы, и устройством совмеще ния изображения частей контура сечения, проектируемых объективами обеих систем в плоскость экрана. 10 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Авторское свидетельство109606,М. Кл.6 01 В 9/08, 1956.2. Патент ФРГ915270, кл. 42 В 26/03, 15 1949 - прототип.