C23C 14/36 — диодное распыление

Номер патента: 138791

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Иванов, Сиротенко, Спивак

МПК: C23C 14/36, H01F 10/20, H01F 41/18 ...

Метки: катодным, многокомпонентных, пленок, распылением, ферромагнитных

...пленки и уск гнитный материал под поле. Известны способы получения многокомпоненым распылением. Однако эти способы не позвки однородного состава.Для получения более однороднпроцесса распыления предлагаетсяромагнитный материал подвергаютном поле,По предлагаемому способу ферромагнитные пленки получают в газоразрядной плазме при большой плотности тока и низком давлении, Плазма в инертном газе - криптоне создается в трехэлектродной трубке, куда в пространство между катодом и анодом вводят образцы. На образцы подают отрицательные относительно катода потенциалы. На расстоянии 2 - 3 сл от распыляемого образца помещают стеклянную подложку, на которую осаждают распыляемый материал. Подложку подогревают спиралью, питаемую электрическим током....

Номер патента: 190757

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: C23C 14/06, C23C 14/36

Метки: веществ, катодны, пленок, распылением, смесей

...эти способы обладают следующими недостатками; не всегда представляется возможным приготовить сплав из исходных материалов; при распылении мозаичного катода на покрытии обнаруживается структура поверхности катода; на поверхности катода образуется пленка, обогащенная веществом с большей скоростью распыления. Для получения пленок заданных состава и толщины предлагается способ, при котором пленку на подложку наносят последовательно с каждого из изолированных друг от друга катодов, причем время выдержки под каждым катодом соответствует времени напыления пористого слоя из компонента соответствующего катода.Предлагаемый способ состоит в том, что подложку поочередно помещают под катоды из папыляемых материалов. Во избежание образования...

Номер патента: 254304

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белышкин, Первеев

МПК: C23C 14/06, C23C 14/36

Метки: пленок, тонких

...из набора пластинок распыляемьп веществ.К недостаткам этого способа относятся неоднородность имического состава пленок, трудность регулирования состава, а также сложность изготовления мозаичного катода,Предложенный способ позволяет получать пленки, однородные по химическому составу, и легко регулировать ик состав, Он отличается тем, что в качестве многокомпонентного катода используют порошкообразную смесь распыляемых веществ.Способ состоит в том, что тонкие пленки получают путем катодного распыления с использованием в качестве многокомпонентного катода порошкообразной смеси распыляемык веществ. Для изготовления пленок ц рошки распыляемык веществ смешивают в необходимойконцентрации ц полученную смесь насыпаюттонким слоем (2 - 5 лж) на...

Номер патента: 290065

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Александров, Гришин, Рюмшина, Чесноков, Шалимов

МПК: C23C 14/36, C23C 14/56

Метки: катодного, распыления

...переменного напряжения.Натекатель 7 для напуска газа расположен 10 у верхнего торца цилиндра, а откачное отверстие 8 - с противоположной стороны. Катодный экран 9 предназначен для устранения распыления катода на его нерабочей стороне, а экран 10 служит для устранения попадания 15 частиц распыляемого материала на поверхность подложек, расположенных на соседних подложкодержателях.Устройство работает следующим образом, По достижении в вакуумной камере давле ния не выше 5 10 -льи рт. ст. через натекатель вводится рабочий газ, например аргон, и давление повышается до (1 - 4) Х 10 -.н,и рт. ст.К катодам прикладывают отрицательное 25 постоянное напряжение 2000 - 6000 в. На дополнительный электрод подают 50 - 500 в постоянного напряжения или...

Номер патента: 297709

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гскнвг, Корнеев, Тюнькин, Чернышев

МПК: C23C 14/36

Метки: ионного, напыления, пленок

...полюсу источника напряжения, а широкая часть трубы служит анодом и может быть либо заземлена, либо находиться под небольшим относительно земли смещением. Подложкодержатель электрически нейтрален и в поддержании разряда не участвует. Расстояние между трубой и боковой поверхностью катода 4 выбрано таким, что разряд здесь це возникает и возникает лишь тогда, когда до -- 4,. В этом случае труба перестает служить экраном ц становится анодом.Для интенсификации разряда служит магнит 4, который одновременно играет роль магнитного затвора для заряженных частиц, Магнитное поле не пропускает к поверхности297709 Предмет изобретения Составитель Н, Герасимова Редактор А, В. Корнеев Техрсд 3. Н, ТараненкоКорректоры; В. Петрова и Е. Ласточкина Заказ...

