Патенты с меткой «аl2о3»

Номер патента: 129753

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Елинсон, Ждан

МПК: H01J 1/312

Метки: аl2о3, введенными, выполненные, диэлектриков, донорными, др, малым, меньше, металлов, монокристаллов, них, обладающих, окислов, основе, отноше, полярных, порядка, примесями, электронов, эмиттеры

...ов, выпо окислов и приме электр ектрон кенни теров электрон диэлектриковних донорньв е) отношением я получения э газа при налоого поля. пненных наметаллов МЯями, обладнного сродсой эмиссии,а однороднь ие эмит оля рных енными ви меньш зоны, дл тронного ектрическ основе моно- О, А 120 з, 310. ющих малы и тва к ширине следствие псе кристаллы римене ллов п с введ ка 0,1 щенной а элек ров эл крис(поря запре регре эмитт При наложении на эмиттер достаточно сильного внутреннего электрического поля, вследствие ускорения электронов, температура эле;- тронного газа оказывается выше температуры решетки и достаточной для интенсивной эмиссии. Перегретая электронная эмиссия наблюдалась на монокристаллах п-кремния, но вследствие большого...

Номер патента: 1597069

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерной, окраски, основе, приготовления, среды, центрах

1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ЦЕНТРАХ ОКРАСКИ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА Al*002O*003, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения оптических потерь при одновременном увеличении концентрации рабочих центров, кристалл облучают во время термообработки ускоренными электронами с энергией 0,35 - 4,8 МэВ, а затем подвергают воздействию оптическим излучением с длиной волны 0,29 - 0,33 мкм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плотность мощности оптического излучения выбирают в интервале 0,0025 - 280 МВт/см2.

Номер патента: 1435118

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Алешкин, Барышников, Григоров, Коломиец, Мартынович, Назаров, Скобкин, Червяцов, Южалин

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерных, окраски, основе, центрами

Способ изготовления лазерных материалов на основе кристалла Al2O3 с центрами окраски, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров окраски, дополнительно облучают кристалл лазерным излучением с длиной волны 0,4 - 0,63 мкм и плотностью мощности 3 - 280 МВт/см2.

Номер патента: 1031048

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Давыдов, Дзисько, Носкова, Попова, Сотников, Чесноков

МПК: B01J 21/04, B01J 37/04

Метки: аl2о3, катализаторов, носителя, окисления, основе, приготовления, этилена

1. Способ приготовления носителя на основе -Al2O3 для катализаторов окисления этилена путем смешения гидроокиси алюминия с мелкокристаллическим бемитом, активированным кислотой с последующей сушкой и прокаливанием, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и получения носителя с улучшенными механическими свойствами, в состав носителя на стадии смешения вводят 20 - 50 вес.% стеклянного порошка с размером частиц 0,5 - 10 мкм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что прокаливание ведут при 1240 - 1260oС.