C23C 14/35 — с использованием магнитного поля, например распыление магнетроном

Номер патента: 1747538

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Акулович, Афанасенко, Гальго, Кадников, Кожуро, Мрочек

МПК: B22F 3/00, C23C 14/35

Метки: нанесения, покрытий, ферромагнитных

...роликом обеспечивает разогрев сформированного в рабочей зоне наконечника15 электромагнита поверхностного слоя электрической дугой. Последующее обкатываниеразогретого поверхностного слоя снижаетшероховатость и волнистость поверхности,уменьшает количество концентраторов маг-20 нитного поля и как следствие эрозию покрытия при дальнейшем наращивании дозаданной толщины. При этом угольный электрод устанавливают нормально к обрабатываемой поверхности, ибо в противном25 случае, как показали выполненные эксперименты, пятно дуги приобретает эллиптическую форму с расширением зонытермического влияния, что приводит к неравномерной твердости упрочняемой по 30 верхности,Угольный электрод закреплен в держателе вибратора, совершающем...

Номер патента: 1758085

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Горин, Дегтева, Корницкий, Кыласов

МПК: C23C 14/35

Метки: вакуумного, диэлектрической, напыления, пленки, тонкой

...поглощения пленки диэлектрика от содержания азота в смеси аргон-азот. Зависимость, имеет явный минимум соответствующий 60% азота (40% Аг). Резкое повышение коэффициента поглощения с уменьшением содержания азота (с повышением содержания аргона), по-видимому, связано с появлением в пленке нестехиометрического кремния. При содержании азота более 60% коэффициент поглощения также возрастает, хотя и не так резко, что, по-видимому, связано с избытком азота в пленке. Таким образом, оптимальное соотношение аргон-реактивный газ 40%:60%.На фиг,2 показана зависимость коэффициента поглощения от содержания в смеси 40% Аг-(60-х)% М 2-х %02 кислорода. При содержании кислорода менее 6% коэффициент поглощения начинает резко возрастать, при...

Номер патента: 1772217

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Заико, Рулинский, Селифанов, Фигурин

МПК: C23C 14/35

Метки: магнетронного, напыления

...скрещенных магнитном и электрическом полях непрерывным патокам атомарной фазы углерода с плотностыа превышающей плотность остаточной атмосферы камеры и с энергией конденсации не превышающей 7-1 О эВ, причем температура подложки не превышает1(72217 ОСТДРИт 851(. Ь Г 3" ГТВХрЕг Ь",УГ)Г 851)дКС рааТор О. Кравцсва Реда(стар Здказ 3317 И г д г ПодписноеВНИИ) И Га:,)дйрстБВн)Оскоми ) О изабо 6 те(и)тм и Открытиям паи Г)г(Т СССР1 1,"1035, Цасквд, Ж-ЗБ, Р;) нская ндб 4,р 5 П)раизвадственнздд 8 льс ий как)г)дтГ,атен, Г, У)кгапод, рл". Вои)д, 101 тЕМПЕРатУРУ РаВНаВВСИЯ гИСтеМЫ ГРЭфИТ- ар)маз,Предлагаемый способ имеет следу(ощи 8 отличительные признаки 3 срдь 1811 ии с прототипом, Во-первых, предлагаемый способ исключает процесс диссс цидции цикла...

Номер патента: 1808024

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Колосов, Наянов

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, магнетронного, нанесения, покрытий, реактивного

...кислород, до необходимого давления, К катоду-мишени 6 прикладывается отрицательный потенциал и в камере 1 зажигается разряд. Ионы рабочего газа бомбардируют и распыляют металлическую мишень 6. Продукты химической реакции активного газа и распыленного материала, осаждаясь на подложке, формируют диэлектрический слой. Одновременно пленка вырастает на поверхности первого анода. Однако эта пленка не однородна по своему составу на разных участках анода. В частности, на остриях пленка не напыляется, а во впадинах между выступами напыляется пористое покрытие, которое легко отскакивает при атмосферном давлении и комнатной температуре, Можно указать две причины подобного явления; первая - рост пленки происходит в сильно деформированном...