Номер патента: 315723

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Квасников, Мешков, Радванский, Цветков, Шалимов

МПК: C23C 14/36

Метки: катодного, распыления

...темного катодного пространства, и заземлены, Анод (анод-подложкодержатель) 4 расположен напротив катода в том месте, где нет экранов 2 и 3. Лнод заземлен, Экран 5 расположен напротив нерабочей поверхности катода 1 на расстоянии, меньшем глубины темного катодного пространства. Катод 1, анод 4 и экраны 2, 3 и 5 разметцены в вакуумной камере 6. Газ из камеры откачивают через отверстие 7. Высокое напряжение на катод по. дают через высоковольтный ввод 8. Камеру наполняют рабочим газом через отверсгие 9, Подложки 10, на которые напыляют распыляемый материал, расположены напротив центра отверстия между экранами 2 и 3.Устройство для катодного распыления работает следующим образом. После откачки рабочего объема камеры до вакуума 10 о хгл рт....

Номер патента: 388061

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Васильев, Лабудин

МПК: C23C 14/36

Метки: катодного, распыления

...катода 2, анод 3, экран 4, высоковольтный токоввод 5, 1 - расстояние 2 между катодами, д - диаметр катода, 1 г - расстояние между анодом и осевой линией катодов, и - число катодов.В цилиндрическом катоде 1 высверливается отверстие для держателя 2. Для получения 2 более хорошего теплового и электрического контакта держатель 2 может быть припаяв к катоду 1. Оси отдельных цилиндрических катодов расположены параллельно в одной плоскости. 3 ости, параллельоложенной с одран 4 защищает атода , высоко. минус высокого у плоск в н расп и ее. Эг тель 2 к по ает 1 ические катоды размег. Причем при данных 1 - гК2долхспо быть больтодного пространства. дом 3 и осевой линиейтакже больше размепространства. Более пределяется эксперния равномерного...

Номер патента: 396451

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Александров, Шалимов

МПК: C23C 14/36, C23C 14/50

Метки: катодного, распыления

...наблюдается значительная,потеря распыляемого материала, происходящая за счет осаждения его на стенки разрядной камеры, что снижает производитель- Е 1 ОСТЬ.Цель изобретения - повышение производительности.Для этого устройство снабжено дополнительными подложкодержателями, выполненными в виде полых усеченных конусов и укрвпленных между плоскими подложкодержателями и катодами.На чертеже представлено предлагаемое устройство для катодного распыления. Устройство состоит цз вакуумной камеры 1,внутри которой расположены дисковые катод 1 2 и дисковые подложкодержатели д, заключенные в разъемный полый цилиндр 4, вьиполненцый в виде двух цилиндрических поверхностей. Нд внутренней поверхности цилиндра укреплены дополнительные подложкодЮржатели...

Номер патента: 405215

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: C23C 14/02, C23C 14/36, C23C 14/56 ...

Метки: катодного, распыления

...10, 11, и блока очистки, снабженного заслонками 12, 13, 14 и 15, электрически соединенными с камерой 1. Катоды 2, 3, 4, 5 и заслонки 12, 13, 14, 15 смонтированы по обе стороны механизма перемещения. Тележки 10, 11 и катоды 2, 3, 4, 5 соединены с источником переменного напряжения.Устройство работает следующим обра"эм.Металлические подложки 6 и 7 укрепляютвертикально на тележках 10, 11 и помещают кахкдую между двумя заслонками 12, 13, 14 и 15. Затем камеру 1 откачивают до необходимого давления и заполняют рабочим газом.Каждая подложка посредством тележек 10 и 11 соединена с источником переменного напряжения, величина которого - порядка 3000 - 4000 в, Во время соответствующего пол периода каждая подложка является като 2 п дом и...

