Архив за 2012 год

Номер патента: 1459539

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, системы, схем

1. Способ изготовления системы металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводник изоляционного слоя полиамидокарбоновой кислоты, формирование на нем фоторезистивной маски, вскрытие контактных окон к поверхности полупроводника, удаление фоторезистивной маски, напыление металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид, формирование рисунка металлической разводки, вжигание металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества системы металлизации за счет увеличения напряжения пробоя изоляции и адгезии металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид проводят перед формированием на нем...

Номер патента: 1688743

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Пилипенко, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, создания

Способ создания омических контактов, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение металла, отличающийся тем, что, с целью снижения контактного сопротивления путем перевода диоксида кремния в квазиаморфную структуру типа кварца, перед обработкой в плавиковой кислоте пластину подвергают импульсной фотонной обработке с плотностью энергии 0,8-1,2 МДж/м2 при длительности импульса 0,03-10 с.

Номер патента: 829311

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Алифанов, Бадевич, Захаревич, Лысов, Макушок, Челышев

МПК: B21J 5/00, B21K 1/76

Метки: коллекторов, корпусов, электрической

Способ изготовления корпусов коллекторов электрической машины путем выдавливания трубчатой заготовки с формообразованием фланца и ламелей, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости инструмента, расширения типоразмеров изготавливаемых изделий и повышения их качества, формообразование фланца производят радиальным выдавливанием с истечением металла от оси заготовки, а ламелей - радиальным выдавливанием с истечением металла к оси заготовки, при этом одновременно производят осевой сдвиг заготовки относительно фланца по всей ее длине.

Номер патента: 1226740

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Астапчик, Волочко, Ласковнев, Царев, Челышев

МПК: B22F 1/00, B22F 3/16

Метки: алюминиевых, полуфабрикатов, сплавов

Способ получения полуфабрикатов из алюминиевых сплавов, включающий смешивание исходных порошков алюминиевых сплавов и твердой смазки, преимущественно графита, холодное брикетирование полученной шихты и обработку давлением, отличающийся тем, что, с целью повышения антифрикционных свойств и прочности, в качестве исходных порошков алюминиевых сплавов используют порошки иглообразной и/или чешуйчатой формы с соотношением продольного размера частиц порошков к поперечному, равным (3-8):1, разделяют их на фракции, а смешивание с порошком твердой смазки проводят после рассева при следующем соотношении компонентов шихты, мас.%: ...

Номер патента: 1580854

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Бельчин, Вершина, Мрочек, Пителько

МПК: C23C 14/00

Метки: декоративных, нанесения, покрытий

Способ нанесения декоративных покрытий, включающий электродуговое распыление титана и осаждение покрытия на изделие, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытий, за счет увеличения их блеска, распыление титана ведут при токе дугового разряда, превышающем 100 А, а осаждение покрытия осуществляют из сепарированного потока плазмы.

Номер патента: 1063260

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Алифанов, Бадевич, Гончаров, Захаревич, Калиновская, Макушок

МПК: H01R 43/08

Метки: коллектора, электрической

Способ изготовления коллектора электрической машины, включающий выдавливание цилиндрического корпуса с фланцем, формирование ламелей и петушков, механическое удаление межламельных перемычек, редуцирование корпуса до окончательных размеров и опрессовку коллектора изолирующим материалом, отличающийся тем, что, с целью увеличения стойкости инструмента, удаление перемычек производят на оправке с профилем, идентичным внутреннему профилю коллектора, после чего редуцируют корпус с путем запрессовки ламелей в полость, образованную между ребрами фиксирующей втулки и обоймой с конической поверхностью, переходящей в цилиндрическую.

Номер патента: 1790100

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Астапчик, Волочко

МПК: B22F 3/16, B22F 3/20

Метки: алюминия, антифрикционного, основе, самосмазывающегося

Способ получения самосмазывающегося антифрикционного материала на основе алюминия, включающий подготовку шихты путем смешивания порошков алюминия и твердой смазки, холодное брикетирование шихты и деформирование с коэффициентом вытяжки более 8, отличающийся тем, что, с целью повышения антифрикционных свойств и качества поверхности материала, при подготовке шихты в нее дополнительно вводят 0,2-3 мас.% жидкой смазки, а деформацию проводят при температуре, не превышающей 273 K.

