Архив за 2012 год

Номер патента: 818060

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Азаренко, Бакаев, Ребров, Терентьев, Чутаев

МПК: B21C 23/22

Метки: бороалюминиевых, прессования, труб

Способ прессования бороалюминиевых труб, включающий нагрев в вакууме трубчатой заготовки и выдавливание на нее в матрице материала оболочки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества, перед нагревом трубчатой заготовки ее надевают на дорн, нагревают материал оболочки до температуры 400-450°С и производят выдавливание его на трубчатую заготовку до выхода материала оболочки из матрицы, затем вакуумируют объем между дорном и трубчатой заготовкой и нагревают последнюю до температуры 550-580°С, после чего продолжают выдавливание материала оболочки на трубчатую заготовку, а на выходе из матрицы трубу охлаждают до температуры 400-450°С.

Номер патента: 758785

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Бакаев, Матусевич

МПК: C22C 21/00

Метки: волокнистый, композиционный, материал, покрытий

Волокнистый композиционный материал для покрытий, содержащий алюминий и волокна никеля, отличающийся тем, что, с целью снижения стоимости, он дополнительно содержит алюминиды никеля при следующем соотношении компонентов, об.%: волокна никеля8-80 алюминиды никеля 0,1-50 алюминийостальное

Номер патента: 1777362

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Дугельный, Дьяков, Корюков

МПК: C22B 9/02

Метки: ванны, расплава, центрифуга

Центрифуга для очистки ванны расплава, содержащая две обращенные одна к другой большими основаниями конусообразные тарели, установленные на валу с образованием фильтрующей щели, механизм взаимного перемещения тарелей, нижняя тарель соединена с коническим соплом, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности очистки от донного осадка, внутренняя поверхность сопла выполнена в виде спирали.

Номер патента: 822567

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Бакаев, Волошин, Матусевич, Мелешко, Менакер, Прокопов, Шалай, Шерман

МПК: C22C 1/09, C22C 21/00

Метки: волокнистый, композиционный, материал

Волокнистый композиционный материал, преимущественно для наплавочной проволоки, содержащий матрицу из алюминиевого сплава и волокна никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения жаропрочности наплавленного материала, он дополнительно содержит волокна нихрома при следующем соотношении компонентов, об.%: волокна никеля0,1-80 волокна нихрома 80-0,1 алюминиевый сплав остальное

Номер патента: 1457413

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Алексеева, Дзиндзелета, Дугельный, Дьяков, Клещенко, Корюков, Михалев, Постников, Розловский

МПК: C22B 25/02

Метки: олова

1. Способ получения олова, включающий плавку шихты, состоящей из концентрата, извести и углеродистого восстановителя, отличающийся тем, что, с целью сокращения топливно-энергетических затрат и повышения прямого выхода олова в металл, в шихту дополнительно вводят тощий уголь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве углеродистого восстановителя используют смесь коксика и тощего угля в отношении 2,33-0,66.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что тощий уголь догружают после расплавления шихты в количестве 30-80 кг на 1м2 поверхности расплава.

Номер патента: 1061485

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Богданов, Галеев, Дьяков, Лебедев, Макаров, Роднин, Фещенко, Шемякин

МПК: C22B 25/02, C22B 34/20

Метки: концентратов, оловянных, переработки, содержащих, тантал

Способ переработки оловянных концентратов, содержащих тантал, включающий шихтование с восстановителем и последующую электроплавку с получением шлака и введением восстановителя и флюса в расплав перед выпуском шлака, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения тантала в шлак, шихтование осуществляют с введением восстановителя в количестве 0,7-0,9 от теоретически необходимого, а перед выпуском шлака восстановитель вводят в количестве 1,1-1,3 от теоретически необходимого.

Номер патента: 1061486

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Алексеева, Арзамасцев, Галеев, Дьяков, Корюков, Корюкова, Лебедев, Мухин, Небаба, Некрасов, Семенов, Сиволоб, Соловьев, Фомина

МПК: C22B 25/02

Метки: бедного, мелкодисперсного, обжига, оловосодержащего, сырья

1. Способ обжига мелкодисперсного бедного оловосодержащего сырья (ила), включающий нагрев пористой шихты в слабоокислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью обеспечения удаления мышьяка и снижения потерь олова, сырье обжигают в смеси с зернистым серосодержащим концентратом и восстановителем при соотношении серы к мышьяку (1,7-4,1):1 и расходе восстановителя 1-3% от веса сырья.2. Способ по пп.1-4, отличающийся тем, что уголь вводят в шихту, нагретую до 300-500°С.

