Архив за 2012 год

Номер патента: 1840824

Опубликовано: 27.05.2012

Автор: Варгин

МПК: G01S 17/00, G01S 17/02

Метки: объектов, пространственной, формы

Способ определения пространственной формы объектов, включающий импульсный подсвет объекта, разделение отраженного излучения на два пучка и регистрацию изображения объекта в каждом пучке, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности по дальности, модулируют интенсивность излучения одного из пучков в процессе регистрации изображения объекта и определяют форму объекта по известному закону модуляции и полученным распределениям освещенности в обоих изображениях.

Номер патента: 1066443

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Вейник, Присекин, Степанков

МПК: H05B 7/22, H05H 1/34

Метки: плазмотрон, электродуговой

Электродуговой плазмотрон, содержащий корпус, внутри которого по продольной оси установлены снабженный возвратной пружиной катододержатель с закрепленным в нем большим основанием катодом переменного профиля, и сопло переменного сечения, выполненное в виде обращенного к катоду большим основанием усеченного конического участка, переходящего в цилиндрический, отличающийся тем, что, с целью продления срока его службы, в коническом участке сопла установлена графитовая вставка с равномерно расположенными по ее поверхности радиальными канавками, а катод в продольном сечении выполнен составным из сопряженных дугообразной поверхностью конического и цилиндрического участков, причем конусность...

Номер патента: 1358653

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Гурский, Жебин, Зеленин, Шишмолин

МПК: H01C 17/00, H01C 3/00

Метки: пленочных, резисторов

Способ изготовления пленочных резисторов, включающий нанесение резистивной пленки на диэлектрическое основание, термическую обработку, формирование контактов, подгонку сопротивления и импульсную токовую тренировку, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров, термическую обработку диэлектрического основания с нанесенной резистивной пленкой проводят при температуре на 30-50 K ниже температуры начала рекристаллизации резистивной пленки в течение 40-60 мин, а импульсную токовую тренировку осуществляют перед подгонкой сопротивления импульсами длительностью 10 -5 - 5·10-4 с, причем амплитуду каждого последующего импульса увеличивают на 3-5 В и...

Номер патента: 1025287

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Гурский, Зеленин, Кисляк, Конюшенко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количестве 0,1-0,5 вес.% и после присоединения вывода контакты обрабатывают в среде водорода при температуре 623-723 K в течение 0,25-4,0 ч.

Номер патента: 1542342

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Батраков, Герасимчик, Зеленин, Лытко, Попов, Сенько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, кмдп, межкомпонентной, схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспроизводимости указанных параметров за счет снижения дефектности подложки в охранных областях и снижения уровня механических напряжений в подложке, p+ охранные области формируют до формирования нитридной маски, а после удаления нитридной маски структуры дополнительно...

Номер патента: 1186030

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярного, кремниевого, планарного, создания, транзистора

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база - коллектор, легирование проводят ионами фосфора в слой окисла на глубину проецированного пробега, равную 0,6-0,8 толщины слоя, дозой 1012 - 1015 см -2, а отжиг проводят при температуре 573-723 K в течение 6·102 - 3,5·103 с.

Номер патента: 1371456

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Буляк, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, оксида, слоев, создания, тонких

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в...

Номер патента: 1313327

Опубликовано: 20.06.2012

Автор: Присекин

МПК: H05B 7/22, H05H 1/34

Метки: плазмотрон, электродуговой

Электродуговой плазмотрон, содержащий соосно установленные катододержатель с катодом, выходное сопло-анод, межэлектродный изолятор, в котором выполнены продольные каналы, соединяющие патрубок подачи плазмообразующего газа с рязрядной камерой, и элемент поджига дуги, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности поджига, сопло-анод со стороны катода снабжено электропроводящим кольцевым выступом, внутренний диаметр которого равен внутреннему диаметру сопла-анода, охватывающая выступ внутренняя поверхность изолятора выполнена в виде расширяющегося к катододержателю конуса, а элемент поджига выполнен в виде кольца с радиальными канавками на торцах, установленного в зазоре между...

Номер патента: 1258299

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Бондаренко, Вейник, Поболь, Присекин, Соколов, Степанков, Хлибко

МПК: H05B 1/24, H05B 7/22

Метки: плазмотрон, электродуговой

1. Электродуговой плазмотрон, содержащий корпус, внутри которого по оси установлены выходное сопло и катод с катододержателем, узел центровки катода, расположенный в зазоре между катододержателем и корпусом, изолированный от последнего изоляционной втулкой и снабженный пружинным элементом, и связанный с узлом центровки регулятор положения катода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности плазмотрона путем увеличения срока службы сопла, пружинный элемент выполнен в виде лепестковой пружины, зафиксированной концами лепестков в кольцевых канавках, выполненных на катододержателе. 2. Плазмотрон по п.1, отличающийся тем, что регулятор положения катода выполнен в виде...