Номер патента: 1816288

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Беришвили, Гадахабадзе, Схиладзе

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, ионно-плазменного, многокомпонентных, нанесения, пленок

...систем ионна-плазменного напыления иэ заявки-прототипа,Остальные исходные данные (количественное соотношение компонентов в пленке) взяты иэ целей задачи получения многокомпонентнцх покрытий, либо являются справочными (1, 01, Р )Отметим также, что данные, приведенные в заявке в таблицах 1 и 2, подтверждены конкретнцми практическими расчетами и экспериментальными результатами.Ниже для наглядности приведен пример расчета возможных конструкций мишени с разной степенью дробления колец из одного и того же компонента для получения трехкомпонентной пленки с заданным стехиометрическим составом:А 158 Т 114 5128.Здесь за основу мишени был взят алюминий, Общие размеры мишени взяты прежними (В = 40 мм, го = 13,46 мм). Остальные исходные данные,...

Номер патента: 1818358

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Барченко, Заграничный, Мерник

МПК: C23C 14/35

Метки: магнетронное, распылительное

...камера, 8- источник питания. Устройство работает следующим образом.Вакуумная камера 7 откачивается до давления - 10 -10 мм рт,стпосле чего в нее подается плазмообразующий газ, обычно аргон, Затем между катодом 1 и анодом 3 подается напряжение от источника питания 8,В устройстве зажигается аномальный тлеющий разряд. Электроны, имитированные поверхностью катода, двигаются у поверхности катода. где вектор электрического поля перпендикулярен вектору магнитной индукции (Е В) в холловском направлении по циклоидальным траекториям, причем холовское движение электронов направлено в противоположную относительно. анода сторону. При этом у поверхности катода создается плазма с высокой концентрацией, После выхода из зоны действия магнитного поля...

Номер патента: 1832134

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Батуев, Семенов

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

...ионов аргОна, Ускоренные (напряжение извлечения 8-10 кВ) ионь попадают на дополнительнуо мишень 11, которая в этом случае находится в верхнем положении на уровне подложек, При таких высоких напряжениях удается получить пучок ионов током 5-10 мА с мал.м углом расходимости Зо, изменением формы и положения эмиттирующей плазменной поверхности. В результате падения ионов на мишень 11 образуется поток распыленных атомов сорта В, которые на поверхности основной мишени 1 образуот танкуо пленку, После этого отключается источник ионов и снова запускается магнетрон, и атомы сорта В переносятся на ростовуО поверхность подложек 9, где уже сформирована пленка из атомов сорта А, Таким образом, на определенную глубину в тонкую пленку 10 20 25 30 32 -"0...

Номер патента: 1707995

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Валеев, Глебов, Железнов, Кузьмин, Лезгян, Фишель, Хрусталев

МПК: C23C 14/35

Метки: интегральных, межсоединений, металлизации, схем, формирования

...камере держать относитезльно высокое рабочее давление (7 10 - 1 10) мм рт.ст, и обеспечивать откачку диссорбированных атомов гаэоотделения со стенок рабочей камеры при значительном их нагреве во время процесса распыления сплавной мишени АТ 0,5, для стабильности режимов распыления подбирают размер щели между рабочей и общей камерами или в камере делают калибровочное отверстие, чтобы одновре 10 15 20 25 30 35 40 менно обеспечить сопротивление газовому потоку откачки и выдержать необходимый перепад давлений. При этом необходимо отрегулировать подачу плазмообраэующего Аг и откачку потока газоотделений, при этом необходимым условием является Ррвб.квмерыРдегвзвции+ Р дг где РдгРдегазвций активных примесей, в составе Рдегвзвции пик М 2 должен...

Номер патента: 1760776

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Вильде, Макейчев, Шофман

МПК: C23C 14/35

Метки: магнетронного, напыления, пленок, тонких

СПОСОБ МАГНЕТРОННОГО НАПЫЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, включающий формирование в магнетронном источнике магнитного поля электромагнитом переменного тока, зажигание разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях, распыление материала катода и осаждение его на подложку, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, перед осаждением осуществляют нагрев подложек магнетронным источником, причем нагрев подложек осуществляют потоком электронов, бомбардирующих подложку при выключении электромагнита на время изменения направления переменного тока.

