Архив за 1992 год

Номер патента: 1730197

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Ачкасов, Бугаев, Джолабов, Капралов

МПК: C23C 10/52, C23C 12/00

Метки: восстановления, диффузиционного, изношенных, медных, порошкообразный, состав, сплавов

...А 20 з (ГОСТ 8136-76)выполняет функции инертной добавки. служит для увеличения газопроницаемости порошкового состава, что облегчает транспортэлементов-диффузантов к обрабатываемойповерхности и снижает спекаемость порошка.В табл. 1 приведены составы компонентов.При увеличении цинка происходит припекание смеси к поверхности изделия и образование дендритов, а при уменьшениизначительно снижается прирост линейных 15размеров.Увеличение содержания хрома и композиционного порошкового сплава на основеникеля приводит к перерасходу материалабез значительного улучшения физико-механических свойств обрабатываемой поверхности, а уменьшение понижаетповерхностную твердость.При увеличении содержания хлористого цинка имеет место интенсивное...

Номер патента: 1730198

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Васильева, Леонтьева, Майорова, Позин, Ткаченко

МПК: C23C 22/07

Метки: состава, фосфатирования

...при.75 С в течение 3,5 мин. Получаемое фосфатное покрытие удовлетворяет требованиям по коррозионной стойкости (см. таблицу, пример 8).П р и м е р 4. 100 г дигидрофосфата цинка перемешивают с 30 г нитрата натрия и 10 г нитрата магния (соотношение Р 2 ОБ/МОз:1,38), 75 г полученного концентрата растворяют в воде из расчета 75 /л раствора. В этой ванне проводят фосфатирование изделий из стали методом погружения в течение 3,5 мин при 75 С. Получаемое фосфатное покрытие удовлетволяет требованиям по коррозион ной стойкости (см. таблицу, пример 7).В таблице приведены примеры проведения процесса фосфатирования в предлагаемых пределах, отличающиеся соотношением нитрата натрия и дигидрофосфата цинка и содержанием концентрата в растворе, а также...

Номер патента: 1730199

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Кустов

МПК: C23F 1/02

...ширин полосок в рядах прямоугольников, Соединительные полоски фрезеруют в фольге одновременно с изготавливаемыми деталями, поэтому точстравливания соединительных полосок, равная д . Повышение точности контроля процесса фотохимического фрезерования фольги в предлагаемом способе, достигаемое за счет минимизации градации ширин соединительных полосок д, ограничено практически только размерами контрольной топологии. При повышении точности контроля за счет уменьшения разности прогрессии д и при постоянном значении допуска + О на размеры изготавливаемых деталей приходится увеличивать количество контрольных прямоугольников в каждом ряду. равное 2 К = 20/ д, что ведет к увеличению длины рядов. Таким образом, повышение точности контроля...

Номер патента: 1730200

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Балакин, Бурындин, Завьялова, Мухаметзянова, Теслер, Шермергон

МПК: C23F 11/10

Метки: n-карбалкоксиметилхинолиний, бактерий, бактерицидов, ингибиторов, карбалкоксиметилизохинолиний, качестве, коррозии, подавляющих, рост, сероводородной, стали, сульфатвосстанавливающих, хлорида

...= 3.5: С = 9.06. реакция эфира хлоруксусной кислоты 15 Найдено. 7,: М = 3,3: С = 8.9. 0101521- 0 .Ссн 2 с 1 Эффективность антикоррозионного пс ИЗОХИНОЛИНОМ- действия определена на воде с малым соО держанием сероводорода 7 мг/л. содер Получено соединение жащей также 20 мг/п двуокиси углерода и О 20 2 мг/л кислорода. Степень коррозии опре/СшН 21- 0 (а " Снд делена на образцах стали 45. размером 20 х65919 х 20 х 1 мм по потере массы. Эффективность О защитного действия ингибиторов определеВыход 194 г; 73,6%.на по известной методике. Результаты исВычислено, %: М = 3.8; С= 9.7. 25 пытаний антикоррозионного действия Найдено. %: М= 3.7: С = 9.4. приведены втабл. 1. П р и м е р 3. По примеру 1 проведена реакция эфира хлоруксусной кислоты Как...