Номер патента: 718979

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Алифанов, Дмитрович, Калиновская, Макушок

МПК: B22D 19/02

Метки: волокнистых, композиционных

Способ получения волокнистых композиционных материалов, включающий пропитку армирующих волокон путем пропускания через матричный расплав, формирование в кристаллизаторе и вытяжку готового изделия, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности изделия и расширения номенклатуры получаемых профилей с кабельной структурой расположения волокон, армирующие волокна перед пропиткой свивают в жгут и сжимают в осевом направлении, а в процессе стационарного прохождения жгута через расплав его раскручивают на угол, не превышающий угол закручивания.

Номер патента: 1069571

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский, Тарасевич

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно подложку со слоями металлов нагревают в инертной среде до 90-110°С, выдерживают при этой температуре, нагревают до 450-550°С и выдерживают, охлаждают со скоростью 60-80°/мин до 90-100°С и выдерживают при этой температуре, причем время выдержки при каждой температуре 5-7 мин.

Номер патента: 1241937

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, микросхем, создания

Способ создания металлизации интегральных микросхем, включающий нанесение на полупроводниковую пластину с активными и пассивными областями металлических слоев, преимущественно алюминия, формирование разводки, термообработку, осаждение диэлектрического слоя и его травление в области контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем, термообработку осуществляют в инертной среде после травления диэлектрического слоя, при этом нагревают полупроводниковую пластину до температуры 363-383 K, выдерживают при этой температуре 4-6 мин, нагревают до температуры 473-823 K, выдерживают 20-30 мин, охлаждают со скоростью 60-80 град/мин до температуры 363-383 K и...

Номер патента: 1596801

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Вершина, Мрочек, Никитин, Пителько

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, защитно-декоративных, нанесения, покрытий, распылением, электродуговым

Способ нанесения защитно-декоративных покрытий электродуговым распылением в вакууме, включающий осаждение подслоя титана и слоя соединений титана на поверхность изделия в азотосодержащей среде из несепарированного плазменного потока, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытий за счет увеличения защитных свойств покрытий при сохранении их декоративных свойств, а также износостойкости и производительности процесса, подслой титана осаждают из сепарированного плазменного потока толщиной 0,5-1 мкм, а слой соединений титана - толщиной 0,2-0,8 мкм.

Номер патента: 1704491

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Бельчин, Вершина, Изотова, Мрочек, Пителько

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, генератор, длинномерные, изделия, нанесения, плазмы, покрытий, преимущественно, электродуговой

Электродуговой генератор плазмы для нанесения покрытий в вакууме преимущественно на длинномерные изделия, содержащий коаксиально расположенные катод, анод и электромагнитную систему, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытий за счет равномерности толщины покрытий, упрощения конструкции при сохранении высокой производительности, катод выполнен в виде цилиндрической спирали с шагом l=(1,5-2,5)d, где d - диаметр трубки (прутка) спирали.

Номер патента: 1302687

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Алифанов, Белый, Захаревич, Макушов, Станкевич

МПК: C10M 125/02, C10M 129/40, C10M 133/04 ...

Метки: давлением, металлов, смазка, холодной

Смазка для холодной обработки металлов давлением, содержащая сульфофрезол, графит и диметилундецилкарбамоилметиламмонийхлорид, отличающаяся тем, что, с целью повышения смазочных и противозадирных свойств, смазка дополнительно содержит олеиновую кислоту, полиэтилен низкого давления и карбонат кальция при следующем соотношении компонентов, мас.%: Графит0,1-0,8 Диметилундецилкарбамоилметиламмонийхлорид 0,1-1,0 Олеиновая кислота 0,1-2,0 Полиэтилен...

Номер патента: 1486030

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Бондаренко, Вейник, Дубин, Поболь, Присекин, Степанков

МПК: H05B 7/22

Метки: плазмотрон, электродуговой

1. Электродуговой плазмотрон, содержащий корпус с центральным катододержателем и стержневым катодом, пристыкованное к корпусу сопло-анод с цилиндрическим выходным отверстием, подвижный элемент поджига, выполненный в виде цилиндрической втулки, снабженной на обращенной к соплу-аноду стороне равноудаленными друг от друга лепестковыми контактными наконечниками, расположенными в межэлектродном зазоре, и отверстия в опорных элементах плазмотрона для ввода плазмообразующего газа в межэлектродный зазор, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем устранения влияния перекосов элементов плазмотрона, упомянутая цилиндрическая втулка установлена в корпусе над рабочей зоной катода и...

