Способ определения качества кристаллов пьезокварца

336772 ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваявлено 271970 ( 1397750/26-9 М, Кл. Н 03 т 9/14 с присоединением заявкиПриоритет Комитет по делан изобретений н открытий при Совете Министров СССР1972. Бюллетень14 УДК 621.372.412(088.8) убликонано 21. Дата опубликования описашгя 29 Л.1972 Авторыизобретен ш В, Колодиена, А. и А.Заявитель ПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВ КРИСТАЛЛОВ П 1 ЕЗОКВАРЦАИзобретение относится к компонентам радиоаппаратуры и может быть использовано для контроля качества кристаллов пьезокварца.Известны способы определения качества кристаллов пьезокварца, основанные на измерении тангенса угла диэлектрических потерь на образцах произвольной ориентации, преимущественно Л-среза, произвольных размеров и формы,Недостатки известных способов состоят в низкой точности измерений и плохой воспроизводимости результатов измерений вследствие влияния на абсолютную величину тангенса угла диэлектрических потерь различных факторов, например величины нагрузки, создаваемой держателем, вида и способа нанесения металлического покрытия, качества обработки поверхности образца,С целью повышения точности и надежности определения качества кристаллов пьезокварца по предлагаемому способу качество, например добротность кристаллов, определяется по величине температурно-частотной дисперсии диэлектрических потерь путем измерения температуры полокения релаксационного максим",- ма тангенса угла диэлектрических потерь.Принципиальной основой способа определения качества кристаллов пьезокварца является факт установленной зависимости температуры положения релаксационного максимума фотченков, М. Г. Бондаренко Шапошников тангенса угла диэлектрических потерь от содержания в кристаллах пьезокварца неструктурной фазы, определяющей его пьезоэлектрические и радиофизические свойства, в том 5 числе и добротность, причем значение этойтехнературы Т,;, от технологических и других факторов изготовления и обработки образцов не зависит, а определяется лишь коеством неструктурной фазы в кристаллс".0 чем больше неструктурной фазы в кристалле,тем меньше подвижность ионов-релаксаторов, тем больше время релаксации, тем выше температура положения релаксационного максимума Т5 Для определения качества кристаллов могут быть использованы образцы произвольных размеров и формы и произвольной ориентации, так как температурно-частотная диспер сия диэлектрических потерь, следствием которой является изменение температуры Т,;, с изменением качества кристаллов, имеет место при любом направлении воздействия э,ект 1 тпческого поля. Однако для снижения темпера тур нагрева испытываемых образцов предпочтительно использовать пластины Л-среза, с температурным интервалом испытаний 150 - 400 С. Для образцов, ориентация которых отлична от Л-среза, область температурно-час тотпой дисперсии диэлектрических оп р336772 Предмет изобретения Составитель Г. Челей Техред Л, Евдоиов Редактор Т. Морозова Корректор Л. Бадылама Заказ 1499,16 Изд. Мо 607 Тираж 448 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Рвуьнская наб д. 4/5Типографии, пр. Сапунова, 2 сдвинута в сторону более высоких температур, и поэтому температурный интервал испытаний в этом случае сдвигается в область более высоких температур.Измерение температуры положения релаксационного максимума тангенса угла диэлектрических потерь проводят на частое 1 кги, так как на ней обеспечиваются наиболее надежные результаты измерений. В качестве образцов используют круглые или плоские диски диаметром 15 лш, толщиной 1,3 мл, поверхности которых обрабатывают простой шлифовкой. Способ определения качества кристалловпьезокварца, основанный на измерении тан гепса угла диэлектрических потерь на образцах произвольной ориентации, преимущественно Л-среза, произвольных размеров и формы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности, качество, например 10 добротность кристаллов, определяется по величине температурно-частотной дисперсии диэлектрических потерь путем измерения температуры положения релаксационного максимума тангенса угла диэлектрических потерь.