Номер патента: 382772

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Есо, Ордена

МПК: C23C 14/36, C23C 14/50

Метки: 1вдтентно-текшпег, чет

...нан подложки в,од Цель изобр на обе сторонмощью механизма, состоящего из шестерен б и 7, одна из которых монтирована на оси 8, а другая - на оси 9, соединенной с вращающимся шлифом и механизмом вращения (на 5 чертеже не показаны). Вакуумная камераставится на металлическую плиту 10, соединенную с откачной системой. На плите монтировано распылительное устройство. Высота каждой .из оправив примерно на 0,5 лтм меньше О половины толщины покрываемой детали. В,одну из оправ помещается подложка, а другая ответная оправа ставится сверху и соединяется с помощью скоб 5, соединенных с осями 8, вставленными в пазы стоек 11. Катоды 15 шарнирно соединены со стойками 12 и подьемными механизмами 18 (на чертеже катоды ,1, 2 показаны в нерабочем...

Номер патента: 382773

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Воронцова, Гендин, Доброхотов, Кавказский

МПК: C23C 14/36

Метки: катодного, распыления

...в основание катода 2 ц при своем движении его поднимает или опускает, Для уменьшения трения и обеспечения движения на свободном конце штанги 11 закреплен на осц ролик 14, имеющий наружную поверхность, закругленную по радиусу. Ролик свободно вращается на своей осп и своим наружным диаметром постоянно находится в соприкосновении с нерабочей поверхностью основания катода 2. Вращение ролика происходит от соприкосновения с основанием катода 2. Стойки 4, 5 расположены на одной прямой, но смещены одна относительно другой от центра плиты 15 на величину 1, чтобы катоды прцгзочередном подъеме или опускаи: ( задевали др 1 г,дрмга.Устройство работает следующим образом.Напыляехгая подложка 16 креццпгся ца держателе 1, в центре которого...

Номер патента: 1078957

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Гуревич, Назиков, Потехин

МПК: C23C 14/36

Метки: испаритель, электродуговой

...испаритель состоит из расходуемого катода 1 с зоной испарения 2, ограниченной электростатическим электроизолированным экраном 3. На периферии зоны испарения катода 1 размещена стойка 4, выпол" ненная из немагнитного электропроводящего материала, ориентированная всторону, противоположную месту подвода тока к испарителю. На стойке состороны, противоположной зоне испарения 2 расходуемого катода 1, установлена система поджига 5 в виде поджигающего электрода б, отделенного отстойки 4 изолятором 7,Электродуговой испаритель работает следующим образом.При подводе импульсного напряжения к поджигающему электроду б осуществляется пробой по поверхности изолятора 7 и на поверхности стойки 4 воз-;никают катодные пятна, перемешающиеся, согласно...

Номер патента: 1053525

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Гуревич, Назаров, Турченко

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, возбуждения, дугового, разряда

...устройство возбуждения дуговогоразряда в вакууме, содержащее по следовательно расположенные катод, изолятор и поджигающий электрод., снабжено размещенным между катодом и изо-.35лятором прикатодным электродом из немагнитного материала.На фиг. 1 изображено предлагаемоеустройство для торцоного катода; нафиг. 2 - то же дляцилиндрическогокатода.Устройства содержит расходуемьпкатод 1 с испаряемой поверхностью 2,поджигающий электроц 3, соединенныйс импульсным источником питанияизолятор 5, размещенный вче зоны испаренияи прикатодный эле ктрод 6 Устройство возбуждения дугового разряда работает следующим образом.При включении источника питания 4 происходит пробой по поверхности изолятора 5 между поджигающим 3 и прикатодным 6 электродами....

Номер патента: 1075748

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Гуревич, Назиков

МПК: C23C 14/36

Метки: испаритель, электродуговой

...достигается тем,что электродуговой испаритель, со" держащий расходуеиый катод, окруженный прикатодным электроизолированным экраном, и заземленный фланец, снаб-жен дополнительным прианодным экраном и изолятором, размещенными междуприатомным экраном и фпанцем испари" . теля.. юНа чертеже представлена конструкция электродугового испарителя.Испаритель содержит расходуемый 50атод 1 с рабочей зоной испарителяматериала, ограниченный прикатоднымэкраном 2, который с помощью изолятора 3 электрически отделен от дополнительного прианодного экрана 4, укреп ленного на изоляторе 5 испарителя,электрически изолирующего катод 1 отэазеиленного Фланца 6 испарителя. Электродугоной испарнтель работает следующим образом,Катодю 1 е пятна, являющиеся...

