C23C 16/40 — оксиды
Установка для нанесения металлоокиснойнленки
Номер патента: 287492
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Балахонова, Болгарина, Майзелис, Рабинович, Шванке
МПК: C23C 16/40
Метки: металлоокиснойнленки, нанесения
...7,связанных посредством кулачкового вала сприводом (на чертеже не показаны). 30 Детали (трубчатые основания) из вибробункера 8 по направляющей трубке 9 поступают в обогревательную трубку 10, где прогреваются до 800 - 850 С и по выходе из последней направляются на спицу. Двигаясь под тяжестью собственного веса по спице, детали взаимодействуют в реакционной камере с двигающимися им навстречу парами рабочих растворов, предварительно нагретых до б 00 - 650 С в испаритсле, разделенном на два отсека, что создает равномерное распределение рабочих паров в реакционной камере. В испарителе находится ограждающая керамическая трубка 11, предохраняющая проводящую пленку детали, вышедшая из реакционной камеры, от вкрапливанпя продуктов неполного...
Состав для нанесения оксидохромовых покрытий
Номер патента: 1708921
Опубликовано: 30.01.1992
МПК: C23C 16/40
Метки: нанесения, оксидохромовых, покрытий, состав
...пленок.П р и м е р. 2, В качестве исходного металлорганическогд соединения используют бис-этилбензолхром и многоатомный спирт в процентном соотношении 16,5:83,5, который подают из дозатора в камеру металлизации со скоростью 1-1,5 мкм/мин, Температура нагрева подложек 420 С. Температура испарения смеси 210"С, давление в камере металлизации 10-2 мм рт.ст. Количество кислорода, поступающего в камеру, 0,3 смз/мл (10 об.).При таких условиях получают пленку с неустойчивыми электрическими свойствами, адгезия к подложке ухудшается. ление в камере метаялизации 10- мм рт. ст. Количество кислорода, поступающего в камеру, 0,5 смз/мл.При таких соотношениях при осаждении получают пленку с удельнь 1 м сопротивлением ) = 10 - 10 1 Ом фсм....
Способ получения сверхпроводящих керамических покрытий типа купратов с перовскитной структурой
Номер патента: 1728307
Опубликовано: 23.04.1992
Авторы: Ипатов, Рычагов, Свалов, Сытников, Томенко, Трубицына
МПК: C23C 16/40, C25D 11/02, C25D 3/38 ...
Метки: керамических, купратов, перовскитной, покрытий, сверхпроводящих, структурой, типа
...термически неустойчивые соли висмута, кальция и стронция, а термодиффузионный отжиг проводят при 780 - 850 С,Окисный слой на изделиях с покрытиями из меди или сплавов меди получают электро- химическим оксидированием в щелочном электролите 800 - 1200 г/л КОН при 110 - 140 С и плотности тока 0,2 - 5,0 А/дм, что позволяет сформировать объемно развитую ориентированную преимущественно в перпендикулярном поверхности направлении структуру. Оксидное покрытие пропитывают раствором или расплавом солей металлов, дополняющих состав купратов.Для этого берут неорганические или органические соединения элементов И - Ч групп, разлагающиеся с образованием оксидов и карбонатов при температурах до 600 С.В частности могут быть использованы нитраты,...
Парогазовая смесь для получения диэлектрических оксидохромовых покрытий черного цвета
Номер патента: 1765254
Опубликовано: 30.09.1992
Авторы: Пухин, Слушков, Смирнов
МПК: C23C 16/40
Метки: диэлектрических, оксидохромовых, парогазовая, покрытий, смесь, цвета, черного
...компонентов, три из которых показали оптимальные результаты.1, На вращающийся столик рабочей камеры устанавливают изделие - алюминиевый цилиндр. Из камеры с помощью вакуумнасоса откачивают воздух, термостатируют, нагревая изделие до 400 С, затем на внутреннюю поверхность изделия подают со скоростью 2-3 мл/мин парогазовую смесь, состоящую из следующих компонентов, мас. :Хромоорганическаяжидкость "Бархос" 44Этиленгликоль 50Барная кислота 6После тридцатиминутной подачи парогазовой смеси на внутренней поверхности изделия нанесено оксикарбидо-хромовое покрытие толщиной 15 мкм с 97-98 коэффициентом диффузного светопоглощения, микротвердостью до 1700 кГ/мм электросопротивлением до 1109 Ом/см, выдерживающим напряжение 300 В и не...
Способ получения пленок двуокиси ванадия на диэлектрической подложке
Номер патента: 1832136
Опубликовано: 07.08.1993
МПК: C23C 16/40
Метки: ванадия, двуокиси, диэлектрической, пленок, подложке
...температура Т 2 На фиг.2изображена кривая гистеразиса коэффици.ента отражения от нагреваемой пленки.Способ реализуется следующим образом,40Предварительно подготовленные подложки помещаютсл в зону осажденил реактора, а необходимое количествометаллоорганическоо со дине иил ванадия- в зону испарения, Геатор откаливается,устанавливаются необходимые потоки смеси инертного газа и кислорода, устанавливаетсл рабочее давление в реакторе,Вклкчаетсл печь эоны осаждения и проводится предварительнал термообработкаподложек, Устанавливается необходимаятемпература подложек Т 2, при которой проводят процесс осаждения Ч 601 з, Включается печь зоны испарения, устанавливаетсянеобходимал температура Т 1 и проводитслпроцесс выращивания пленок Чв 01 з....