Способ рентгенографического исследования структуры кристаллов

Союз Советских Социалистических РеспубликДополнительное к авт. свид-вуЗаявлено 06.08.74 (21) 2050933/25 51) М, Кл,е а 0 присоединением заявки3) Приоритет сударственный комитеоветв Министров СССпо делам изобретенийи открытий(45) Дата опубликования описания 05.04.77(53) УДК 623.386(0 72) Авторы изобрете В. В. Харченко и С. Р. Бойк Заявител осударственное конструкторское бюро АН Уз.ССР и Институт электроники АН Уз. ССР 54) СПОСОБ РЕНТГЕНОГРАфИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ бретение отно оверхностных монокристалли следов сится к рентгеноструктурнорименяться при исследовании енств кристаллов.сследования структурных неов по методу Берга - Барреу на поверхность кристалла м направляют плоский пучок му анализу и может п труктурных не совершИзвестен способ и совершенств кристалл а, согласно котором под очень малым угло ентгеновских лучей и ные лучи с помощью ной около поверхно регистрируют дифрагированфотопластинки, расположенсти образца 11. следо в по метод яют рентгеи наблюдарез образец Однако известныи способ не позволяет исследовать послойное распределение несовершенств в кристаллах без их разрушения, кроме того, он очень чувствителен к поверхностным нарушениям. Известен способ послоиного иструктурных несовершенств кристаллоБоррмана, согласно которому направновский пучок над брегговским угломют аномальное прохождение пучка ч123. Однако при осуществлении этого способа используют очень узкие пучки, следствием чего является недостаточная экспрессность. Цель изобретения - повышение экспрессности ческих слоев.Согласно изобретению, поставленная цель достигается тем, что рентгеновский пучок направляют 5 в торец образца под брегговским углом к плоскостям, параллельным поверхности образца, и регистрируют рассеянное излучение, вышедшее из поверхности образца.Сущность изобретения поясняет чертеж.10 Пучок рентгеновских лучей 1, ограниченныйщелью 2 до заданной ширины, направляют в торец образца под утлом Вульфа - Брэгга к отражающим плоскостям, которые параллельны поверхности образца 3, Отражающее положение образца, которое 15 соответствует выходу дифрагированных лучей 4из образца 3, проверяют счетчиком излученияс регистрирующим устройством, Рассеянные в направлении дифрагированного пучка лучи 4 регистрируют на фотопластинке 5, которую располагают 20 вблизи от поверхности исследуемого образца 3. Нафотопластинке получают топограмму с изображением дефектов структуры, находящихся в слое, параллельном поверхности образца, толщина которого определяется заданной шириной рентгеновского 25 пучка. Области образца, находящиеся вне этого слоя,Составитель К, КононовТехред М, Ликович Редактор Е, Меньшова Корректор Т Чаброва Заказ 5957/28 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д.4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 не участвуют в формировании контраста на фотопластинке, например, поликристалл 6, Затем образец 1 с новой фотопластинкой перемещают в направлении, перпендикулярном его поверхности, на расстоянии, равном ширине исследуемого ранее слоя. В этом случае получают топограмму с изображением де. фектов, находящихся в соседнем слое. Экспозиция сокращается за счет возможности использовать более широкий пучок, а, кроме того, практически полностью ликвидируется контраст от поверхности нарушений образца.Предложенный способ применим для исследований поверхностных монокристаллических слоев, в частности таких, которые расположены на подложке с иными физическими свойствами.Формула изобретенияСпособ рентгенографиче ского исследования структуры кристаллов, заключающийся в том, что на исследуемый образец направляют рентгеновский пучок под брегговским углом и наблюдают аномальное прохождение пучка через образец, о т л ич а ю щи й с я тем, что, с целью повышения экспрессности исследования приповерхностных монокристаллических слоев, рентгеновский пучок направляют в торец образца под брегговским углом к плоскостям, параллельным поверхности образца, и регистрируют рассеянное излучение, вышедшее из 1 О поверхности образца,Источники информации, принятые во вниманиепри экспертизе: 1. А. А. Русаков "Рентгенография металлов" ч.б П МИФИ Москва, с, 191 - 19 б. 2. А. А. Русаков "Рентгенография металлов" ч.П МИФИ, Москва, с. 189 - 191 (прототип).