Номер патента: 1167804

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Городецкий, Дьяков, Краснухина, Сутурин

МПК: B03D 1/002

Метки: касситерита, флотации

Способ флотации касситерита, включающий предварительное кондиционирование с фторсодержащим модификатором, собирателем - смесью 1-оксиалкилиден-1,1-дифосфоновых и жирных кислот, отличающийся тем, что, с целью повышения качества концентрата за счет увеличения избирательности действия модификатора, в кондиционирование дополнительно вводят перекись водорода.

Номер патента: 1167837

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Бакаев, Волошин, Загоровский, Кузей, Чачин, Шалай

МПК: B23K 35/30, C22C 29/00

Метки: волокнистый, композиционный, литой, материал, наплавки

Литой волокнистый композиционный материал для наплавки, содержащий матрицу на основе алюминия, армированную волокнами на основе никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения степени легирования наплавленного металла и увеличения стойкости его против скола при механической обработке, в волокна на основе никеля введен один или несколько легирующих элементов, у которых предел насыщения в алюминии больше, чем у никеля, при следующем соотношении компонентов композиционного материала, мас.%: Волокна из сплава на основе никеля 15-90Матрица из сплава на...

Номер патента: 1582453

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Бакаев, Долголев, Кузей, Тищенко, Чутаев

МПК: B22D 11/00, B22D 19/14, C22C 1/09 ...

Метки: композиционных

Способ изготовления композиционных материалов, включающий протягивание волокон через матричный расплав, перекачиваемый через ванну, сведение волокон в расплаве в пучок и формирование профиля композиционного материала в кристаллизаторе, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности композиционного материала при формировании профиля диаметром более 5 мм, волокна в расплаве сводят в пучок в форме конуса с углом при вершине, равным 40 100°, с образованием внутри конуса зоны, свободной от волокон, с углом при вершине, равным 5 40°.

Номер патента: 1064637

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Арзамасцев, Богданов, Дьяков, Евдокимов, Корюков, Лебедев, Некрасов, Несмелов, Селиванов, Семенов, Сизых, Сухих

МПК: C22B 25/02

Метки: бедного, оловосодержащего, переработки, сырья

1. Способ переработки бедного оловосодержащего сырья, включающий деарсенизирующий обжиг при температуре выше 600°С в присутствии углеродсодержащего восстановителя, восстановительную плавку огарка с получением олова и шлаков, фьюмингование шлаков с сульфидизатором, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь олова, повышения комплексности использования сырья и сокращения выбросов вредных веществ в атмосферу, в качестве сульфидизатора используют сульфидный огарок деарсенизирующего обжига сульфидно-мышьяковистого полупродукта обогащения оловянного сырья.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сульфидный огарок вводят в шихту фьюмингования в количестве, обеспечивающем...

Номер патента: 1840825

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Терехов, Юшина

МПК: H01L 21/00

Метки: электродного

1. Способ получения электродного материала на основе сульфида меди с добавками, основанный на твердофазном синтезе входящих компонентов, отличающийся тем, что, с целью повышения способности материала к интеркаляции, при одновременном увеличении электропроводности и чистоты материала, в качестве добавки используют теллурид и пирофосфат меди, а входящие в состав ингредиенты сплавляют стадийно, с последующей изотермической выдержкой расплава, после чего производят ступенчатое охлаждение.2. Способ получения электродного материала по п.1, отличающийся тем, что вначале сплавляют при 950÷970°C под инертной атмосферой сульфид и теллурид меди, затем вводят в расплав вначале металлическую медь, а после 30-минутной выдержки при...

Номер патента: 1651450

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Азаренко, Бакаев, Кошель, Чутаев

МПК: B23K 20/00

Метки: давлением, заготовка, композиционных, обработкой

Заготовка для изготовления обработкой давлением композиционных материалов, состоящая из волокон и матричного материала, отличающаяся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа, заготовка выполнена в виде уложенных однослойных лент внахлестку в направлении вдоль волокон со сдвигом одна относительно другой на величину, определяемую по формуле где - величина сдвига;L, h и - длина, толщина и относительная пористость однослойной ленты,...

