Эмиттеры электронов, выполненные на основе монокристаллов полярных диэлектриков (окислов металлов mgo, аl2о3, sio2 и др. ) с введенными в них донорными примесями, обладающих малым (порядка 0, 1 и меньше) отноше

Номер патента: 511543

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Клюшкин, Тоисев, Фомин

МПК: G01N 27/78

Метки: введения, магнитного, накачкой, оптической, поля, радиоспектроскопах, систему, спиновую

...излучения используют световое излучение от сверхтонкой компоненты Г =резонансной пампы, Магнитный резонанс в системе ориентации атомов во избежание оптического уширения его линии осуществляют циркулярнс поляризованным .магнитным радиочастотным полем на Жемаковских подуровнях, отвечаюших1 + 3 сверхтонкому состоянию атома, где 1 - спин ядра,- полый момент количества движения. Сущность увеличения интенсивности нерезоцацсцого луча света, а следовательно, и поля гэ, за счет пропускания его через оптический резонатор основана ца известном факте, заключающемся в том, что любая резонансная система с добротностью Я и периодом собственных колебаний Т = 1 , находящаяся под воздейстовием внешней периодической силы с частс- той , в момент...

Номер патента: 1733935

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Романец

МПК: G01M 3/04

Метки: зоны, изделии, полом, течи

...газа,. клапан 6 слива клапан 7 подачи контрольного г раль 8 подачи контрольного газ ный смеситель 9, сигнализаторСпособ осуществляют следу1733935 40 45 50 55 Испытуемое изделие 1 устанавливают в вакуумной камере 2, герметизируемой крышкой 3, и подсоединяют все коммуникации. Камеру вакуумируют до требуемого предела. Захолаживают изделие жидким азотом, Излишки газообразного азота при этом сбрасываются за пределы испытательного стенда.При работающей системе вакуумирования и регистрации контрольного газа открывают клапаны б и 7, Контрольный газ по магистрали 8 подается в слой азота через смеситель 9. Уровень жидкости в изделии на любой момент времени определяется сигнализатором 10, Контрольный газ, поднимаясь по жидкости, смешивается с ее...

Номер патента: 793616

Опубликовано: 07.01.1981

Авторы: Брун-Цеховой, Кацобашвили, Курдюмов, Сидорова

МПК: B01D 53/02

Метки: газа, твердогопоглотителя, углекислого

...20 См)н, Водяной цар пода- )5 ют по достижени: температуры в зоне реакции 300 С. Общее давление в реакторе 30 атм, парциальное давление водяного пара 2 б атм. По достижении температуры Таблица 8 У;ельпав поверхность, мг ГОглоттельнаяСПОСООНОСТ)пг СО,/г погл./4,2 11,4 1,8 материалом, после чего подачу вы нл казанной газовоц смссц и скоацают 1: в зйнх реакции подают углекислый газ до 1.Ол,)ой карбонцзац:)ц гранул. Доломцтовая пыль, образующаяся прц дроблении н обладающая адгсзцонцы.,)ц свойствами, прилипает к частицам,Оломита и придает им сферическую форму. Отб;1- рают фракцию 2 - 3 мм и подвергают Обработке смесью водяного пара и азота црц постепенном повышении температуры в зоне реакции от 20,1 О 900"С со с);оросгью 20 См и н.По...

Номер патента: 1011144

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Гершаник, Гликман, Рабух

МПК: B01D 7/00

Метки: газов

...устройство, общий вид.Устройство состоит иэ источника холода, выполненного в виде сосуда 1 с хладагентом 2, и расположенных в паровом пространстве сосуда 1 верхнего и нижнего змеевиков 3 и 4, сосудов-кипятильников 5 и б и сосудов11144 4 10 змеевике 4. Процесс плавления. зон,15 евике 4. 25 30 35 40 45 50 Ю 55 3 107 и 8 для хладагента переменногоуровня,Верхний змеевик 3 в нижней частисоединен трубкой с сосудом-кипятильником .5, который, в свою очередь, через дроссельное устройство 9 соединен с верхом нижнего змеевика 4, Нижний змеевик 4 соединен внизу с сосудом"кипятильником 6, который, в своюочередь, через дроссельное устройство10 соединен с верхом верхнего змее- .вика 3. Змеевики 3 и 4 помещены, соответственно, в сосуды 7 и 8....

Номер патента: 1272205

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Зарембо, Карпачев

МПК: G01N 27/82

Метки: величины, внутреннего, кристаллов, магнитного, магнитоупорядоченных, неоднородности, поля, структуры

...точностью до ЛН. Изменение амплитуды прошедшего импульса А - А(НЦ. аН ь 2, где А, амплитуда вдали от резонанса, А(Н) амплитуда при данном значении поля. Если Р(2) - функция распределения внутреннего поля в направлении распространенна звука, то у(Н) 1 1 А, -А1 с 1 = 2(Н). Обратная функция 2 (Н) дает одномерное распределение внутреннего поля в направлении распространения звука. Таким образом, способ заключается в определении с помощью акустической волны и линейно меняющегося магнитного поля спектра магнитоакустического резонатора (зависимости амплитуды прошедшего импульса от внешнего поля А(Н), интегрировании этого спектра и определении обратной функции, представляющей собой распределение внутреннего поля на половине длины кристалла....