ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ. Кл. В 01(1 9/02 С 01 4902 нием заявки Лое -с присоединПриоритет -асударствеиный номитеСоната Министров СССРпа делам изоаретеиийи открытий ДК 546.723 31.07(088. убликовано 17.1 Х.1973. Бюллетень Ле 37 Дата опубликования описания 2. Мра ая вите СОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТАЛЛОВ а-ГеОО ционную среду на различных этапах образования и формирования кристаллической фазы. П р и м е р 1. В 271 смз раствора ХазСОз1 концентрацня 115,5 г/л) прн температуре 50 С растворяют 5,9 б г КС 10 з и 0,05 г Ха - соли н. октилового эфира сульфоянтарной кислоты 1 т. е. 0,1% к образующемуся а - 1 еООН). Затем этот раствор прикапывают прн персмешнваппи в течение 1 час к 400 лил раствора ГеЬО, (концентрация 136 г/л) при температуре 48-3 С. Полученную суспепзию перемешивают прн температуре 50 С в течение 1 час, промывают на воронке Бюхнера водой до отсутствия ионов 04, а затем отжимают. Получеьный порошок а - 1.еООН высушивают прн температуре 110 С. Удельная поверхность такого а - ГсООН на 11,4% больше, чем удельная поверхность порош ка а - ГеООН, получснного известными способами. Примчо примет 5 ся Ха - соной кисло количеств а-Ге 0011.а-Ге 0011 Изобретение относится к получению кристаллов моногидрата окиси железа определенного размера, применяемых в качестве искусственного минерального пигмента и исходного сырья для производства игольчатой магнитной у - окиси железа для магнитной записи.Известен способ получения кристаллов а - РеООН осаждением водных растворов солей двухвалентного железа реагентами основного характера с последующим окислением образовавшегося гидрата закиси железа окислителем.Недостатком этого способа является то, что кристаллы моногидрата окиси железа получаются темного тона, полидисперсные и получаемая из таких кристаллов у - окись железа обладает неудовлстворительными магнитными свойствами.Цель изобретения - получение конечного продукта в виде частиц определенного разме ра. Поставленная цель достигается тем, что процесс ведут в присутствии добавок поверхностно-активных веществ, взятьх в количестве не более 0,1% по отношению к весу образующейся кристаллической фазы. В зависимости от желаемого размера кристаллов мопогидрата окиси н(елеза, поверхностпоактивное вещество 1 ПАВ) вводится в реакр 2. Получают а-ГеООН аналогич 1, но в качестве ПАВ используетль октплового эфира сульфоянтарты, которая вводится в 1 Ма СОз в е 0,001% от веса образующегосяУвел:чепце удельной поверхности порошка прп этом составляет 43%.397218 Составитель Е. Левина Техрсд Т. Курилко Корректор Л, Чуркина Редактор Е. Левина Заказ 37/4 Изд Ма 23 Тираж 678 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 П р и м е р 3. Получение и-ГеООН аналогично примеру 1, но в качестве ПАВ используют Ка - соль н. гексилового эфира сульфоянтарной кислоты в количестве 0,1/, от веса образующегося а-ГсООН. Увеличение удельной поверхности порошка а-ГеООН при этом составляет 16,2 о/оП р и м е р 4. При получении и-ГеООН в качестве ПАВ используют )хна - соль днэтилгексилового эфира сульфоянтарной кислоты в количестве 0,001% от веса образующегося а-ГеООН.Увеличение удельной поверхности порошка сх-ГеООН при этом составляет 32,1 % .П р и м е р 5. Получены а-ГеООН в качества ПАВ используют 1 Х 1 а - соль дибутилового эфира сульфоянтарной кислоты в количестве 0,001% ст веса образующегося сс-ГеООН.Увеличение удельной поверхности порошка а-ГеООН составляет 33,7/о.Пример 6. Получение сс-ГеООН согласно 1 в качестве ПАВ используется Ге - соль трн (диэтилгексилового) эфира сульфоянтар.нон кислоты в количестве 0,0001/о от веса образующегося а-ГеООН. Увеличение удельной поверхности порошка и-Гс 001-1 составляе 1 5 599%Аналогично действуют добавки другихПАВ, например, соли диалкиловых эфиров сульфопропионовой кислоты, ОП - 7 и т. д. Предмет изобретенияСпособ получения кристаллов а-ГеООНосаждением водных растворов солей двухвалентного железа реагентами основного характера с последующим окислением образовав шегося гидрата закиси железа окислителем,отличающийся тем, что, с целью получения конечного продукта в виде частиц определенного размера, процесс ведут в присутствии добавок поверхностно-активных веществ, 20 взятых в количестве не более 0,1% по отношению к весу образующейся кристаллической фазы.

Смотреть

Заявка

1463636

М. В. Соболевский, Е. П. Белов, Г. С. Гольдин, Е. Ф. Левина, К. О. Авербах, И. И. Элиасберг, А. А. Петрова, И. М. Зиммер, Г. Н. Гнедина, Н. Н. Лухманова, О. Н. Кондратенка, Е. В. Ковальчук, О. И. Галицка

МПК / Метки

МПК: B01D 9/02, C01G 49/02

Метки: a-feooh, кристаллов

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-397218-sposob-polucheniya-kristallov-a-feooh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллов a-feooh</a>

Похожие патенты