Патенты с меткой «магнетронного»

Номер патента: 49758

Опубликовано: 31.01.1937

Автор: Усиков

МПК: H03C 1/30

Метки: генератора, магнетронного, модулятор

...электродов и, и и охватывающих катод коаксиально с анодом. Электроды т, и т 2 присоединены к одному из зажи мов модуляционного трансформатора, другой зажим которого соединен с катодом. Буквами М и В на чертеже изображены, соответственно, микрофон и усилитель, присоединенные к первичной обмотке модуляционного трансформатора,Модулирующие электроды могут быть включены по двухтактной схеме, как показано на фиг. 2 и 3. В этом случае электроды т, и тв соединяются с концами вторичной обмотки модуляционного трансформатора, а средняя точка этой обмотки подключается к нити накала магнетрона.С целью корректирования модуля. ционной характеристики модулирующие электроды могут быть выполнены в виде усеченных конусов, своими основаниями...

Номер патента: 49838

Опубликовано: 31.01.1937

Автор: Усиков

МПК: H03C 3/32

Метки: генератора, магнетронного, модулятор

...и модуляция происходит за счет изменения анодного тока.1. Модулятор магнетронного генератора с разрезанным анодом, Отлибуквои К обозначен касоединительный контур АВТОРСКОЕ СВИЛ При работе с магнетронами при длительной перегрузке (так называемый,форсированный режим) часто наблюдается прогорание в некоторых местаханодов магнетрона.Образовавшиеся таким образом дырыили,окна" в значительной мере определяют в дальнейшем колебательныекачества магнетрона.Согласно изобретению предлагаетсяиспользовать эти окна" для осуществления модуляции магнетронных колебаний.С этой целью предлагается магнетрон,схематически изображенный на фиг. 1и 2 в двух проекциях.В центре каждого полуанода вырезано четырехугольное отверстие. В этихотверстиях симметрично...

Номер патента: 77462

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Хенселл

МПК: H03C 1/30

Метки: генератора, магнетронного, модуляции

...2 и 3 Бключс:ы в колсбательный контур, состояцэий з проводников 8 и 9 и копссторов 6. Когда к анодам 2 и 3 подведено папэ 5 жспис и манитос Г 10 лс; ВозбуждсеО ДО падлсжащей Всли чипы, то ламга пачипаст гснсри)овать. Частота колеба:ий зависит от 551,)а.,Бтров еопту 1)2 и от БрсхееР Нробсгапп 5 Блскт)ОнОВ )1 ежДу к 2 тои ансдамп 2 1 3. С лампой и провод 120 8 и 9 индуктивно сг 5 зан Выходной контур 1.;ап,)Яжепис к апо;ам 2 1:5 юдводитс 51 от РСтоРРка постояпноГО ток 12 через вторичну 10 обмотку модуляционого трансформатора 13. Б цсць Одного из аподов, Б данпо) с,учас анода 2, Бклюсп реостат 14. ;г0 Д 1 СТ ВОЗМОЖНОСТЬ СОЗДБ П Ь и но 2 Х ПЕР 2 ВЕНСТБО ПОСТОЯННЫХ поте 1;,алов. Реостат 14 заееупрова копденсатороы бол.Шей е)костп 10,...

Номер патента: 233108

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Григорьев, Неганов, Правдин

МПК: H01J 23/02, H01J 25/42

Метки: магнетронного, прибор, свч, типа

...3) сцябжсцячередующимися пазами 5 и выступами 6 внаправлении магнитных силовых лииий 1 псрпецдикулярно плоскости рисунка),Благодаря этим чередующимся выступам0 Гязам в 1(оллекторной Оолясти Оорязуюгс 51участки сильного и слабого электростатического поля с резким изменением градиента электростатического поля от выступа к пазу. 11 звестно, что при резком изменении градиента5 электростатического поля, увеличивается циклоидальность электронных траекторий, притом тем сильнее. чем больше отли ше градиентов электростатических полеи в смежныхобластях. В то же время достаточно просто0 аналитически 1 ожо показать, что если 1(о;1233108 г фролова Составитсль Редактор 3 Текред А. А. Корректор А. Хухрыгина мышникова Васильева 37 П делам изоМинистро...

Номер патента: 243083

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Воскобойник, Зиангиров, Соколов

МПК: H01J 25/60, H03F 21/00

Метки: магнетронного, типа, усилитель

...(паразитных) колебаний, возбуждаемых в замедляющей системе и также могущих участвовать в формировании электронного заряда в прикатодной области.Таким образом создаются условия для формирования электронного облака исключительно входным СВЧ-сигналом.При наличии в усилителе катода, эмиссионная способность которого в значительной мере определяется высокочастотным полем, его режимом можно управлять посредством входного СВЧ-сигнала (импульсный модулятор не требуется). Для этого необходимо, чтобы катод не обладал термоэмиссией (холодный катод), а коэффициент вторичной эмиссии был умеренным,Такими свойствами обладают некоторые полупроводники из элементов четвертой и соединения из третьей и пятой групп Периодической системы элементов...