Номер патента: 1730201

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Абдуллаев, Ахмедов, Брандман, Голубев, Дятлов, Кашкаров, Костылев, Красноярский, Липухин, Лузан, Саков, Столбова, Сысоев

МПК: C23F 13/00

Метки: внешней, защиты, коррозии, поверхности, протектор, труб

...установлен на стыковочномсварном узле трубопровода.Предложенный протектор состоит изравновеликих частей в виде двух армированных 1 полуколец 2 из протекторногосплава, Полукольца 2 расположены на участке стыковочного сварного узла 3 трубопровода 4.В качестве арматуры 1 используютсталь, а для сплава протектора (жертвенного анода) - цинк, марганец, магний, алюминий,На разрезе видны выступы 5 на внутренней поверхности браслетного протектора. На одной части браслета с торцаприкреплен протекторный сплав б с болееотрицательным электродным потенциалом,чем сплав 2.Улучшение технологичности при монтаже достигается путем смещения арматуры 1по оси симметрии поперечного сечения части 7 на 1/2,Электрическую связь между трубопроводом и протектором...

Номер патента: 1730202

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Ашурлы, Воронина, Горохова, Книпович, Конюшкина

МПК: C23G 5/00

Метки: зеркал, медных, поверхности

...- 30 мин при комнатной температуре и скорости потока 0,5 - 2 л/ч.Изобретение позволяет: повысить коэффициент зеркального отражения медных поверхностей на длине волны А = 10,6 мкм; исключить влияние предлагаемой обработки на шероховатость поверхности медных зеркал; исключить радиационные повреждения медных Зеркал; упростить проведение процесса очистки медных зеркал ввиду того, что в предлагаемом способе нет необходимости в применении сложного высоко- вакуумного оборудования и ионных источников; изобретение дает возможность осуществлять очистку поверхности оптических элементов из меди сложной конфигурации. 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 На чертеже представлена схема установки, реализующей предложенный способ,Основной ее частью является...

Номер патента: 1730203

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Гершенович, Ильин, Качурина, Полозов, Стефанович

МПК: C23G 5/02

Метки: металлической, обезжиривания, поверхности, состав

...до 75 С и выдерживают в течение 5 ч, Получают концентрат, содержащий 89,9 алкилбензилтриэтиламмоний хлорида и 10,1 ксилола.22,3 г концентрата растворяют в 87667 г ксилола и при перемешивании добавляют 100,0 г керосина и 1,0 г алкилбензилдиметиламина, Получают состав для обезжиривания металлической поверхности, содержащий. мас,о : ЧАС 2,0; ВТА 0,1; керосин 10,0; ксилол до 100. П р и м е р 15. В реактор загружают 168,0 г алкилбензилдиэтиламина с длиной алкильного радикала С 1 оН 2 Б - С 14 Нгя, 62,5 г хлористого бензила и 14,4 г ксилола. Смесь нагревают до 70 С и при перемешивании выдерживают в течение 5 ч, Получают концентрат, содержащий 85,6 г алкилбензилдиэтилбензиламмоний хлорида, 8,6 алкилбензилдиэтиламина и 5,9 ксилола98,5 г...

Номер патента: 1730204

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Воробьев, Геллерштейн

МПК: C25C 7/00

Метки: аппарат, металла, электролитического

...аппарата и способствуют одинаковому осаждению металла на всех катодах, Кроме того, размеры токоподвода сфера - конус в каждом случае выбираются в зависимости от передаваемой через аппарат электрической нагрузки и максимального веса катода с осажденным металлом в соответствии с допустимыми удельными нагрузками.Токоподвод сфера - конус является одновременно средством фиксации катода в пространстве и за счет поперечной фиксации катода относительно анода обеспечивает равномерное осаждение металла по ширине катода.На фиг. 1 изображен аппарат, продольный разрез; на фиг. 2 - сечение А - А на фиг, 1; на фиг, 3 - сечение Б - Б на фиг. 1,5 10 15 20 25 30 35 40 45 5055 Аппарат для электролитического получения металла содержит ванну 1 с...

