Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов

Номер патента: 1191806

Авторы: Галушка, Орехов

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 119) (И) 1) 4 С 01 Б 27/02 ЗОБР ЕН ВУ 42Л.О х ов О,В. дсорбцииках и ди 99, с.103,кл 99(5)12,Патент Япони1969. е 3006 дующи иванн оп е ости обесность ф чающии чувстител и теля енно раэуГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИ ( АВТОРСКОМУ(56) Киселев В.ф. и КрЭлектронные явления вкатализе на полупроводэлектриках. М.: Наука,126.(54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУП ВОДНИКОВЫХ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТО агазованности воздуха, в иффузию в исходный матери ительного элемента примеси ющей Рпереход, нанесение омиче ких контактов и локальное стравлив ние материала у границы р-Ь-перех да, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повьппения точности по чения чувствительных элементов заданной чувствительности и избирательности, проводят диффузию приме си одновременно не менее чем в два чувствительных элемента до максимальнои концентрации с по ми циклами локального стр диффузйонного слоя до пол центрации примеси на пове дого чувствительного элем печивающей заданную чувст и избирательность к окисл восстановителям соответстк меЦО 0 ) ЗИТЕ.СЕ, С 1 д С 0011 р 1 РИзобретение относится к прикладной химии, связано с использованием полупроводнисовьгх элементов для решения задач газового контроля и может быть применено в химической промьддлен ности для контроля утечек жидких агрессивных и токсичных веществ окислительно-восстановительного типа при их производстве хранении и тран 1 спортировке, а также при контроле окружающей среды,Целью кзобретения является повьг"шение точности получения чувствительных элементов ЧЭ 1 заданной чувствительности и избирательцости.15Способ изготовления попупроводциковых ЧЭ вклочает диффузию в исходный материал ЧЭ примеси, образуоцей )-Гг-переход, нанесение омкческкх контактов и локальное стрдцпиздие 20 материала у границы р -т-церехол.Дк(1 фузио примеси проводят одцогзремеИо цс менее чем ц Гвд Ч) до мдк -симальцой коццецтрлции с сослс.дуощимк циклами локального стравливания дгс 14 узионого слоя до Гопуче -ния косцеп рации примеси цл поверхности сд кдого сЭ, обеспечвлюцей зад;денную чувствительность 1 избирси 0;ь -ность к окиспитепям л цосстлцоц:гге СООСВЕССТВС 10.Прмесь по глубие ди 11)уси(110 го слоя попупроводсппсл рлспредепецл цо нио условий травления. Поэтому для выхода на требуемую глубину с соответствующей концентрацией примеси необходим контропьповерхцостцого сопротивления после стравливания,чтобы вести дальнейшие коррекии по времени и скорости следующего ккпа трлцпеция.Таким образом, применение одного или нескольких циклов стравливания диффузионного слоя с последующим после стравливания контролем позерхцостцого сосротивпеция слоя по по- учепЯ требуемой концентрации примеси цд поверхности обесцечкздет получение ьЭ здгазовдсцостис злгслцоичувстсзктепьцостью иузтучшеццой избирдтельцостдяо.П р и и е р, Г,ыл изготов:ецы Ч.) (злгазовлности воздуха с исцопьзоцлсием з-крегция с уде:Иым соцротпзпеИем 200 Ом, смТ;51 фор:Гросзация р Гереходл произцо,ипи дцЬфузи 1 о 0 о ) л 1 ) крс )Иси 1 д 13 л: тл цл; злгокл и рл згоцк;1 цри:е(.и.110 сс. Си(1)фу 3 ии мсд тод 0. 13 лкуу ц 0 0 11(11 Ь 1011 КЯ ЛГОГИИ 51 1 фоО. ИТО были цо:учец:1;цл Омическкхл ре зистцзсого 1),цп Изл сие .511 1 у.иосц 01 с слоя,ОЦТ;КТЦ,1:; 1110 Ц,01 )Е 3 ИСТИ 13 11)ОЦО;(Л(ОСЬ 3ИС:О 1 ЦО 11) ЛСодвржЛШЕМ 11 Г;Од, 1 г И сс 0 Г:Одсиц. : 1 -ри 0 С.из вестоглу закону, ее коццецтр ИяизменлетсЯ от ьлссиьдедцой, обУсловленной усповиямк ди 11 узц, 1 д поверхности 10 тутрозодцс(л, до СосцеГГ -1 ац 1 л;1 Осовцо 1 триге(.и 3 0 егепроводци 1 са, 11 утсдм стрлв:и 3 лси 1 циффузиоцного слоя можно получить:аобу) 40косцсцтрацио дл 11 усдирусдгой примесина поверхности ЧЭ В указанных пределах. Эткм самым можно обеспечить задануо чувствительность ЧЭ дпя длц -ного ткпд материала и у:сучшить избс рательность, тлк как коцен Граит тип примеси влияют цд збрлтельость ЧЭ к оккслителям и Восстлцовп елям.Чтобы получить здддццую коццстрацизо примес ца цовсдрхостс ЧЭ, спе дует обеспечить стрдвпиваце дффузионного слоя до глубины, где имеется требуемая коццентраця прсмеси. Требуема глубгсд обеспечзгздетсявременем и скоростью тразлесся, которая очень чувствительна к изменеВНИШИ Здкдз 711/41Филиал ППП Патент", г,111 злия кои ропироцл ос ь зц(чексе посрхцос:тцс;1 коцецтрлии ригоси.;1 м.11 лкл . 1,13 ет 3 итс:дцость к пар 1 лзотцсй кис 10 ты пояц;плсь с ри кссЦСЦТРЛЦИИ ГРИГДГИ ЦЛ ЦОВВРХЦОСТ 15,10 см" 1 моцотопсо зозрдстала с угец.дециел концеп рдции примеси,пР 1 этом сОИРотшз:сеце 1 Э Углесд 1 лось. 1 узстьчтепьцость к нарам аммиака соявляпдсь цри косцецтрдции10 см и т дкже 10 ооццо возрастала с умесьдением концентрации и;)имеси,при этом сопротив;ение ЧЭ увеличиьдпось.Тираж 896 Понгисн 0 е

Смотреть

Заявка

3549451, 07.02.1983

ХАРЬКОВСКОЕ ВЫСШЕЕ ВОЕННОЕ КОМАНДНО-ИНЖЕНЕРНОЕ УЧИЛИЩЕ ИМ. МАРШАЛА СОВЕТСКОГО СОЮЗА КРЫЛОВА Н. И

ГАЛУШКА ОЛЕГ АЛЕКСЕЕВИЧ, ОРЕХОВ СЕРГЕЙ ЛЕОНИДОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01N 27/02

Метки: полупроводниковых, чувствительных, элементов

Опубликовано: 15.11.1985

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1191806-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-chuvstvitelnykh-ehlementov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов</a>

Похожие патенты