Хлыстунова

Номер патента: 1797369

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Богатырев, Замяткин, Мардашев, Оскотская, Хлыстунова, Хорошилов

МПК: C22C 1/10, G01V 3/00

Метки: геоэлектрических, композиционный, материал, моделирования, структур

...г(60 мас, 7 ь) железа, 43,4 г порошка карбакрила (26,7 мас.;) и 26,6 г отвердителя карбакрила (13,3 мас, ). Предварительно порошок железа прокаливают при 450 С в вакуумной печи в течение 2 ч для удаления поверхностн ых оксидов. Полученную однородную массу выкладывают в металлическую форму, смазаннуюстеаратом цинка, размером 100 х 100 х 40 иоставляют на сутки для отверждения.5 Пример 2,Тоже,чтоипример 1,присоотношении: железо 140 г (70 мас. ), порошок карбакрила 40 г (20 мас. ) и отвердитель карбакрила 20 г (1 О мас. ),П р и м е р 3. То же, что пример 1, при10 соотношении; железо 190 г (95 мас, ), порошок карбакрила 6, г(3,3 мас, ) и отвердитель карбакрила 3,3 г (1,7 мас, ),П р и м е р 4. То же, что пример 1, присоотношении: железо 160...

Номер патента: 1513529

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Давыдов, Саушкина, Хлыстунова

МПК: H01B 1/20

Метки: композиционного, электропроводящего

...композиции5 проявляются металлические свойства и по сравнению с известным способом расширяется диапазон значений сопротивлений до 4,410Омм. Полупроводниковые свойства проявляются у образцов с 3-8 мас.ч. серы при напряженности электрического поля до 10 В м,43,1410 - 7,5410 Ом м. 1513529 Формула изобретения 1. Способ получения электропроводящего композиционного материала, при котором осуществляют механическое смешение термопластичного полимера и формиата меди, после чего полученную композицию высушивают и подвергают горячему прессованию, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью расширения диапазона сопротивлений и возмож ности получения материала с различными типами электропроводимости; используют композицию, дополнительно содержащую...

Номер патента: 1109456

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Богатырев, Мардашев, Хлыстунова, Хорошилов

МПК: C22C 1/10

Метки: геоэлектрических, материал, моделирования, структур

...слоя возрастает от 10 до-з,1 О- Ом и, Верхние слои имеют удельное электрическое сопротивление 10 Э Ом м. Понизить сопротивление нижних слоевзасчет уве тичеция концентрации металла нельзя - эмаль расслаивается.Целью ,.зобретеция является повьгшение точцости моделирования слабокоцтрастцых геоэлектрических структур грэизвольцой формы, например месторож пений полезных ископаемых, путем получения материала с объемным электрическим удельным сопротивлением 10".0Ом и при произвольной толп;ине моПоставленная цель цостигается тем что материал для моделирования геоэлектрических структур, содержаший полимер и металлический наполнивтель, соцержит в качестве полимераполиэтилен а в качестве металличес.ого наг:олнителя - карбонильцый никель при...