Номер патента: 1437412

Опубликовано: 15.11.1988

Автор: Кервалишвили

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, нанесения, пленок

...НОСТИ:: г,; - сНИЯ ЕГО:ГО ПСВЕРХНОСтн Г гг О:,КИ.ЯЕРТСХ(Е РИНЕГЕНЯ (г ХМЗ СТ 10 ГГ "В ГГ 5гв. е:, - .;к "3 втк ууме .Ус.трорствс сс(.-. сит и.каер ы 1 с ря звя,Г:0 систояп:,еиз ссссно расол . синь.: - ; иЦРГ 1 ЕС КОГО ЯНСДИ,.с З)".Е НЬ ((ВЦ,) В ЬГХ " О 3 ЕГ; Н ГЗ С ";, КИ 4 ВЬ 33;)ЛГЕННЫ)( ИЗ Р., ГгЯ".Г . (Стерияля, КаО 3 имс((1расочяя Г 013 ерх 1 с. ь кг(1 . с, О;(ссыть п(10 с К СЙГ ист 1 БогГт с, (л т,тн е Йподложко(еркятл ь ." .стие кот ср Ого вы 10 н елоЬ е у с("(ОТЕНЦИЯ 3 СЬ ра Пт О: О Устрсис,тт)о тебстаст . 1 . т Г Гь;,(,разом, гва у " ."(3 кя теснтя5иертЬГГЙ гзз - арГГ дс л" (Г " ия;,Г;-); " - я- НСГО; " ГЯ.Л 51 ".ОГО,ОСЬ Г )Сцс В". ( .Ь б)0)".б 13 дир ЗВКу ПО,П - 1 с 5 С.г,:;", - ;, е;тро(Я)и.а Цисксвыи -.т тс...

Номер патента: 1075751

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Кодыков, Матросов, Стрижков

МПК: C23C 14/36

Метки: испаритель, проводящих, электродуговой

...материалов, т,к. испарение ряда материалов вакуумной дугой сопряжено со значительными трудностями, обусловленное нестабильностью разряда, определяемоетеплофизическими свойствами материала расходуемого катода.Цепью изобретения является расширение технологических возможностей испарителя.Поставленная цель достигается тем, что электродуговой испаритель проводящих материалов, содержащий расходуемый катод из испаряемого материала, анод-камеру, поджигающий электрод и источник электропитания, снабжен электроизолированными тиглями, размещенными в аноде- камере, и дополнительными источниками электропитания, положительный полюс которых подключен к тиглям, а отрицательный - к аноду-камере.Конструкция испарителя поясняется...

Номер патента: 1385639

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Кричков, Подсухин, Савостиков

МПК: C23C 14/36

Метки: ионно-плазменного, мишени, распыления

...смеси.Поджцг осу 1 ествлялся путеи разряда конденсатора,емкостью 200 мкф, заряженного до 3 кВ, через изолированныйтокопвод 1 в верхнем пуансоне 3Сразу же после подачи поджигающего импу 1 ься ця электрод и воспламенениесмеси лоро)пковых компонентон осуществляпц прессовяцие под давлением(.О - 500) кгс/си . После оксГнчация реакции высокотемпературного синтеэ продолжительностью не более"пп 1 ГГГец 1 иэвлекалясь иэ раэборцой прессформы, Общее время изготовления иии.еци момента формовянияЭЯГОТ 011 К 11 ПОДЖЦГс 1С 1 ЕКЯЦ 1%Я Ц ГГЭНЛР" чецця мишецц иэ прессформы состаВГГяло це более 10 миц, Образцы спеченного мате риала ис следов алис ь на дифрактомере ДРОНс целью определения фазового состава.ДГГяпаэон давления 30 - 200 кгс/см н момент...