Номер патента: 1243374

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Галеев, Дьяков, Завозин, Никитина, Устинов, Черешнева

МПК: C22B 34/24, C22B 34/36

Метки: вольфрама, извлечения, тантала

Способ извлечения тантала и вольфрама из тантал- и вольфрамсодержащих оловянных концентратов, включающий смешение их с основным флюсом и восстановителем, плавку с получением в шлаке соотношения суммы SiO2, Ta2O 5, WO3, TiO2, Nb2O 5 к сумме CaO и Fe2O3, равного 1:(1-1,2), введение перед выпуском шлака восстановителя и флюса до получения в шлаке соотношения, равного 0,7-1,0, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения тантала и вольфрама, перед и после плавки исходного концентрата проводят дополнительные плавки в той же печи оловянного концентрата с содержанием тантала...

Номер патента: 505248

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий

МПК: H05B 33/02

Метки: гетероструктура

1. Гетероструктура с p-n-переходом, в которой суперинжекция и излучательная рекомбинация носителей осуществляются в узкозонном слое, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности гетероструктуры и стабилизации ее излучательных параметров, область излучательной рекомбинации отделена от области объемного заряда p-n-перехода слоем с переменной шириной запрещенной зоны такой толщины, что время переноса инжектированных носителей через него меньше времени жизни носителей.2. Гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения ее эффективности при одновременном уменьшении рабочих токов, область излучательной рекомбинации выполнена в виде потенциальной ямы, размеры...

Номер патента: 1387821

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная

Излучательная многопроходная гетероструктура, содержащая излучающий слой, к которому с одной стороны примыкает широкозонный слой, а со стороны, противоположной широкозонному слою, - дополнительный узкозонный слой с шириной запрещенной зоны меньше, чем в излучающем слое, минимальная толщина которого - порядка или больше обратной величины коэффициента поглощения излучения, возникающего в излучающем слое, при этом разница ширин запрещенных зон между дополнительным и излучающим слоями связана с параметрами слоев соотношением где А - параметр с...

Номер патента: 1445483

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Зубков, Самусь

МПК: H01L 39/22

Метки: регистр, сверхпроводниковый, сдвига

Сверхпроводниковый регистр сдвига, содержащий подложку, на поверхности которой расположены основные сверхпроводящие электроды, соединенные друг с другом посредством основных двухконтактных интерферометров, образующих основную периодическую структуру ячеек, и основную шину управления, индуктивно связанную с указанными ячейками, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей регистра сдвига за счет обеспечения возможности обработки информации при ее передвижении, он содержит дополнительные сверхпроводящие электроды, соединенные дополнительными двухконтактными интерферометрами, образующими дополнительную периодическую структуру ячеек, дополнительную шину управления,...

Номер патента: 1208986

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Махов, Самусь, Тябликов

МПК: H01L 39/22

Метки: логический, пленочный, сверхпроводниковый, элемент

Сверхпроводниковый пленочный логический элемент, содержащий экран, два изолированных от него сверхпроводящих электрода, расположенные над ними и соединенные распределенным джозефсоновским контактом, подводящие шины, подсоединенные к средней части электродов, и по крайней мере одну управляющую шину, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления и расширения функциональных возможностей логического элемента путем увеличения коэффициента усиления, каждый электрод выполнен в виде сплошной пластины, подводящие шины подсоединены к средней части участков, образующих джозефсоновский контакт, а шины управления расположены над остальной частью пластины.

Номер патента: 1391391

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Махов, Никифоров, Полунин

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсоновского, мостикового, перехода

Способ изготовления джозефсоновского мостикового перехода, содержащего два сверхпроводящих электрода, разделенных зазором, включающий последовательное нанесение на несверхпроводящую подложку первой пленки сверхпроводящего материала и пленки маскирующего материала, формирование контактной маски, формирование ионным травлением первого сверхпроводящего электрода, формирование на его торце буферного диэлектрического слоя, определяющего размер зазора между электродами, нанесение второй пленки сверхпроводящего материала, формирование в ней второго сверхпроводящего электрода, удаление контактной маски, нанесение пленки материала перемычки и формирование перемычки между электродами в области...

Номер патента: 1570580

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Махов

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсоновского, непосредственной, перехода, проводимостью

Способ изготовления джозефсоновского перехода с непосредственной проводимостью, включающий последовательное нанесение на подложку в едином вакуумном цикле сверхпроводящей пленки нижнего электрода, аморфной полупроводниковой пленки, легирование ее до вырождения на всю толщину атомами материала верхнего электрода, нанесение сверхпроводящей пленки верхнего электрода и формирование площади перехода методами тонкопленочной литографии, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров переходов, нанесение аморфной полупроводниковой пленки осуществляют в режимах, обеспечивающих относительную атомную плотность материала пленки не менее 5%, а нанесение сверхпроводящей пленки...