Номер патента: 329597

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Макаров, Марин

МПК: H01J 25/58

Метки: магнетронного, типа, усилитель

...область дрейфа, обозначенную углом а,введен электрод 1, имеющий потенциал, про межуточный относительно потенциалов катода 2 и замедляющей системы 3. Катод занимает все азимутальное пространство усилителя. Поверхность электрода 1, обращенная и замедляющей системе, имеет эмиттирующес 10 покрытие, так что электрод совместно с замедляющей системой образует дополнительное пространство взаимодействия с самостоятельным электронным потоком 4, проходящим вблизи поверхности замедляющей системы.15 Положение и потенциал электрода 1 подбира 1 отся исходя из необходимости равенства напряженностей постоянных полей в основном и дополнительном пространствах вза модействия усилителя и обеспечения максимального 20 токопрохождения электронного потока 5...

Номер патента: 362369

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Вител

МПК: H01J 25/58

Метки: магнетронного, типа, усилитель

...полю магнетрона и составляющая скорости волны определяется размерами и пе риодом системы. Составляющая скорости волны в осевом направлении определяется размерами системы, в том числе и периодом.Электроны, вылетевшие с катода 2, двигаются в среднем по спиральным траекториям и О имеют две составляющие скорости: азимутальную и осевую. Азимутальная составляююая скорости электронов определяется в первом приближении как в пушке Тейлора отношением составляющих электрического и маг нитного полей н углом, образованным поверхностью катода с осью. Осевая составляющая скорости электронов определяется аналогично квадратом электрического поля и углом, образованным поверхностью катода с осью, Для О усиления сигнала с высоким к.и.д. и...

Номер патента: 504115

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Кошко, Крот, Пакулин, Федоренко

МПК: G01L 21/34

Метки: магнетронного, манометрический, типа

...свой узкий диапазон и в процессе эксплуатации ие нерестраиввет;ся. Чувствительность маг ии го 1 вэ 11 ядного ,преобразователя, т, е. наклон его градуировочной характеристики (зависимости разрядного тока от давления газа внутри камеры) определяется только геометрией электродной системы и электрическим режимом вакууметра и .для данного преобразователя в данной точке характеристики является величиной постоянной. Известен мвгниторвзрядный преобразователь с холодным катодом. Он содержит цилиндрический анод, катод, выполненный в виде дисков, соединепнык сгержнем, и магниг, создающий поле вдоль ски, Преобрвзовв гель имеет чу встви гельность около 1-2 а/ т 1 ри высоком питьчолчем нгп 1 пккении 5,5 кв,,/ Составитель О. ПопавРедактор Е. Кравцова...

Номер патента: 1025754

Опубликовано: 30.06.1983

Автор: Сейдман

МПК: C23C 15/00

Метки: источника, магнетронного, мишени

...основы отматериала основы. Форма углублениязависит только от конфигурации электрических и магнитных полей,В основе, снабженной углублениемсовпадающим по форме с эрозионной канавкой и заполненным материалом покрытия, во время работы магнетронного источника будет расти эроэионнаяканавка, которая в определенныймомент совпадает с углублением, сде 50ланным в основе. К этому моментувесь распыляемый материал покрытиябудет полностью распылен, а основа. мишени распылению не подвергается.Углубление в основе мишени в форме эрозионной канавки полуцается ионВНИИПИ Заказ 1503/21Филиал ППП "Патент", г,ным распылением пластины в данном магнетронном источнике. Длительность распыления и соответственно. глубина углубления зависит от количества материала...

Номер патента: 1772217

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Заико, Рулинский, Селифанов, Фигурин

МПК: C23C 14/35

Метки: магнетронного, напыления

...скрещенных магнитном и электрическом полях непрерывным патокам атомарной фазы углерода с плотностыа превышающей плотность остаточной атмосферы камеры и с энергией конденсации не превышающей 7-1 О эВ, причем температура подложки не превышает1(72217 ОСТДРИт 851(. Ь Г 3" ГТВХрЕг Ь",УГ)Г 851)дКС рааТор О. Кравцсва Реда(стар Здказ 3317 И г д г ПодписноеВНИИ) И Га:,)дйрстБВн)Оскоми ) О изабо 6 те(и)тм и Открытиям паи Г)г(Т СССР1 1,"1035, Цасквд, Ж-ЗБ, Р;) нская ндб 4,р 5 П)раизвадственнздд 8 льс ий как)г)дтГ,атен, Г, У)кгапод, рл". Вои)д, 101 тЕМПЕРатУРУ РаВНаВВСИЯ гИСтеМЫ ГРЭфИТ- ар)маз,Предлагаемый способ имеет следу(ощи 8 отличительные признаки 3 срдь 1811 ии с прототипом, Во-первых, предлагаемый способ исключает процесс диссс цидции цикла...