Номер патента: 1062308

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Головин, Гончаренко, Дмитриев, Колпаков, Маслов, Пикуль

МПК: C23C 14/36, H05H 1/24

Метки: генератор, импульсный, плазмы, углеродной

...приведена схема импульсного генератора углеродной плазмы,Генератор состоит из графитового расходуемого катода 1, графитового анода 2 и системы поджига, содеркащей дополнительный кольцевой графитовый электрод 3, графитовый кольцевой поджигающий элеквставкой 5,.и кольцевой анод б поджига, охватывающий с зазором катод 1 генератора. Дополнительный электрод (катод) 3 системы поджига имеет конусообразную поверхность, причем нормаль к каждой точке этой поверхности пересекается с торцовой рабочей поверхностью катода 1 генератора, Поверхность анода б поджига, обращенная к дополнительному электроду 3 системы поджига, также имеет коническую форму. Геометрия электродов 3 и 4 системы поджига такова, что экранируется . внутренняя поверхность...

Номер патента: 1074145

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Гончаренко, Дмитриев, Колпаков, Маслов

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

...камеру-анод, поджигающий электрод ипоследовательно установленный стабилизирующий и фокусирующий соленоиды,расходуемый катод установлен эксцентрично относительно оси симметрии камерыанода и соленоидов и смещен в сторонуподложки, а подложка размещена за пределами фокусирующего соленоида вне зоныпрямой видимости со стороны расходуемого катода.Сущность изобретения состоит в том,что эксцентричное расположение катодапозволяет получить плазменный поток с явно выраженной направленностью, соответствующей искривлению силовых линиймагнитного поля, так как величина напряженности магнитного поля уменьшается внаправлении подложки,На фиг, 1 изображено описываемое устройство, продольный разрез, и направление силовых линий магнитного поля,создаваемое...

Номер патента: 1394742

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Веселов, Джумалиев, Котелянский, Крикунов, Лузанов

МПК: C23C 14/36

Метки: нанесения, окиси, пленок, пьезоэлектрических

...векторами магнитного поля, параллельно мишени на расстоянии 40 мм от нее. Рабочий объем вакуумной установки откачивают до предельного давления 2 10 Па, подложку1394742 Составитель В,ОдиноковТехред М.Моргентал Корректор Л,Пилипенко Редактор Т,Шарганова Заказ 561 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раун.скэя наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. ужгород, ул.Гагарина, 101 и поддерживают давление на уровне 0,2 Па. После этого на мишень подают отрицательное напряжение 450 В и устанавливают ток 1 А. При этом нэд поверхностью мишени образуется зона скрещенных электрического и магнитного полей, которые локализуют разрядную плазму в этой зоне. В указанных...

Номер патента: 1401918

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Лантратова, Любин

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, мишени, распыления, стеклообразных, халькогенидных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ ДЛЯ РАСПЫЛЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, включающий нанесение на электропроводное основание суспензии порошка халькогенидного материала, сушку, оплавление порошка, отжиг полученной заготовки с последующим ее охлаждением, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса, перед нанесением суспензии порошка халькогенидного материала на часть поверхности основания наносят суспензию порошка оксидного стеклообразного материала с дисперсностью частиц 150 - 200 мкм с последующей сушкой и оплавлением порошка при температуре на 80 - 100oС выше температуры размягчения порошка в течение 30 - 40 мин и охлаждением, нанесение суспензии порошка халькогенидного...

Номер патента: 1297504

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Колесов, Сейдман

МПК: C23C 14/36

Метки: пленок, соединений, химических

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ХИМИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ, включающий распыление металлической или полупроводниковой мишени в смеси инертного и активного газов плазмой разряда, имеющего вольт-амперную характеристику с динамическим сопротивлением, большим статического при стабилизации тока и напряжения разряда в процессе распыления, причем один из параметров стабилизируют источником питания, а другой - посредством регулировки потока активного газа, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости свойств пленок за счет повышения устойчивости режима разряда, источником питания стабилизируют ток разряда, а регулировкой потока активного газа - напряжение разряда, при этом в процессе распыления поток инертного газа поддерживают постоянным.

