Архив за 2012 год

Номер патента: 897048

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Калиновченко, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/331

Метки: свч-транзисторов

Способ изготовления СВЧ-транзисторов, включающий выращивание эпитаксиального n-слоя на n+-кремниевой подложке, формирование метки, термическое окисление, маскирование и фотолитографию, формирование пьедестала коллектора путем нагревания и бомбардировки протонами, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров и увеличения процента выхода годных, эпитаксиальный слой выращивают первоначально толщиной, равной высоте пьедестала коллектора, а после протонной бомбардировки эпитаксиальный слой доращивают до требуемой толщины.

Номер патента: 814175

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Владыченко, Данилов, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/311

Метки: диэлектрической, изоляции, полупроводниковых, приборов, создания, элементов

Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов, включающий нанесение слоя нитрида кремния на кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем, вскрытие в нем окон под контакты, травление кремния и локальное окисление, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, окна в нитриде кремния травят в виде узких полос шириной 0,5-1,5 мкм с отношением ширины полосы к расстоянию между ними, равным 0,56:0,44, а травление кремния в окнах проводят на глубину, большую, чем их ширина.

Номер патента: 818372

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Игнатенко, Радионов, Снитовский

МПК: H01L 21/18

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий выращивание высокоомной монокристаллической эпитаксиальной пленки n-типа проводимости на низкоомной кремниевой подложке n+-типа проводимости, создание на поверхности эпитаксиальной пленки р-слоя и формирование в нем охранного кольца, вытравление канавок на глубину большую, чем глубина р-слоя, термическое окисление пластины, вскрытие в окисле контактного окна, формирование металлического электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлизации путем улучшения планарности поверхности и снижения величины времени восстановления обратного сопротивления диода Шоттки путем уменьшения площади р-n перехода, на поверхности...

Номер патента: 1828333

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Матюшевский, Снитовский

МПК: H01L 21/33

Метки: транзисторов

Способ изготовления транзисторов, включающий формирование пленки оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, легирование области охранного кольца, вскрытие в пленке оксида кремния окна под базовую область, выращивание на вскрытой поверхности подложки пленки термического оксида кремния, вскрытие в ней эмиттерных окон, легирование базовой области путем ионного внедрения примеси в кремниевую подложку через пленку термического оксида и в ее эмиттерные окна, диффузионный отжиг базовой примеси, легирование эмиттерных областей, диффузионный отжиг эмиттерной примеси, вскрытие контактных окон и создание разводки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет сокращения...

Номер патента: 1786963

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Воробьев, Коршунов, Кульгачев, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/22

Метки: нанесения, подложку, покрытия, полиимидного

Способ нанесения полиимидного покрытия на подложку, включающий обработку подложки и формирование слоя полиимидной смолы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытия, обработку подложки осуществляют в плазме, содержащей ионы фтора, в течение 1-100 с, а перед формированием слоя полиимидной смолы подложку выдерживают в атмосфере, содержащей аммиак в течение 1-1000 с.

Номер патента: 1584641

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Кабаков, Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с толщиной каждого отдельного слоя 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя осаждение и отжиг, а отжиг каждого последующего слоя проводят при давлении не более 13,3 Па, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемых пленок поликристаллического кремния путем подавления...

Номер патента: 1644686

Опубликовано: 20.03.2012

Автор: Бохан

МПК: H01J 63/00

Метки: газоразрядное, импульсов, нагрузке, формирования

1. Газоразрядное устройство для формирования импульсов тока и напряжения на нагрузке, содержащее газонаполненный герметичный корпус с размещенными в нем анодом и катодом, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости изменения тока и напряжения в области их максимальных значений, катод выполнен в виде обечайки, охватывающей разрядную область, а анод - в виде сетки с поверхностью, эквидистантной внутренней поверхности катода, в качестве рабочего газа использована смесь, содержащая гелий, неон или азот, при этом расстояние между анодом и катодом превышает характерный размер ячеек сетки-анода, диаметр анода превышает расстояние между анодом и катодом не менее чем в 10 раз, а давление...

Номер патента: 1588202

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Лесникова, Семенов, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку слоя аморфного кремния при 560-580°С при давлении 33,7-66,5 Па из парогазовой смеси, содержащей моносилан и фосфин при соотношении ингредиентов в смеси 0,0008-0,007, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемой пленки путем снижения уровня механических напряжений, перед осаждением аморфного слоя на подложку наносят подслой поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при температуре осаждения аморфного слоя пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па.

Номер патента: 782616

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Снитовский

МПК: H01L 21/30

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий создание окон к активным областям, напыление слоя металла на всю поверхность пластины и фотолитографический процесс формирования рисунка металлизации с использованием фотошаблона, содержащего эмиттерные и базовые дорожки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины эмиттерных дорожек при большой толщине напыленного слоя металла, после напыления металла проводят дополнительный фотолитографический процесс с использованием вспомогательного фотошаблона, содержащего только эмиттерные дорожки, ширина которых равна 1,4-1,6 ширины эмиттерных дорожек основного фотошаблона, и травление металла в этом процессе ведут на глубину 0,4-0,6...