Номер патента: 1371410

Опубликовано: 27.05.2012

Автор: Кадников

МПК: H05B 7/18, H05H 1/26

Метки: горелка, напыления, плазменная

Плазменная горелка для напыления, содержащая корпус, вдоль оси которого установлены катод, охватывающая его цилиндрическая камера вихреобразования с каналом для подачи плазмообразующего газа, расположенным по касательной к камере, и сопло-анод с каналом для подачи порошкового материала, выполненным со смещением относительно оси сопла-анода в сторону, противоположную расположению канала для подачи плазмообразующего газа, отличающаяся тем, что, с целью повышения коэффициента использования порошкового материала, дополнительно введен канал для подачи газа, размещенный параллельно оси канала подачи порошка.

Номер патента: 1082253

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системе, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник, основанный на травлении окисла и регистрации электронограмм на отражение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и снижения трудоемкости, травление окисла производят на клин со скоростью 3-4 Å/с, после чего производят дополнительное травление при температуре 1150-1180°С в течение 30-60 с в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород.

Номер патента: 1373230

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Готлиб, Григоров, Гурский, Зеленин

МПК: H01L 21/00, H05H 1/00

Метки: вакуумно-плазменного, травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления, содержащее вакуумную камеру с размещенными в ней механизмом перемещения подложкодержателей и планарной системой электродов, подключенных к источнику ВЧ-мощности, систему газообеспечения, отличающееся тем, что, с целью повышения качества и производительности травления путем устранения загрязнения камеры продуктами износа трущихся частей, механизм перемещения подложкодержателей выполнен в виде магнитопровода с разноименными полюсами, охваченными электромагнитными катушками, образующими магнитную подвеску, включающую подъемные обмотки и обмотку бегущего магнитного поля, подключенные к источникам питания, а подложкодержатели и катод установлены...

Номер патента: 1607193

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Бакаев, Заргарова, Кошель, Чутаев

МПК: B22D 13/00, B22D 19/02

Метки: армированных, волокнами, типа, труб

1. Способ изготовления изделий типа труб, армированных волокнами, включающий намотку волокон на оправку из матричного сплава, ее расплавление и пропитку волокон в изложнице центробежной машины, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности изделий за счет увеличения объемного содержания волокон, намотку волокон на оправку производят слоями с шагом в каждом слое, равным 1,2-1,6d, а между слоями волокон помещают прокладку из фольги матричного сплава толщиной, определяемой из соотношения где S - толщина фольги, мм; d, t - диаметр и шаг укладки волокон, мм;V - объемное содержание...

Номер патента: 1090245

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Вейник, Покровский, Присекин, Резванов, Соколов, Степанков, Хлибко

МПК: H05B 7/22, H05H 1/34

Метки: плазматрона, узел, электродный

1. Электродный узел плазматрона, содержащий охлаждаемый электрододержатель и закрепленный в нем нерабочим торцом стержневой электрод с центральным отверстием для подачи защитного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы электрода, отверстие в электроде выполнено ступенчато сужающимся в направлении рабочего торца, а в боковой стенке электрода на каждой из ступеней выполнено по меньшей мере по два одноразмерных, одинаковых по форме и эксцентричных относительно оси электрода круговых канала, соединяющих центральное отверстие с боковой поверхностью электрода, причем плоскость, в которой расположен каждый из каналов, наклонена под острым углом к оси электрода в направлении...

Номер патента: 893092

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Сигалов

МПК: G01N 27/22, H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля

Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .

Номер патента: 1091774

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, моп-структур

Способ контроля кремниевых МОП-структур, основанный на нагревании кремниевой пластины до температуры окисления, выдержке при этой температуре в окислительной среде, охлаждении структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры, получении МОП-структуры путем нанесения полевого электрода, регистрации вольт-фарадных характеристик, по которым судят о качестве кремниевых МОП-структур, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности определения качества кремниевых МОП-структур, охлаждение производят со скоростью 15-20 K/с, после охлаждения на поверхность окисла наносят слой фосфоро-силикатного стекла, прикладывают к МОП-структуре напряжение смещения -(10-15) или +(5-10) В,...

Номер патента: 1147205

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.

Номер патента: 1151153

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Буляк, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: изоляции, мдп-интегральных, межуровневой, структурах, схем

Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах МДП-интегральных схем, включающий последовательное формирование на поверхности структуры подслоя и слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров структур за счет повышения стабильности величины порогового напряжения, подслой межуровневой изоляции формируют анодированием структур в кислородной плазме ВЧ-разряда при давлении кислорода 1,33-2,66 Па и температуре не более 150°С.