Номер патента: 1785808

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Варавин, Любимов, Пилипенко, Степаненко, Татаринский, Хлебцевич

МПК: B22F 3/02

Метки: магнетронного, мишени, распыления

...6 и осуществляют совместную осадку оболочки 3, вставки 4 и порошковой заготовки 5 до требуемой толщины (фиг. 1). Отпрессованную мишень 7, находящуюся в бандаже 8, образованном компактированием вставки 4 из порошкообразного материала, извлекают из полости оболочки 3 (фиг, 2) и подвергают спеканию, После спекания бандаж 8 удаляют (при необходимости), например, распиливанием,При осадке оболочка 3 обжимает порошковую вставку 4, создавая в ней радиальные сжимающие напряжения, которые передаются также и порошковой заготовке 5. Таким образом в заявляемом способе порошковая заготовка 5 подвергается деформированию как в осевом (под действием пуансонов 1 и 6), так в радиальном (под действием упругой кольцеобразной оболочки 3) направлениях. Под...

Номер патента: 1808024

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Колосов, Наянов

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, магнетронного, нанесения, покрытий, реактивного

...кислород, до необходимого давления, К катоду-мишени 6 прикладывается отрицательный потенциал и в камере 1 зажигается разряд. Ионы рабочего газа бомбардируют и распыляют металлическую мишень 6. Продукты химической реакции активного газа и распыленного материала, осаждаясь на подложке, формируют диэлектрический слой. Одновременно пленка вырастает на поверхности первого анода. Однако эта пленка не однородна по своему составу на разных участках анода. В частности, на остриях пленка не напыляется, а во впадинах между выступами напыляется пористое покрытие, которое легко отскакивает при атмосферном давлении и комнатной температуре, Можно указать две причины подобного явления; первая - рост пленки происходит в сильно деформированном...

Номер патента: 1760776

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Вильде, Макейчев, Шофман

МПК: C23C 14/35

Метки: магнетронного, напыления, пленок, тонких

СПОСОБ МАГНЕТРОННОГО НАПЫЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, включающий формирование в магнетронном источнике магнитного поля электромагнитом переменного тока, зажигание разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях, распыление материала катода и осаждение его на подложку, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, перед осаждением осуществляют нагрев подложек магнетронным источником, причем нагрев подложек осуществляют потоком электронов, бомбардирующих подложку при выключении электромагнита на время изменения направления переменного тока.

Номер патента: 1832760

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Ключников, Левченко, Недыбалюк, Одиноков

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, магнетронного, распыления

Устройство для магнетронного распыления материалов в вакууме, содержащее выполненные с возможностью взаимного вращения подложкодержатель и магнетронную систему с анодом и двумя катодными узлами, симметрично расположенными под углом к оси подложкодержателя и включающими дисковые мишени и концентрично расположенные с нераспыляемой стороны мишеней полюсные наконечники противоположной полярности, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости распыления и увеличения коэффициента использования материала, мишени выполнены с отсеченной частью со стороны оси подложкодержателя, при этом каждый полюсный наконечник образован пересечением двух дуг окружностей с сохранением у дуги, удаленной от плоскости отсечения, прежнего радиуса полюсного...

Номер патента: 1036075

Опубликовано: 27.07.2010

Авторы: Аксенов, Горяев, Симонов, Юрков

МПК: C23C 14/42

Метки: источник, магнетронного, распыления, ферромагнитных

1. Источник магнетронного распыления ферромагнитных материалов, содержащий катод, магнитную систему с полюсными наконечниками и мишень, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, в мишени выполнена канавка, расположенная между полюсными наконечниками магнитной системы.2. Источник по п.1, отличающийся тем, что канавка расположена на поверхности мишени, прилегающей к магнитной системе.

Номер патента: 688023

Опубликовано: 10.08.2011

Авторы: Быков, Гапонов, Гольденберг, Панкратова, Флягин

МПК: H01J 23/06, H01J 3/02

Метки: адиабатическая, магнетронного, пушка, типа, электронная

1. Адиабатическая электронная пушка магнетронного типа, содержащая аксиально-симметричные катод с эмиттирующим пояском, анод и трубку дрейфа, отличающаяся тем, что, с целью расширения пределов изменения рабочих режимов пушки, в трубку дрейфа введен, по крайней мере один, дополнительный электрод, укрепленный на ее внутренней поверхности, перекрывающий 0,1-0,4 площади электронного потока.2. Электронная пушка по п.1, отличающаяся тем, что дополнительные электроды выполнены в виде пластин, установленных вдоль трубки дрейфа. 3. Электронная пушка по п.1, отличающаяся тем, что дополнительные электроды выполнены в виде полых изогнутых стержней, укрепленных торцами.

Номер патента: 1580860

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Корж, Столетов

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, магнетронного, мишень, распыления

Мишень для магнетронного распыления в вакууме, содержащая диск из распыляемого немагнитного материала с углублениями и концентричные полюсные наконечники, расположенные в углублениях, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности в работе за счет уменьшения деформации мишени при ее разогреве, углубления выполнены с нераспыляемой стороны диска, а полюсные наконечники выполнены из материала, коэффициент линейного расширения которого превышает коэффициент линейного расширения материала диска, и жестко соединены с поверхностью углублений, причем их толщина составляет 0,3-0,5 толщины диска.