Номер патента: 1730205

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Алешкевич, Афанасенко, Котягов, Маликов, Новикова, Шатеров

МПК: C25D 17/06, C25D 5/06

Метки: гальванических, нанесения, покрытий, электронатиранием

...вала в транспортирующем механизме. По прототипу подготовительные операции выполняются вручную, требуют многократного перезакрепления вала, а по литературным данным объем ручных подготовительных работ доходит до 50 - 60 времени технологического цикла. Однократное закрепление вала в транспортирующем механизме, резкое сокращение ручных работ приводит к повышению производительности установки.Предлагаемое устройство отличается от прототипа наличием копирных валов, штанг, транспортирующего механизма с узлами подъема и фиксации обрабатываемого вала. Копирные валы соединены в предлагаемом устройстве штангами и кинематически связаны с приводом вращения обрабатываемого вала, что позволяет установить на штангах анодные головки для...

Номер патента: 1730206

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Варфоломеев, Мищенко

МПК: C25D 5/16, C25D 7/00

Метки: восстановления, гальванического

...слоя материала должна быть равна толщине О изношенного слоя Для деталей типа тел вращения толщина изношенного слоя увеличивается от центра к периферии детали, т,е. имеет место прямая пропорциональность где р - радиус детали. Толщина изношенного слоя равна где у - скорость изнашивания, мкм/ч;с - время изнашивания, ч.Типичным видом износа шнеков, червяков и т,п. является абразивный износ. Для него и ряда других видов износа скорость изнашивания равна где р - давление на поверхности трения;Ч - скорость относительного скольжения абразивной среды и детали; К - эмпирический коэффициент, характеризующий материал детали, среды и другие условия изнашивания.При вращении винтовой поверхности каждая ее точка с координатами (р, х) имеет...

Номер патента: 1730207

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Панкратов, Симин, Фотиев

МПК: C25D 5/18

Метки: хромирования, электролитического

...времени прохождения до 10 м наблюдается резкоеуменьшение скорости осаждения, Конечнаяплотность постоянного тока выбрана равной 240 А/дм в течение 30 м. При хромировании с большой величиной плотности тока 45при увеличении времени происходит резкоеснижение защитных свойств, образованиетемно-коричневых полос "подагра" на выступах катода,Начальная амплитуда импульсного тока 50равна 600 А/дм, поскольку снижение ее непозволяет добиться заметного улучшенияфизико-механических свойств покрытия.Конечная амплитуда плотности импульсивного тока выбрана 1000 А/дм, При этой 55амплитуде плотности импульсного тока осаждаются покрытия твердостью 1100 кг/мм,обладающие высокими защитными свойствами с незначительной пористостью(до 2,5 %), Дальнейшее...

Номер патента: 1730208

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Аванесова, Агабабян, Овчиян, Оганесян, Степанян

МПК: C25D 11/00

Метки: легированных, поверхности, сталей

...удлиняется время пдссивэции,Те же соображения лежат в основе выбора времени выдержки при напряжении 1,1 - 1,2 В - 30 - 60 мин,Снижение температуры (С 60 С), а также концентраций компонентов раствора (ИаОН, Я 02, СгОз и йа 2 Мо 04) ниже указанных пределов уменьшает скорость процесса обработки и степень запассивированности сталей. Повышение температуры (70 С) и содержания компонентов приводит к росту энергетических затрат, излишнему расходу реактивов, а также к некоторому уменьшению эффективности обработки,Способ осуществляют следующим образом.Обработке подвергают образцы легированных сталей 08 Х 17 Т, 14 Х 17 Н 2, 15 Х 25 Т и 12 Х 18 Н 10 Т размерами 100 х 15 х 2,5 мм. Перед обработкой образцы зачищают до чистоты8 и обезжиривают...