Номер патента: 820559

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Рябоштан, Садовой, Сидорова

МПК: H01L 33/00

Метки: variant, излучательный, полевым, управлением, элемент

1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя противоположного с эмиттерным слоем типа проводимости с гетеропереходом внутри слоя, причем внешняя часть указанного слоя - более широкозонная, чем прилегающая к...

Номер патента: 699926

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Кононов, Лаврищев, Маслобоев, Михеев, Полторацкий, Шокин

МПК: G02B 6/00, G02B 6/12

Метки: интегральной, оптики, элемент

Элемент интегральной оптики, волноводные области которого ограничены с двух противоположных сторон слоями структуры, а с двух других сторон - областями с меньшим показателем преломления, отличающийся тем, что, с целью улучшения волноводных свойств элемента при одновременном создании его сложной конфигурации на глубине до 50 мкм, области с меньшим показателем преломления выполнены из собственного термического окисла полупроводникового материала.

Номер патента: 1157994

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01L 33/00, H01S 3/19

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации и дополнительный слой, примыкающий к одной из ее сторон, расположенные между широкозонными слоями, причем ширина запрещенной зоны дополнительного слоя меньше ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, минимальная толщина указанного слоя не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области изучательной рекомбинации, а максимальная - не больше диффузионной длины неосновных носителей в этом слое, отличающаяся тем, что, с целью увеличения яркости свечения на торцевых гранях структуры, между другой стороной области излучательной рекомбинации и...

Номер патента: 1277842

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Дмитриев, Елкин, Казаков, Полторацкий, Семеников, Хитько, Шелюхин

МПК: H01L 21/46

Метки: диодных, матриц

Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими шинами и формирование в толстом слое структуры канавок между проводящими шинами, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления матриц, проводящие шины на поверхности более тонкого слоя структуры выполняют из пластичного металла, а после выполнения канавок в более толстом слое структуры ее...

Номер патента: 644301

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий, Сидоров, Тютюнов

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию неосновных носителей, с, по крайней мере, одним участком с увеличивающейся к p-n-переходу шириной запрещенной зоны толщиной, большей обратной величины коэффициента поглощения для излучения светодиода и не превышающей нескольких диффузионных длин неосновных носителей.2. Светодиод по п.1, отличающийся...

Номер патента: 1163777

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура, содержащая излучательный узкозонный слой, расположенный между двумя широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью снижения пороговой плотности тока лазерного излучения и увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в излучательном слое, толщина дополнительного слоя по крайней мере в два раза меньше толщины излучательного слоя и меньше обратной величины коэффициента поглощения квантов света, возникающих в излучательном слое, а разница ширин запрещенных зон

Номер патента: 1165211

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01S 3/18

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая узкозонную область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью понижения пороговой плотности тока накачки, между упомянутыми широкозонными слоями введены, по крайней мере, два дополнительных слоя с разными ширинами запрещенной зоны, меньшими ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, а суммарная толщина дополнительных слоев не менее обратной величины меньшего коэффициента поглощения в них излучения из области излучательной рекомбинации, но не более диффузионной длины неосновных носителей в этих слоях, толщина наиболее узкозонного...

Номер патента: 1111645

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева

МПК: H01L 33/00, H01S 3/19

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная

Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в области излучательной рекомбинации по крайней мере на десятую долю КТ, минимальная толщина которого по крайней мере не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области излучательной рекомбинации, а максимальная по...

Номер патента: 1544124

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Гудков

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсоновский, непосредственной, переход, проводимостью

1. Джозефсоновский переход с непосредственной проводимостью, содержащий сверхпроводящие электроды, соединенные прослойкой из аморфного полупроводника, легированного примесью до вырождения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров перехода, в качестве легирующей примеси использованы кластеры из сверхпроводящего материала.2. Джозефсоновский переход с непосредственной проводимостью по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров переходов, кластеры имеют размеры, не превышающие 0,1 , где - длина...

Номер патента: 1840826

Опубликовано: 27.07.2012

Авторы: Барабошкин, Гниломедов, Злоказов, Калиев, Селеменев

МПК: C25B 1/00

Метки: бронз, вольфрамовых, кислородных, электролит

Электролит для получения кислородных вольфрамовых бронз, включающий оксид натрия и триоксид вольфрама, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени разряда кислородных вольфрамовых бронз, он дополнительно содержит триоксид молибдена при следующем соотношении ингредиентов, мол.%: оксид натрия7,5-17,5 триоксид вольфрама 20,0-89,5 триоксид молибдена 0,5-64,0