Номер патента: 1332866

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Сейдман, Смирнов

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, ионно-плазменного, распыления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее катод с дисковой мишенью, магнитную систему с концентричными полюсными наконечниками, расположенными с зазором один относительно другого с нерабочей стороны мишени и эксцентрично оси симметрии мишени, перпендикулярной ее плоскости, отличающееся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса распыления мишени, мишень установлена с возможностью периодического поворота относительно ее оси симметрии на угол , определяемый из выражения = , при этом уголa...

Номер патента: 1632088

Опубликовано: 10.04.1995

Автор: Попов

МПК: C23C 14/36, H01L 21/203

Метки: ионной

...регулируют так, чтобы поддерживать постоянное давление Р 1 химического активного газа над поверхностью мишени или подложки,Р будет определяться соотношением: где Он.г.п. - поток газа, поглощенного нераспьляемь 1 м газопоглотителем 10;Ян.г,п, - СКОРОСТЬ ОтКаЧКИ ВСТРОЕННОГО насоса по выбранному 1-газу, формирующеМу ПОТОКИ Ояк 1 И Ояк 2. ДаВЛЕНИЕ Р 1 ОбЕСПЕ- чивает ббразование соединения требуемой стехиометрии, которое определяет или скорость распыления мишени, или конечный продукт напыленной пленки. Разогретый газопоглотитель поглощает все химически активные газы с разными скоростями в зависимости от температуры его отдельных зон и энергии сорбции, В результате внутри его цилиндрической полости, где расположены мишень и подложка, общее...

Номер патента: 1240076

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Дудкевич, Клевцов, Мухортов, Свиридов

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, ионно-плазменного, распыления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее рабочую камеру с окном, катодным узлом, содержащим электрод с закрепленной на нем диэлектрической мишенью, соединенный с ВЧ генератором и подложкодержатель, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения надежности в работе, мишень закреплена герметично в окне, а электрод расположен вне рабочей камеры.

Номер патента: 1066230

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Андросенко, Ерекин, Игонин, Колесникова, Кошелев, Крафт

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

УСТАНОВКА ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, содержащая рабочие и шлюзовую камеры с подложкодержателями и механизмами их перемещения, а также магазин подложкодержателей с приводом, размещенным в шлюзовой камере, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности, шлюзовая камера размещена между рабочими камерами, а механизмы перемещения подложкодержателей установлены с возможностью их передвижения между рабочими камерами через магазин подложкодержателей.

Номер патента: 1300975

Опубликовано: 10.11.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/36

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий формовку материала мишени, обжиг, измельчение и повторную формовку с обжигом, обработку материала мишени в вакууме путем пропускания через него тока, отличающийся тем, что, с целью повышения долговечности мишени, перед обработкой материала мишени в вакууме проводят селективную металлизацию поверхности мишени, а пропускание тока осуществляют поочередно через участки металлизации с последующим их удалением.

Номер патента: 1300976

Опубликовано: 10.11.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/36

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий формовку заготовки, ее обжиг, измельчение, повторные операции формовки и обжига и обработку заготовки током разряда в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса, обработку заготовки током разряда в вакууме проводят при давлении не более 6,65 10-1 Па.

Номер патента: 1271132

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, ионно-плазменным, нанесения, пленок, распылением, сегнетоэлектрических

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее диэлектрический держатель с дисковой мишенью, размещенную между ними дисковую электропроводную прокладку, токоподвод и узел разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет повышения равномерности распыления мишени, токоподвод выполнен в виде кольца, примыкающего к боковой поверхности мишени, а диаметр прокладки составляет 0,5-0,75 диаметра мишени.

Номер патента: 1274339

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Левченко, Пасичный

МПК: C23C 14/36

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий синтез компонентов заготовки путем расплавления лучистым нагревом, измельчении заготовки, формовку и обжиг мишени, отличающийся тем, что, с целью повышения качества мишени путем увеличения плотности компонентов, измельчение заготовки проводят в процессе синтеза компонентов путем центробежного распыления расплава заготовки.