Номер патента: 1730209

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Бочков, Синькеев, Степанова, Ташлык, Усакин, Фурман

МПК: C25D 13/00

Метки: покрытий, электрофоретических

...1 имеет нижний 13 и верхний 14 датчики уровня суспензии, электрически связанные с распределителями 7 и 8, Пневмокамеры 4 имеют гибкие диафрагмы 15 с грузами 16.Установка работает следующим образом,Воздух из пневмосети поступает через пневмораспределители 7 и 8 по трубопроводам 5 в нижние полости пневмокамер 4. Под давлением воздуха в нижних полостях диафрагмы 15 пневмокамер 4 начнут прогибаться в сторону верхних полостей, вытесняя из них смесь воздуха с парами спирта по трубопроводам 6 в пространство над суспензией в перемешивающем устройство 3, Под действием давления паровоз- душной смеси суспензия поднимается по гибкому трубопроводу 11 в ванну осаждения 1 до датчика 13 уровня за время не менее 10 с. По достижении этого уровня датчик...

Номер патента: 1730210

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Мелков, Мольков, Швецов

МПК: C25D 13/20, C25D 5/10

Метки: железных, многослойных, нанесения, покрытий

...диапазона Окз = 20 - 90 А/дм .Длительность этапа зависит от получения необходимой толщины этого слоя покрытия, т. е. где и - толщина покрытия;Ок - катодная плотность тока;т - время электролиза.Четвертый этап проводят при катоднойплотности из интервала Ок 4 = 9 -12 А/дм .гВремя проведения этапа т = 10 - 15 мин,Диапазон плотности тока 9 - 12 А/дм най 2ден опытным путем. Верхний предел огра1730210 10 Формула изобретения 25 30 35 40 45 50 Составитель Л,КазаковаТехред М,Моргентал Корректор Н.Король Редактор А.Долинич Заказ 1492 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ничен...

Номер патента: 1730211

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Гуслиенко, Лучка, Федорченко, Яненский

МПК: C25D 15/00

Метки: композиционных, никеля, основе, покрытий

...покрытий заданного состава и структуры не обеспечивается. Так отжиг КЭП М - СгВ 2 в вакууме при температуре ниже 1060 С приводит к образованию кристаллов боридов; не имеющих определенной ориентировки, а имеющиеся в покрытии поры сохраняются. При отжиге покрытий выше 1150 С происходит стекание расплава с поверхности образцов. Приуменьшении времени изотермической выдержки 5 10 15 20 25 30 35 40 45 менее 3 мин образующиеся кристаллы избыточной фазы имеют дефектную структУРУ сохраняются поры, а при увеличении времени изотермической выдержки более 5 мин - не обеспечивается требуемая структура, Кроме того, применение порошка диборида хрома зернистостью ниже 40/28 мкм и выше 63/56 мкм не обеспечивает требуемую массовую долю порошка...

Номер патента: 1730212

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шестоперова

МПК: C25D 17/06

Метки: плоских, электрохимической

...пузырьков газа нэ поверхность детали и отверстия, что обеспечивает получение равномерного покрытия, 3 ил,Для достижения цели упоры выпол в виде втулок-роликов с буртиками с двух сторон, при этом центры двух втулок-роликов, размещенных по бокам корпуса, расположены на горизонтальной оси, а центр третьей втулки-ролика расположен на вертикальной оси по центру тяжести обрабатываемой детали.а с В известном устроистве кассетулием вращают не в процессе гальврытия, а после, для удаления иоставшегося на детали электролитакак в предложенном устройстве сдля вращения выполнено таким, чтообеспечить вращение изделия в игэльвэнопокрытия.На фиг, 1 показано устрна фиг. 2 - то же, вид сбоку;на фиг. 1.Устройство содержит рамуностороннего...

