Способ получения кристаллов рутила

Номер патента: 1226208

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Андриевская, Киселев, Клещинский, Лунев, Розенберг

МПК: G01N 23/20

Метки: анионов, кристаллах, положения, рутила, структурой, типа

...титана. Интенсивности рефлексов измеряются на дифрактометре 2 О ДРОК,0 в СцК -излучении. Полученные результаты сведены в таблицу. Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов.Целью изобретения является повышение экспрессности и точности определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила,имеет вид: Материал Интенсивность (имп) 1 ло 1 ссс 1 ясо сп 5546 17813 0,3113 0,295 0,3819 0,300 ТО 7874 20615 Погрешность в определении координаты составляет 0,57. Использование предлагаемого способа сокращает время эксперимента 35 и позволяет уменьшить погрешность определения координаты. Формула изобретения4 О Способ определения положения анионов в кристаллах со структуройСоставитель Т. ВладимироваРедактор...

Номер патента: 22939

Опубликовано: 30.09.1931

Авторы: Игнатьев, Чуперченко

МПК: G01G 19/04, G01G 23/26

Метки: вагонеток, вес, заданному, заранее, имеющих, количества, превышающий, прибор, пропущенных, равный, таковой, учета

...шарнирах 15 с противовесами 14, устанавливающими мотыли 13 всегда в вертикальном положении. Последние соединены между собой постоянной тягой. Концы обоих мотылей 13 своими . верхними скошенными концами выходят из корпуса 21 и заканчиваются на одном уровне с яблоком рельса с внутренней стороны колеи дороги. Длинный мотыль 13 несет на себе вилку 16, захватывающую концы 30 вилки 17. При отклонении в стороны длинного мотыля 13 вилка 16 подводит концы 30 вилки 17 к направляющим 29 пальцев 19 (фиг, 3),Обыкновенный суммирующий счетчик 28 (фиг. 4) находится с внешней стороны рельсового пути и прикреплен наглухо к корпусу 21 прибора (фиг, 6). Главная ось счетчика 42 пропущена через стенку корпуса 21 внутрь прибора и несет на себе внутри корпуса...

Номер патента: 1583477

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Демьянец, Мельников, Триодина

МПК: C30B 29/14, C30B 7/10

Метки: выращивания, гидротермального, кристаллов, ктр, структурой, типа

...Р, КН РО 4 при 1000 СПРоцесс ведут при соотношениижидкой и твердой Фаз, равном 10:15:1 по объему.4 1583477 Шнхт Концентрация ра створите ие ическая а мас. Стекло КГКА 1 РО Г 5О,КА 1 РО Г 100% 0,7 0,6 КА 1 РО Г (скоростьроста уменьшаетсяна порядок) КА 1 Р 04 Г (100%)кристаллы в видепластин 150 О,РО с талл100%) иэомермы 0 0,8 0 ской 5 КАУРО,Г (100%) КА 1 РОГ размером 0,5 см удлиненно Формы (100%)длиненная форма 0 4 10 100 0,7 У Г (г 0%),о КА 1 РОГ (80%)4 Г (50%) р+ Си (50%) 300 ст 5 5КНГ На дно автоклава объемом 160 см,футерованного медным вкладышем, помещают 40 г шихты, представляющейсобой фториднофосфатное стеклостехиометрического состава (КА 1 РОГ).Вкладыш с шихтом заполняют растворителем КГ концентрацией 5 мас.%с коэффициентом...

Номер патента: 374531

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Капуров, Кузнецова, Пахомов, Руссова, Сильницка

МПК: G01N 23/207

Метки: дигидрофосфата, калия, кристаллов, несовершенства, структурой

...полученных на нефильтрованном Мок излучении, увеличивается, то это свидетельствует о более высоком совершенстве из- О лучаемых кристаллов.Рассмотрение отношения интегральных интенсивностей 1 (008)/1 (0012) для 42 кристаллов КН 2 Р 04 с примесями в растворе К 1504, Мп 50.1, СцС 1 а, РеСз, К 2 С 04 и с введением в 5 раствор купферона, трилона Б, ЭДТА показывает, что введение в кристалл примесей г е+, Сг+ приводит к уменьшению отношения интегральных интенсивностей отражений (1 (008)/ /1 (0012 до 7 - 8, а более чистые совершен- О ные кристаллы дают отношение этих же пнУгол плоскости 2338 4822 7544 11 О 49 2411 3754 004 008 0012 сильныеочень сильныеслабые Составитель Е. Шульгин Техред Е. БорисоваРедактор Л. Народная Корректор Е....

Номер патента: 1175186

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Валеев, Глюк, Демина, Мироненко, Михайлов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/34

Метки: берилла, кристаллов, структурой

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ БЕРИЛЛА на основе бериллиевого индиалита, включающий нагрев шихты, содержащей оксиды Mg, Be, Al и Si в тигле, кристаллизацию и последующее охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов, оксиды берут в соотношении, соответствующем формуле Mg2-x Be1+x Al2 Si6 O18 где x = 0,00 - 0,45, нагрев ведут до 1450 - 1500oС, а кристаллизацию проводят путем опускания тигля со скоростью 2 - 3 мм/ч через зону с температурой 1360 - 1380oС.