C23C 14/08 — оксиды

Номер патента: 187852

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Мищук, Цитрон

МПК: C23C 14/08

Метки: диэлектрических, нанесения, пленок

...4. под отрицат диэлектрика тель д и в в осаждается н электриков на основасоба нане- основание 5 ка произго напряром в зочивает бо. пленок по 10 редмет и Способ нанесения ди на основание, осуществ личаюи 1 ийся тем, что, степени однородности п химическому составу, производят электричес напряжения, а испарен ловым ударом в зоне в их пленок кууме, отовышения ол Шине и электрика высокого ика - тепреа порошкомходящейся 1 Известны способы испарения ди в вакууме в процессе нанесения их ние.Особенностью предложенного спо сепия диэлектрических пленок на является то, что подъем диэлектр водят электрическим полем высок жения, а испарение - тепловым уд не высоких температур. Это обеспе лее высокую степень однородности толщине и химическому...

Номер патента: 1093012

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Аношкин, Петров

МПК: C23C 14/08

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

...перемычек. сетки при ячеистой ееструктуре) к общей ее поверхности.При однородной структуре сетки коэффициент заполнения сетки (ее прозрачность) одинаков в любой ее части.При неоднородной структуре сетки коэффициенты заполнения различны вразличных частях сетки. Различие коэффициентов заполнения в, различныхчастях сетки вызвано различием периода структуры сетки, толщины ееперемычек или тем и другим,Величина прозрачности сетки с однородной структурой (с постоянным коэффициентом заполнения) является.функцией угла наблюдения - она максимальна при наблюдении по нормали кповерхности сетки и убывает с уменьшением угла наблюдения,Для сетки из плоско-параллельныхцилиндрических прутков (лежащих в одной плоскости параллельно друг другу)с диаметром...

Номер патента: 1716813

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Жиляков, Кириллин, Костановский

МПК: C23C 14/08

Метки: алюминия, нитрида, пленок, тонких

...подложки выбрана в области 150-200 фС, так как при температуре ниже 18 ООС ухудшается адгезия и прочность пленки на подложке и реальное использование пленки представляется затруднительным. Выше 20 ОС адгезия пленки удовлетворительная и ее величина с температурой практически не изменяется. Что касается скорости образования пленки нитрида алюминия, то при скорости выше, чем 400 А/мин, на подложке образуется пленка с избытком алюминия. При скорости образования пленки менее 300 А/мин уменьшается производительность способа,П р и м е р. В рабочей камере универсального вакуумного поста ВУПзакрепляют подложку, например из кварцевогостекла, в виде диска диаметром 18. мм в5 нагревателе-держателе, который установлен над...

Номер патента: 1723828

Опубликовано: 10.04.2010

Авторы: Кабалдин, Киле, Матвеев, Мокрицкий, Савчук, Хрульков, Шепелев

МПК: C23C 14/08

Метки: бора, инструмента, кубического, нитрида

Способ изготовления инструмента из кубического нитрида бора, включающий спекание пластин, алмазно-абразивную обработку и осаждение мягкого слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения работоспособности, пластины подвергают ионному азотированию при T=900-1000°C в течение 10-30 мин, а мягкий слой осаждают из титана и циркония.