Номер патента: 1202481

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Кривонос, Смирнов

МПК: H03K 3/53

Метки: генератора, импульсных, модуль, токов

Модуль генератора импульсных токов, содержащий два параллельно соединенных ионных коммутатора, между анодами которых включен балансный дроссель, средняя точка которого подключена через резистор к зарядному блоку, последовательно соединенные конденсатор, подключенный к обоим ионным коммутаторам, и нагрузку, соединенную с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности в работе, конденсатор подключен к средней точке балансного дросселя, выполненного в виде витка из изолированных плоских шин, собранных в пакет, причем шины, включенные между первым ионным коммутатором и конденсатором, расположены между шинами, включенными между вторым ионным коммутатором и...

Номер патента: 1443466

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Бушик, Гордиенко, Ивашко

МПК: C23C 12/00, C23C 26/00

Метки: лазерного, легирования, поверхностного, состав, сплавов, титановых

Состав для поверхностного лазерного легирования титановых сплавов, включающий бор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности за счет снижения шероховатости при сохранении твердости поверхностного слоя, он дополнительно содержит кремний при следующем соотношении компонентов, мас.%: Кремний5-50 Бор Остальное

Номер патента: 1207180

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Бодяко, Брун, Гордиенко, Журин, Ивашко, Федотов

МПК: C22F 1/18

Метки: двухфазных, листовых, полуфабрикатов, сплавов, термообработки, титановых

Способ термообработки листовых полуфабрикатов из двухфазных титановых сплавов, включающий нагрев со скоростью не менее 1°С/с до температуры, лежащей в интервале: температура полиморфного превращения - температура, на 100°С ниже нее, и последующее охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения технологической пластичности и снижения поводок полуфабрикатов, охлаждение в интервале температур, лежащих между температурой полиморфного превращения и 500°С, проводят со скоростью 0,5-3°С/с.

Номер патента: 1268001

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Канищев, Куксо, Петрунина, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, мдп, схем

Способ изготовления МДП интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации в две стадии путем нанесения тонкого слоя металлизации и слоя металлизации до требуемой толщины методом магнетронного распыления, формирование рисунка элементов металлизации с помощью литографии и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа изготовления и улучшения электрофизических характеристик МДП интегральных схем, нанесение слоя металлизации на первой стадии осуществляют методом магнетронного распыления при температуре подложки от 453 до 493 K, плотности мощности разряда...

Номер патента: 1099782

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Канищев, Костенко, Куксо, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, окисления, пластин

Способ окисления пластин кремния, включающий нагрев пластин до температуры окисления (900-1150)°С, выдержку при этой температуре в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества окисла путем снижения количества микропор на границе кремний - окисел, выдержку предварительно осуществляют при давлении (10-4-10-6) мм рт.ст. в течение (1-2) мин, а затем при давлении (101 -10-4) мм рт.ст. до получения слоя окисла толщиной (20-25) нм.

Номер патента: 1331364

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/283

Метки: интегральных, металлизации, схем, элементов

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 -2 - 1·10-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при...

Номер патента: 525361

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Бодяко, Брун, Гордиенко, Елагина, Ивашко

МПК: G01N 25/02

Метки: полиморфного, превращения, сплавах, температуры, титановых

Способ определения температуры полиморфного превращения в - и + - титановых сплавах путем нагрева образца и последующего охлаждения с одновременной регистрацией изменения температуры во времени, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, образец циклически нагревают до температур на 10-30°С ниже минимально возможной температуры полиморфного превращения с возрастанием от цикла к циклу на 5-10°С и охлаждением после каждого цикла нагрева на 30-50°С ниже точки...

Номер патента: 1628561

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Астапчик, Хатько

МПК: C23C 14/28

Метки: нитридных, покрытий, формирования

Способ формирования нитридных покрытий, включающий воздействие импульсного лазерного излучения на поверхность подложки в азотсодержащей среде при длительности лазерного импульса 10 -3-10-6 с и плотности мощности лазерного излучения 2·106 - 1010 Вт/см2, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа, в качестве азотсодержащей среды используют слой жидкости азота, сформированного на поверхности подложки, причем толщину слоя жидкого азота выбирают в интервале (2-5)D, где D - диаметр лазерного пятна на поверхности, равной 0,5-1,5 мм.

Номер патента: 1683449

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, шоттки

Способ изготовления контактов Шоттки, включающий нанесение на полупроводниковую подложку с высокоомным эпитаксиальным слоем пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава и дополнительной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет снижения токов утечки и повышения термополевой стабильности, нанесение пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава осуществляют ионно-лучевым методом в два этапа, причем на первом этапе наносят слой толщиной 25-35 нм при плотности мощности разряда 5-7×104Вт/м2, а на втором этапе доращивают слой до 60-90 нм при плотности мощности разряда (1,0-1,5)·105...

Номер патента: 1575841

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Домород, Крищенко, Петрашкевич, Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/324

Метки: моп-структур

Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диффузионное легирование полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик МОП-структур за счет снижения дефектности и повышения зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика, после осаждения подслоя аморфного кремния проводят отжиг в остаточной атмосфере при...