Номер патента: 1510627

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Пухов, Румак, Томченко, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: моп-интегральных, схем

Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий осаждение на нагретую полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации ионно-плазменным методом в две стадии, с толщиной слоя на первой стадии 10-40 нм, формирование рисунка металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик интегральных схем за счет уменьшения фиксированного заряда в подзатворном диэлектрике, осаждение слоя металлизации проводят при температуре подложки 523-573 K, при этом к подложке прикладывают отрицательное напряжение смещения 40-75 В на первой стадии и 80-120 В на второй стадии.

Номер патента: 1393233

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Васильев, Згировская, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, схем

Способ изготовления интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями первого слоя кремния, слоя силицида тугоплавкого металла, второго слоя кремния, формирование рисунка элементов металлизации, формирование пассивирующего покрытия высокотемпературным отжигом в среде кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик и упрощения способа за счет формирования рисунка элементов металлизации и пассивирующего покрытия в едином технологическом цикле, второй слой кремния наносят толщиной от 100 до 150 нм, затем проводят травление этого слоя в соответствии с рисунком элементов металлизации, после чего...

Номер патента: 1155108

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Лосева, Петраковский, Соколович

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

Терморезистивный материал, содержащий полупроводниковое соединение на основе сульфида хрома, отличающийся тем, что, с целью повышения термочувствительности за счет снижения температуры перехода полупроводник - металл до интервала 250-320°С, он содержит в качестве полупроводникового соединения на основе сульфида хрома халькогенидное соединение хрома, отвечающее общей химической формулеCr S1-xSex , где 0<x 0,5.

Номер патента: 1457683

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Зеленин, Покрышкин, Шишмолин

МПК: H01C 17/00

Метки: импульсной, пленочных, резисторов, стабилизирующей

Устройство для импульсной стабилизирующей обработки пленочных резисторов, содержащее генератор импульсов обработки, блок синхронизации, компаратор, первую и вторую контактные клеммы для подключения резистора, причем вторая контактная клемма соединена с общей шиной, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки, оно дополнительно снабжено источником постоянного тока, усилителем постоянного тока, первым и вторым блоками выборки и хранения, причем выход источника постоянного тока соединен с первой контактной клеммой, выходом генератора импульсов обработки и входом усилителя постоянного тока, выход которого соединен с первым входом генератора импульсов обработки и с первыми...

Номер патента: 1226855

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Алексеева, Галеева, Городецкий, Дьяков, Завозин, Кисилева, Корюков, Роднин

МПК: C22B 25/02, C22B 34/36

Метки: вольфрама, извлечения, концентратов, оловянных

Способ извлечения вольфрама из оловянных концентратов, включающий шихтование их с коксом, расплавление шихты и введение в расплав кремния с последующим выпуском полученного металла и шлака, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности извлечения вольфрама из низкосортных оловянных концентратов, введение кремния осуществляют при температуре 1100-1300°С в количестве 0,1-0,3% от суммы содержания олова и вольфрама в расплаве и с одновременным добавлением оборотного шлака с последующим измельчением полученного шлака и выделением и гравитацией вольфрамовой фракции.

Номер патента: 1464810

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Покрышкин, Сигалов

МПК: H01L 21/66

Метки: инверсии, мдп-структур

Способ измерения напряжения инверсии МДП-структур, включающий подачу на МДП-структуру линейно изменяющегося напряжения смещения, высокочастотного измерительного напряжения, выделение напряжения, пропорционального емкости МДП-структуры, дифференцирование этого напряжения, измерение величины производной, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения напряжения инверсии, напряжение смещения изменяют со скоростью 101-10 3 В/с, периодически выдерживают его на постоянном уровне, осуществляя в эти моменты дифференцирование, а напряжение инверсии определяют по напряжению смещения, при котором производная становится больше нуля.

Номер патента: 1586469

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Канищев, Куксо, Пекуров, Румак, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 29/76

Метки: затвором, изолированным, полевых, транзисторов

Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов путем улучшения однородности высокоомного канала, после образования дополнительных контактов к области высокоомного канала проводят электротренировку в течение 32-66 с при заземленном затворе, положительном напряжении на истоке с напряженностью поля (1,6-2,8)...