H01F 10/08 — отличающиеся магнитными слоями

Номер патента: 167540

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: H01F 10/08, H01F 13/00

Метки: 167540

...пленки ориентируют пар линиям магнитного поля 3 оянного смещающеаметроне, выполненой магнитной плено, с целью упрощетве указанного поля ле Земли, причем ичпвания магнитной аллельно силовым емли. Подписная рр ппа,/о Известные способы получения постоянного смещающего магнитного поля в параметронах, выполненных на тонкой магнитной анизотропной пленке, сложны, так как требуют отдельных источников тока для питания магнитных полей.Предложенный способ отличается от известных тем, что в качестве постоянного смещающего поля используют магнитное поле Земли, причем ось наибольшего намагничивания магнитной пленки параметрона ориентируют параллельно силовым линиям магнитного поля Земли. Величина напряженности магнитного поля Земли и стабильность...

Номер патента: 1822504

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Гаврилюк, Кошкина

МПК: H01F 10/06, H01F 10/08

Метки: магнитостатически, пленок, связанных

...подложку методом термического испарения сплава.70 Ге - 30 й получают пленку толщиной 0,1 мкм, являющуюся однофазной(а- фаза). Микроструктура таких пленок представляет собой конгломерат разориентированных кристаллитов размером 50 - 100 А. Последующая термическая обработка приводит к образованию некоторого количества у ферромагнитной фазы в виде областей размером 1500-7000 А, Варьировать условия формирования у фазы. которые определяют размеры этих областей, можно, используя различные скорости нагрева пленок и длительности их отжигав, Ка полученный магнитожесткий слой нвпь зяют слой магнитомягкого материала ионно1822504 Формула изобретенияСпособ получения магнитостатически связанных пленок, включающий нанесение на диэлектрическую...