Номер патента: 1223789

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: моп-структур, создания

Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H2-O2 или H2-O2 -HCl, содержащую 1-4% HCl.

Номер патента: 1163765

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Войтик, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, омических

Способ изготовления омических контактов, включающий легирование кремниевой подложки для создания мелкозалегающего p-n-перехода, нанесение барьерного слоя переходного металла, облучение его потоком ионов, нанесение токопроводящего слоя, термообработку в вакууме при температуре 673-1073 K, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, легирование кремния проводят до получения поверхностной концентрации 8·10 23 - 8·1024 м-3, а в качестве барьерного слоя используют пленку тантала или вольфрама.

Номер патента: 1225438

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Канищев, Куксо, Пекуров, Румак, Тишкевич

МПК: H01L 29/784

Метки: полевой, транзистор

Полевой транзистор с изолированным затвором, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой сформированы области стока и истока второго типа проводимости, затвор, подзатворный диэлектрик, к которому сформированы два контакта, расположенные по обе стороны от затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования сопротивления и повышения стабильности, в подзатворном диэлектрике сформирована дополнительная область, примыкающая к двум контактам и содержащая катионные примеси концентрацией 1011 - 10-3 см-3, отношение толщины дополнительной области к толщине подзатворного диэлектрика составляет 0,2-0,5, при этом...

Номер патента: 1282767

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания

Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O 2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.

Номер патента: 917417

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Азаренко, Бакаев, Тищенко, Чутаев

МПК: B22F 5/00, C22C 1/09

Метки: заготовка, композиционных

1. Заготовка для изготовления композиционных материалов, содержащая внешнюю и внутреннюю оболочки и волокнистый наполнитель в полости между ними, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности, наполнитель выполнен в виде сопряженных профилей. 2. Заготовка по п.1, отличающаяся тем, что оболочки выполнены из фольги.3. Заготовка по пп.1, 2, отличающаяся тем, что сопряженные профили разделены фольгой.

Номер патента: 1233731

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисление проводят до получения электронографически аморфного окисного слоя толщиной, определяемой из соотношений для подложек кремния n-типа проводимости с ориентацией (100)и(2+0,25)·

Номер патента: 1292601

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский, Симонов

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

Установка ионного легирования, включающая последовательно расположенные в вакуумной камере источник многозарядных ионов, масс-сепаратор, состоящий из магнита с полюсами, выполненными в форме секторов в плоскости, перпендикулярной магнитным силовым линиям, и расположенного между полюсами и повторяющего их форму в той же плоскости ионопровода, ускорительную трубу и подложкодержатель, отличающаяся тем, что, с целью увеличения производительности и возможности регулирования профиля концентрации внедренных ионов, каждый из секторов выполнен из n частей в форме полукольца и расположенных внутри него четвертьколец, изготовленных из однородных магнитных материалов, средние радиусы полукольца и...

Номер патента: 1292627

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Петрунина, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: моп-интегральных, схем

1. Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации на основе алюминия и кремния, формирование элементов металлизации и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров, в слой металлизации дополнительно вводят фосфор при следующем соотношении компонентов, мас.%: Фосфор6·10 -6 - 4·10-2 Кремний10-15

Номер патента: 1356895

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Корешков, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук

МПК: H01L 21/316

Метки: изоляции, интегральных, мдп, межкомпонентной, схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путем повышения зарядовой стабильности изоляции, перед локальным окислением проводят отжиг в диапазоне температур окисления в атмосфере химически инертного газа в течение 10-60 мин, а локальное окисление осуществляют в два этапа предварительным формированием подслоя двуокиси кремния, последовательной...

Номер патента: 1240295

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Алиев, Малышев, Плотников, Румак, Хатько, Яковлев, Ясников

МПК: H01L 21/82

Метки: моп-структур, радиационно-стойких, создания

Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающий формирование подзатворного диэлектрика на пластинах кремния, полевого электрода и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости структур, отжиг проводят в атмосфере аргона после формирования подзатворного диэлектрика в одном из диапазонов температур 590-630°С, 680-720°С, 840-880°С в течение 3-120 мин.

Номер патента: 1603789

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Бобрышев, Буданов, Дьяков, Дьякова, Клещенко, Коненкина, Кулиев, Михалев, Петухова, Розловский

МПК: C22B 7/04

Метки: оловосодержащих, фьюмингования, шлаков

Способ фьюмингования оловосодержащих шлаков, включающий продувку расплава восстановительно-воздушной смесью с подачей серного колчедана и кокса, отбор проб шлака и анализ их на содержание олова, выпуск шлака при достижении заданной остаточной концентрации олова в нем, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса, момент начала выпуска шлака определяют по уравнению где Тк - момент прогнозируемого выпуска шлака, мин;0,1 - заданная величина кондиции на содержание олова в шлаке, допустимое к выпуску, мас.%; А - коэффициент, зависящий от объема и состава...