Устройство для определения давленргт растущих кристаллов

Номер патента: 345438

Авторы: Минас, Научно, Ростовский, Ситников

ZIP архив

Текст

345438 Союз Советсиих Социалистичесиия РеспублинЗависимое от авт, свпдете Заявлено ОЗ.Х 1.1970 ( 1 с присоединением заявки ПриоритетОпубликовано 14.711.1972. ьства91281/29-3. Кл. С 01 п 33/3 омитет по делам зобретении и открытипри Совете МинистровСССР УДЕ, 620.179.7.002.5юллетен ания описания 4 Х 111.1972 Дата опубл Авторыизобрете А, А. Ситников и стовский проектный и научноПромстройниИ. Минаследовательский инститоект аявитель УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДАВЛ РАСТУЩИХ КРИСТАЛЛОВ образуют цилппдой выращиваются полняется раствоУстройство для определения давления рас0 тущих кристаллов, включающее измеритель Изобретение относится к технике кристаллизации и измерения кристаллизационного давления и может быть использовано в промышленности строительных материалов и в химической промышленности.Известно устройство для определения давления растущих кристаллов, включающсе измерительную систему и тонкостенную цилиндрическую полость,Цель изобретения - осуществлять процесс кристаллизации под разряжением и при различных температурах.Достигается это тем, что цилиндрическая полость выполнена замкнутой с центрально расположенным внутри нее стержнем.На фиг, 1 изображено описываемое устройство, общий вид; на фиг, 2 - цилиндрическая полость в разрезе.Устройство состоит из тонкостенной ци. линдрической полости 1, снабженной измерп. тельной системой и выполненной со штативом 2 и индикатором 8.Тонкостенная цилиндрическая полость(фиг. 2) выполнена с цилиндром 4, стержнем б и фланцем б, укрепленным при помощи болтов 7.Цилиндр 4 и стержень 5рическую полость, в которкристаллы. Эта полость заром через полости 8 и 9. Снизу стержень 5 имеет по центру канал 10, который посредством каналов 11 соединяется с кристаллизационной полостью 12.Устройство работает следующим образом Полость 12 заполняется раствором как че. рез полости 8 и 9 сверху посредством периодической заливки раствора в полость 9, так и снизу посредством постоянного подсоса раствора из ванны подогрева раствора. В последнем случае всасывание производится после вывинчивания пробки из канала 10, вместо которой ввинчивается штуцер, подсоединяемый к ванне подогрева раствора,После завершения процесса кристаллизации цилиндр с вставленным внутрь стержнем устанавливают в измерительную систему и при помощи индикатора 3 замеряется деформация цилиндра. Величины показаний индикатора переводят в величины давления с помощью тарировки. Последняя осуществляется путем создания в кристаллизационнои полости гидростатического давления, измеряемого с помощью манометра. При этом определенным величинам давлений соответствуют измеряемые индикатором деформации стенок ячейки.Предмет изобретения345438 фиг 1 фиг. г Составитель Г, КузьминоваРедактор Г. Кузьмина Текред А. Камышникова Корректор Е, Усова Заказ 3306/11 Изд. Мд 1038 Тираж 406 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 ную систему и тонкостенную цилиндрическую полость, отличающееся тем, что, с целью осу 1 цествления процесса кристаллизации под разряжением и при различных температурах,цилиндрическая полость выполнена замкнутой с центрально расположенным внутри нее стержнем.

Смотреть

Заявка

1491281

А. А. Ситников, А. И. Минас, Ростовский проектный, научно исследовательский институт Промстройниипроект

МПК / Метки

МПК: G01N 33/38

Метки: давленргт, кристаллов, растущих

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-345438-ustrojjstvo-dlya-opredeleniya-davlenrgt-rastushhikh-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для определения давленргт растущих кристаллов</a>

Похожие патенты