Номер патента: 1730213

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Варфоломеев, Мищенко

МПК: C25D 17/08

Метки: гальванической

...А - А на фиг, 1. Устройство содержит трубу 1, к которой жестко крепится (например, посредством сварного соединения) перфорированный деталедержатель 2 в виде нескольких (например, трех) разнесенных по высоте усеченных конусов с опорными радиальными ребрами (спицами) 3, Нижняя торцовая поверхность крайнего нижнего конуса деталедержателя имеет скос 4 под углом 30-40 к горизонту. В отверстиях корпусов деталедержателя 2 располагаются обрабатываемые детали 5 на фиг. 1 изображены в виде болтов).Труба 1 навешена с возможностью вращения на вертикальный цилиндрический несущий стержень 6, нижняя часть которого имеет резьбу, а верхняя - подвесной крюк7,Таким образом, узел труба - деталедержатель представляет собой жесткую конструкцию этажерочного...

Номер патента: 1730214

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Ахметов, Ганкин, Мелащенко, Мухин

МПК: C25D 19/00

Метки: детали, линия, мелкие, нанесения, покрытий, электрохимических

...механизму подается через контакт 46. Привод диска 22 состоит из.двигателя 47, редуктора 48 и передачи 49,Линия работает следующим образом, Обрабатываемые детали 50, например крышки сборных форменных пуговиц, засыпают в чашу 10 питателя 5, Включается двигатель 33, который через редуктор 34 и передачу 35 сообщает поворот отсекателю 19 верхней секции 12, а через передачу Зб и 27 - поворот отсекателям 20 и 21 средних секций 13 и 14. Через передачу 44 вращение сообщается также валу 28, который, взаимодействуя с двуплечим рычагом 29, поворачи 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 вает дно 27. С вала 28 через передачи 41 и 43 вращение передается на приводные ролики 9 и бесконечную ленту 6. Когда кулачок 38, установленный на передаче...

Номер патента: 1730215

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Касымов, Колобов, Мухтаров, Тастембеков

МПК: C25F 3/26

Метки: полирования, струйного, электролит

...- 4 5 Остальное Серная кислота Борная кислота Этиловый спирт Формула изобретения Составитель М,Касымоведактор Л.Веселовская Техред М.Моргентал Корректор Н,Корол аказ 1492 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 кислоту при следующем соотношении компонентов,мас, ,: При струйной полировке молибдена и его сплавов в предлагаемом электролите площадь зоны, прозрачной для электронов, 10 значительно больше, чем при полировке в известном электролите.П р и м е р . Были подготовлены девять растворов ингредиентов (см, таблицу), пять из которых показали 15 оптимальные результаты, Растворы...

Номер патента: 1730216

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Бондарь, Забелина

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46

Метки: растворов, твердых

...быстро (в течение 2 ч) 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 повышаютдо значений, превышающих температуру ликвидуса соответствующего твердого раствора на 20 К (фиг. 2). После установления температуры в горячей зоне включают вибрацию и повышают температуру в холодной зоне до 650 - 670 К и выдерживают в таких условиях 3 ч, Затем температуру холодной зоны повышают до 900 - 920 К (с вибрацией ампулы) с повторной выдержкой в течение 2 ч. По окончании указанного времени выдержки расплав охлаждают со скоростью 100 К/ч без выключения вибрации до комнатной температуры. Для гомогенизации полученных сплавов проводят отжиг при 1170 К в течение 500 ч.Полученные после отжига слитки представляют собой гомогенные сплавы, однородные по всей длине, что...

Номер патента: 1730217

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Алешин, Антонов, Булеков, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, выращивания, галлия, малодислокационных, монокристаллов

...со скоростью 0,5 - 2 атм/ч, скорость извлечения кристалла из-под флюса составляет 10 - 20 мм/ч и скоростьохлаждения кристалла до комнатной температуры - 25 - 50 С/ч.П р и м е р 1, В тепловую системукамеры установки Астра устанавливают тигель из высокочистого пиролитического нитрида бора диаметром 100 мм, в которыйзагружают 1500 г высокочистого поликристаллического арсенида галлия, 0,45 г оксида ванадия (Ч 205) и 400 г обезвоженногоборного ангидрида (флюса). Тигель помещают в повторяющую его форму графитовуюподставку, установленную через переходник на нижнем штоке камеры установки. На 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 верхнем штоке укрепляют держатель с монокристаллической затравкой ориентации /100/ размером 4 х 4 х 50 мм....