Номер патента: 1292628

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Принцев, Снитовский, Шепурёв

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремнию, омических, формирования

Способ формирования омических контактов к кремнию, включающий нанесение молибдена на поверхность кремниевой подложки катодным распылением в тлеющем разряде в газовой среде, содержащей трехфтористый бор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества контактов и повышения производительности способа, катодное распыление осуществляют в газовой среде состава, об.%: Водород15-30 Трехфтористый борОстальное при давлении 5·10 -2-8·10-2 Па и плотности мощности разряда...

Номер патента: 786715

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Бобков, Гурский, Костенко, Румак, Сергеев, Снитовский

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, полупроводниковых

1. Способ обработки полупроводниковых пластин, включающий погружение пластин в ванну с рабочей жидкостью и пропускание через нее газа, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и качества обработки пластин, к пластинам прикладывают низкочастотные колебания и сообщают им вращение в горизонтальной и возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости, перед пропусканием через рабочую жидкость газ нагревают до температуры ее кипения, затем после полной десорбции примесей с пластин вытесняют рабочую жидкость потоком воды и продолжают ее подачу до полной отмывки пластин, после чего повышают давление газа для вытеснения воды и производят его подачу до...

Номер патента: 1241938

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/283

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение молибдена, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контакта путем снижения контактного сопротивления, перед обработкой в плавиковой кислоте дополнительно проводят обработку в перекисно-аммиачном растворе, после чего пластину выдерживают 30-50 мин в вакууме от 4·10-3 до 1·10-4 Па при 220-350°С и повторно обрабатывают в перекисно-аммиачном растворе.

Номер патента: 1597019

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Лесникова, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 30-50 нм пиролитическим разложением моносилана при температуре 550-600°С, последующее доращивание подслоя до получения пленки поликристаллического кремния при температуре 600-650°С до заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем снижения в них уровня механических напряжений при одновременном снижении трудоемкости, подслой осаждают при давлении 2,66-13,3 Па.

Номер патента: 1091601

Опубликовано: 20.04.2012

Авторы: Будник, Дугельный, Дьяков, Зарубицкий, Захарченко, Корюков, Никитина, Новопашин, Семенов, Соловьев, Сутурин

МПК: C25C 3/34

Метки: разделения, свинцово-висмутовых, сплавов, электролит

Электролит для разделения свинцово-висмутовых сплавов, содержащий едкий натр, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения висмута в целевой продукт, электролит дополнительно содержит ортосиликат натрия при следующем соотношении компонентов, мас.%: ортосиликат натрия 0,15-0,25 едкий натростальное

Номер патента: 1568581

Опубликовано: 20.04.2012

Авторы: Галкин, Гречина, Дугельный, Дьяков, Зарубицкий, Мелехин, Новопашин, Омельчук, Подафа, Чихачева

МПК: C25D 3/58

Метки: индий, медь, осаждения, сплава, электролит

Электролит для осаждения сплава медь - индий, содержащий сульфаты меди и индия и битартрат натрия, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода по току, повышения декоративных свойств покрытий за счет снижения скорости потускнения, он дополнительно содержит гликокол и гидроксид натрия при молярном соотношении битартрата натрия и сульфата меди 10-15:1 и следующем содержании компонентов, г/л: Сульфат меди5-8 Сульфат индия 2,5-5 Битартрат натрия 40-60

Номер патента: 1394748

Опубликовано: 20.04.2012

Авторы: Будник, Горбач, Дугельный, Дьяков, Зарубицкий, Мелехин, Омельчук, Сутурин

МПК: C25C 3/34, C25C 7/00

Метки: металлов, расплавов, тяжелых, цветных, электролизер

1. Электролизер для получения тяжелых цветных металлов из расплавов, содержащий ванну с бортами, катодную емкость, анодную емкость из пористого диэлектрика, установленную днищем на опоре, и токоподводы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода металла по току, опора выполнена в виде балок, укрепленных в ванне горизонтально на одном уровне с зазором относительно друг другу, ванна выполнена с выступами на бортах и вертикальными пазами в выступах для крепления балок, а анодная емкость закреплена на бортах ванны.2. Электролизер по п.1, отличающийся тем, что суммарная ширина балок составляет 15-20% от длины борта ванны, на котором крепятся опорные балки.3. Электролизер по...