Номер патента: 1665717

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Ванин, Кремеров, Малинов, Сырчин

МПК: C23C 14/35

Метки: ионизатором, магнетронное, распылительное, термоэлектронным

...предложенном размещении электродов МРУ отрицательный по тенциал катода-мишени будетспособствовать отталкиванию электронного пучка при устремлении его к аноду МРУ.При возбуждении плазмы, которая имеет некоторый положительный потенциал, вли яние катода ослабнет, а возникшая разность потенциалов между термокатодом и плазмой будет способствовать эффективному введению в плазму электронного пучка.При размещении термокатода и анода уст ройства возможны два варианта: термокатод в центре, а кольцеобразный анод на периферии или анод в центре, а кольцеобразный термокатод на периферии, Роль полости катода заключается в формировании 25 электронного облака и выполнении дополнительной роли отражательного электрода для электронов, поскольку при...

Номер патента: 1697453

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Левченко, Недыбалюк, Одиноков

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, ионно-плазменного, распыления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, преимущественно на вращающуюся вокруг своей оси подложку, содержащее магнетронную систему, состоящую из катода с мишенью и полюсных наконечников, подложкодержатель и анод, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента полезного использования распыленного материала, оси симметрии подложкодержателя и мишени образуют угол 18 26o, а центр мишени смещен от оси подложкодержателя на величину (0,18 0,27) D мм, причем средний диаметр зазора между полюсными наконечниками равен 0,75 D мм, где D диаметр подложкодержателя, мм.

Номер патента: 1828140

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Васильев, Сапронов, Скиргелло, Чайрев

МПК: C23C 14/35, C23C 14/56

Метки: вакууме, ленты, металлизированных, полиимидной

...не вносит заметно- сколько-нибудь заметному короблению, го вклада в величину внутренних механиче- В табл.3 приведены примеры нзнесеских напряжений наносимого металла; т.е. ния слоя металла 10 на поверхность подсохраняет ровность подложки 1 и не пРиво- ложки 1 из полиимидной пленки (ширина дит к ее короблению(фиг.1). 25 пленки - 140 мм) в случае использования вПосле этого проводят второй этап нане- качестве металла алюминия и меди.сения слоя металла: повышэютдавлвние ар- При меньшем; чем указано в табл.З натягоно-водородной смеси до величины, при жении подложки, она недостаточно плотно которой осаждаемый слой нв имеет вну 1- контактирует с поверхностью металличереннихнапряжений,ипроводятпроцессна ского барабана 2, что приводит к ее...

Номер патента: 1737933

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Марченко, Розенфланц

МПК: C23C 14/35

Метки: катодный, узел

КАТОДНЫЙ УЗЕЛ для магнетронного напыления кислородсодержащих тонких пленок, содержащий катод-мишень с конусной рабочей поверхностью, магнитную систему и заземленный экран, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет снижения неоднородности состава пленок на подложках большого диаметра, рабочая поверхность катода-мишени выполнена в виде выпуклого конуса с углом при его вершине, где = 120-160 .

Номер патента: 1832760

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Ключников, Левченко, Недыбалюк, Одиноков

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, магнетронного, распыления

Устройство для магнетронного распыления материалов в вакууме, содержащее выполненные с возможностью взаимного вращения подложкодержатель и магнетронную систему с анодом и двумя катодными узлами, симметрично расположенными под углом к оси подложкодержателя и включающими дисковые мишени и концентрично расположенные с нераспыляемой стороны мишеней полюсные наконечники противоположной полярности, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости распыления и увеличения коэффициента использования материала, мишени выполнены с отсеченной частью со стороны оси подложкодержателя, при этом каждый полюсный наконечник образован пересечением двух дуг окружностей с сохранением у дуги, удаленной от плоскости отсечения, прежнего радиуса полюсного...