Номер патента: 1730218

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Конников, Улин, Шайович

МПК: C30B 23/08, C30B 25/02, C30B 29/08 ...

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...превышения (сфалерит- вюртцит) а = а р/3, где р - наблюдаемая линейная плотность дефектов упаковки относительно кубической фазы, в обратных нм,Вторым необходимым условием реализации предлагаемого способа является выбор подложки, ее ориентации, Этот выбор должен обеспечить на поверхности кристалла - подложки высокую плотность центров адсорбции с максимальной глубиной потенциальной ямы для адатомов (адмолекул) кристаллизируемого вещества, и, главное, - отсутствие к нее подобия по потенциальному рисунку плоским сеткам кубического кристалла. Это обуславливает необходимость использования в качестве подложки монокристалла гексагональной симметрии со структурным типом вюртцита, а выбор ориентации подложки в соответствии с приведенными выше...

Номер патента: 1730219

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Гогоци, Сафаралиев, Таиров, Цветков, Шабанов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: материал, полупроводниковый

...карбида кремния и карбида ниобия, обработанные так же, как и в примерах 1 и 2, прикладывали друг к другу и подвергали горячему прессованию в засыпке порошка дисперсностью .5 мкм, Процесс проводили при 1700 С, давлении 20 МПа в среде ч 2 в течении 60 мин. Ширина слоя гетеровалентного твердого раствора (ЯС)1-х(ИЬС)х 5 - 7 мкм,Во всех трех случаях получали гетеровалентные твердые растворы (ЯС)1- х(МЬС)х во всем диапазоне изменения состава (О х 1). Исследования концентрационного распределения КЬ и Я проводились на Оже-микроанализаторе "3 ЕО Я". На фиг, 1 дана обычная электронная микрофотография, Области с элементами различной тяжести отличаются. Более тяжелые элементы светлее.На фиг. 2 изображены концентрационные профили ниобия и...

Номер патента: 1730220

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 31/08

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...течение 12 ч. Избыток цезия в образце после введения составил 0,005 мол Образец с избытком цезия прогревали в атмосфере аммиака (давление 2 атм) при 500 С в течение 6 ч, Прогрев, как показали опыты, можно осуществлять при иной температуре, в течение периода времени, достаточного для обесцвечивания образца. Определение гидрид-ионов осуществляли спектрофотометрическим способом на спектрофотометре Яресогб - М 40 по полосе поглощения с максимумом 246 нм, Результаты определения представлены в таблице.П р и м е р 2, Проводили получение монокристалла КВг, легированных гидридионами. Для этого взят промышленный монокристалл КВг; выращенный в Ленинградском оптико-механическом объединении (ЛОМО). Введение сверхстехиометрического количества калия...

Номер патента: 1730221

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...ч обработки концентрация брома в кристалле составила 10 см з. этот способ не позволяет получать монокристаллы бромидов с избытком брома.Цель изобретения - получение моно- кристаллов бромидов с избытком брома,Поставленная цель достигается тем, что бром вводят в монокристалл бромида электролизом самого монокристалла, используя плоский и острийный электроды, при подаче положительного потенциала на острийный электрод при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА.Как показали опыты, электролиз для введения брома целесообразно осуществлять при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления, При более низких температурах может возникать неравномерность распределения брома в образцах.П р и...

Номер патента: 1730222

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...МЭтот способ не требует использования атмосферы галогена, однако не позволяе 1 производить очистку кристалла, Цель изобретения - очистка монокримй сталлов от примесей.Поставленная цель достигается тем, что электролиз монокристалла, подвергаемого очистке, ведут при температуре на 30 - 50" С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 МА и после отключения тока кристалл выдерживают при указанной температуре не менее 30 мин,Заказ 1492 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Как показали опыты, электролиз для введения галогена целесообразно осуществлять...