Номер патента: 1457418

Опубликовано: 20.04.2012

Авторы: Дугельный, Дьяков, Зарубицкий, Корюков, Мелехин, Омельчук, Петухова, Яковлев

МПК: C22B 58/00

Метки: извлечения, индия, отходов, свинцово-индиевых

Способ извлечения индия из свинцово-индиевых отходов электролизом в расплаве на основе хлоридов цинка и индия, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения индия, электролиз осуществляют с введением в исходный продукт олова или олово-индиевого сплава до достижения соотношения олова и свинца 0,07-0,15.

Номер патента: 1520901

Опубликовано: 20.04.2012

Авторы: Галкин, Гречина, Дугельный, Дьяков, Зарубицкий, Мелехин, Новопашин, Омельчук, Подафа, Чихачева

МПК: C25D 3/58

Метки: бронзирования, электролит

Электролит бронзирования, содержащий сульфат меди, сульфат олова, минеральную кислоту и желатин, отличающийся тем, что, с целью повышения коррозионной стойкости и декоративных свойств покрытий, он дополнительно содержит сульфат индия и сульфат гуанидиния, а в качестве минеральной кислоты - серную при следующем соотношении компонентов, г/л: Сульфат меди2,5-15 Сульфат олова 4-25 Сульфат индия5-25 Сульфат гуанидиния

Номер патента: 1840823

Опубликовано: 20.04.2012

Авторы: Кондратьев, Степанов

МПК: B64D 17/02

Метки: парашют

Парашют, содержащий лопастный купол и стропы, закрепленные на нижних кромках лопастей купола, отличающийся тем, что, с целью повышения аэродинамического сопротивления парашюта, в нем нижняя кромка каждой лопасти купола выполнена в виде выпуклой ломаной линии с центральным и двумя симметричными относительно продольной оси лопасти боковыми участками, причем ближайшие к продольной оси лопасти стропы закреплены на концах центрального участка нижней кромки, а расстояние между центральным участком и линией, проходящей через общие точки боковых участков нижней кромки и боковых кромок лопасти, составляет 0,09-0,12 ширины лопасти.

Номер патента: 786369

Опубликовано: 20.04.2012

Авторы: Будник, Волков, Глушков, Горбач, Делимарский, Дьяков, Зарубицкий, Корюков, Мальцев, Мелехин, Омельчук, Семенов, Сутурин, Яковлев

МПК: C22B 58/00, C25C 3/00

Метки: индия, рафинирования, электролит

Электролит для рафинирования индия, содержащий хлорид индия, хлорид аммония и хлорид цинка, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты индия, он дополнительно содержит хлорид лития при следующем соотношении компонентов, мас.%: хлорид индия30-55 хлорид аммония 3-10 хлорид лития2-5 хлорид цинка остальное

Номер патента: 1072489

Опубликовано: 20.04.2012

Авторы: Будник, Горбач, Дьяков, Зарубицкий, Корюков, Мелехин, Омельчук, Семенов, Соловьев, Яковлев

МПК: C22B 58/00, C25C 7/00

Метки: легкоплавких, металлов, электролизер

1. Электролизер для получения легкоплавких металлов, например индия, включающий ванну с размещенными в ней соосно сверху вниз цилиндрическими емкостями анода, биполярного электрода и катода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности эксплуатации и улучшения показателей электролизера, биполярный электрод выполнен в виде усеченной емкости, основание которой расположено под углом 80-83° к оси цилиндра и выполнено из углеграфитовой ткани, а расстояния по оси между днищами анодной камеры и емкости биполярного электрода, биполярного электрода и катода относятся как 1 : (5:6,5).2. Электролизер по п.1, отличающийся тем, что основание емкости выполнено из углеграфитовой...

Номер патента: 1376353

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Бабиченко, Волочко, Ситник, Стрикелев, Царев, Челышев

МПК: B22F 1/00, B22F 3/14, B22F 3/16 ...

Метки: алюминий-медь-магниевого, сплава

Способ изготовления изделий из алюминий-медь-магниевого сплава, включающий смешивание порошка дуралюминиевого сплава и порошка сплава с температурой плавлений ниже температуры плавления дуралюминиевого сплава и прессование, отличающийся тем, что, с целью повышения механических свойств изделий, в качестве порошка сплава с температурой плавления ниже температуры плавления дуралюминиевого сплава используют порошок эвтектического сплава алюминий-медь-магний-кремний при следующем соотношении компонентов, мас.%: Медь13,5-14,0 Магний...

Номер патента: 1716812

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Бельчин, Вершина, Изотова, Мрочек, Пителько

МПК: C23C 14/02, C23C 14/34

Метки: защитно-декоративных, нанесения, покрытий

Способ нанесения защитно-декоративных покрытий, включающий предварительную подготовку поверхности металлических изделий, электродуговое распыление в вакууме и осаждение покрытия из сепарированного от макрочастиц потока плазмы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытий за счет увеличения их защитной способности путем снижения пористости при сохранении высокой производительности, предварительную подготовку осуществляют формированием на поверхности изделий рельефа с шероховатостью Rq=0,1-0,25 мкм, а покрытие осаждают толщиной 0,3-0,5 мкм.

Номер патента: 1319420

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Астапчик, Бурский, Волочко, Ласковнев, Царев, Челышев

МПК: B22F 1/00, B22F 3/20

Метки: алюминиевых, порошков, сплавов

Способ изготовления изделий из порошков алюминиевых сплавов, включающий приготовление шихты, прессование и горячее экструдирование при 320-450°С, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности и пластичности, при приготовлении шихты в нее вводят треххлористый фосфор в количестве 0,1-1,2 мас.%.

Номер патента: 1091422

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Алифанов, Захаревич, Клименков, Лысов, Макушок, Челышев

МПК: B21J 5/00

Метки: коллекторов, машин, штамп, электрических

Штамп для изготовления коллекторов электрических машин, содержащий контейнер, подвижный в осевом направлении и снабженный силовым буфером, матрицу и пуансон, отличающийся тем, что, с целью повышения качества, рабочая часть пуансона снабжена зубчатой оправкой, а в отверстии матрицы соосно пуансону установлена втулка, подвижная в осевом направлении с диаметром, соответствующим наружному диаметру выступов оправки.

Номер патента: 1001776

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Алифанов, Захаревич, Калиновская, Лысов, Макушок

МПК: G01N 3/56

Метки: оценки, свойств, смазок, технологических

Способ оценки технологических свойств смазок, заключающийся в том, что наносят смазку на поверхность заготовки, деформируют ее, а смазку оценивают по шероховатости поверхности заготовки после деформирования, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, деформируют заготовку без смазки до появления на поверхности следов задира, регистрируют среднюю высоту шероховатостей поверхности заготовки, деформированной без смазки и со смазкой, а технологические свойства смазки оценивают из условия где Ro и R - средняя высота шероховатостей поверхности заготовки, деформированной до появления задира...

Номер патента: 1674574

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Волочко, Прокопов, Царев

МПК: C22C 1/04

Метки: алюминиевых, композиционных, литых

1. Способ получения литых композиционных алюминиевых материалов, включающий расплавление основы сплава, введение в расплав частиц графита, перемешивание и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения антифрикционных и механических свойств материалов, введение графита осуществляют в виде лигатуры алюминий-графит при температуре выше 600°С, а охлаждение проводят со скоростью не более 40 K/с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют лигатуру, полученную методом порошковой металлургии.

Номер патента: 1048787

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Алифанов, Белый, Захаревич, Калиновская, Лысов

МПК: C10M 125/02, C10M 133/04, C10N 30/06 ...

Метки: выдавливания, металлов, смазка, холодного

Смазка для холодного выдавливания металлов, содержащая сульфофрезол и наполнитель, отличающаяся тем, что, с целью повышения смазочных свойств и предотвращения схватывания металла, смазка в качестве наполнителя содержит графит и дополнительно содержит диметилундецилкарбамоилметиламмоний хлорид при следующем соотношении компонентов, мас.%: графит1-10 диметилундецилкарбамоилметиламмоний хлорид0,001-0,05 сульфофрезол остальное

Номер патента: 1824924

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Вершина, Матвеев, Пителько, Стукач

МПК: C23C 14/32

Метки: износостойких, инструмент, металлорежущий, нанесения, покрытий

Способ нанесения износостойких покрытий на металлорежущий инструмент, включающий параллельное размещение большого количества инструментов на вращающемся подложкодержателе, очистку поверхности инструментов, нагрев и нанесение покрытия при неподвижном подложкодержателе с ориентацией рабочих кромок инструмента к плазменному испарителю в среде реакционного газа путем бомбардировки поверхности ускоренными ионами активных металлов расходуемого катода испарителя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытий за счет увеличения износостойкости путем снижения температуры рабочих кромок, нагрев инструмента осуществляют при неподвижном подложкодержателе с ориентацией нерабочих торцов...

Номер патента: 1459084

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Бабиченко, Бортник, Волочко, Прокопов, Царев, Челышев

МПК: B22F 1/00, B22F 3/16, B22F 3/20 ...

Метки: алюминиево-медных, графитизированных, полуфабрикатов, сплавов

Способ получения полуфабрикатов графитизированных алюминиево-медных сплавов, включающий приготовление шихты из смеси порошков сплава-основы и графита, холодное брикетирование и экструдирование, отличающийся тем, что, с целью повышения качества поверхности и увеличения механических свойств полуфабрикатов, в шихту дополнительно вводят эвтектический сплав-припой в количестве 3-12 мас.%, при следующем соотношении компонентов, мас.%: Cu 13,5-14, Si 9,4-9,8, Mg 0,2-3,5, Al остальное, а экструдирование проводят при 529-548°С с коэффициентом вытяжки, превышающим 3.