Номер патента: 1730223

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Васев, Зайцева, Пополитов, Спицына

МПК: C30B 29/14, C30B 33/04

Метки: аналогов, дейтерированных, дигидрофосфата, калия, кристаллов, оптических, элементов

...К на длинах волн светового излучения 200 и 700 нм, 10 - полоса поглощения при 220 нм; на фиг, 4 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла КДР, содержащего полосу поглощения при 280 нм и слабую полосу при 220 нм, от дозы гамма-излучения, где 11 - интенсивность ПП при 280 нм; на фиг, 5 - зависимости изменения величин КЛ-среза пирамиды кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения; на фиг, 6 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения,Наиболее распространенные изделия из кристаллов КДР и ДКДР - удвоители и утроители частоты лазерного излучения. В этих изделиях наиболее полно используются ИК- и УФ-области спектра. Поэтому...

Номер патента: 1730224

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Пашин

МПК: D01B 1/00, G01N 33/36

Метки: качества, оценки, пеньки, технологического, трепаной

...вырезают пряди (отрезки), которые соединяют вместе и взвешивают. Из полученной пробы удаляется костра, масса которой фиксируется, а в последующем полученное значение используется при определении содержания костры в трепаной пеньке по формулеК и 3 100 / п где в - масса костры, г;а - первоначальная масса пробы, г, После определения содержания кострыиз общей массы волокна в горстях отбирается проба волокна для определения содержания лапы. Из этой пробы выбирается 5 лапа и взвешивается отдельно, После этогоопределяют содержание лапы в трепаной пеньке по формуле т 210010 вз(3) 45 Я,где Я - среднее квадратическое отклонениерезультатов испытаний;Х- среднее значение результатов испы 50 таний.П р и м е р. Для анализа было подготовлено две партии...

Номер патента: 1730225

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Мурадов, Собиржанов, Хожиев

МПК: D01B 1/02, D01G 9/16

Метки: барабан, волокнообрабатывающего, устройства

...вид; на фиг. 3 - узел на фиг. 1.Барабан волокнообрабатывающего устройства содержит цилиндрическую обечайку 1, несущую колки 2, смонтированные свозможностью колебательного движения от 35привода, имеющего расположенную в полости обечайки ось 3 с рифлями 4, размещенную над сеткой 5,Устройство работает следующим образом, 40При подаче на вращающийся барабанобрабатываемый материал попадает подвоздействие колков 2, которые разрыхляютего и протаскивают по сетке 5, Под действи 45 ем центробежной силы сорные примеси выпадают сквозь отверстия сетки в сорную камеру (не показана). В рабочей зоне (зоне контакта с сеткой 5) рифли 4 вступают во взаимодействие с частью колков 2, размещенной в полости обечайки 1, в результате чего колкам 3 сообщается...

Номер патента: 1730226

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Гильманов, Даминов, Дьячков, Калдыбаев, Махкамов, Ракипов, Сайдахмедов

МПК: D01B 1/02, D01G 9/08

Метки: семян, сортирования, хлопчатника

...скатной поверхности 20, равномерно распределяются по периферии камеры 22. Этому способствует наличие выступов 21, по поверхности которых, скатываясь, по инерции семена направляются к периферии камеры 22, в том числе и в противоположную от патрубка 17 сторону. В случае неравномерности распределения семян по периферии с помощью направителей 23 производится перераспределение соотношения семян, направляемых на разные участки камеры 22 распределения. Например, для направления большего количества семян в противоположную от патрубка 17 сторону необходимо отклонить направители 23, как показано на верхней части фиг. 5.Конструкция камеры 22 распределения обеспечивает гашение скорости семян, входящих в зону приема (к нижнему торцу цилиндра 16),...