Способ центрирования кристаллов алмаза

ZIP архив

Текст

(51)5 В 28 Р 5/ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ сти и долСмоле нскоеКристаллченко, в, н деж н СР и ение Кирпи стьян орочк логия об : Высшая ех ты.,(54) С ПО(.ТАЛЛОВ А (57) Изобр кристаллов использова ОБ ЦБНТРИРОВАГ 1 МАЗАтение касается обрстанкостроения ио при обработке ИЯ КР ботки моно- может быть олуфабрика 1 зобретение ристаллов и обработке аза. Цель изобре звоотно мож полу тся к обраоотке мобыть использовано брикатов кристалла но пр тениядительнсхематамидыграфикния в ышение точработки.изображено лла алмаза; ения радиус- и угла повоости ности и проиНа фи г.основаниена фиг. 2вектора оснрота. ически криста измен фчнкци пи иста лл шпиный нане по- исталодин трему- осноГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТпо изоБРетениям и отнРытиямпри Гннт сссрИнститут проблем наговечности машин АН БСпроизводственное объедин(56) Епкфанов В. И. и др.работки алмазов в блиллианшкола, 1982, с. 150 - -151. Способ заключается в том, что кралмаза устанавливают в оправки 1делей обточного станка, Измерительнконечник 2 датчика перемещений (казан) вводят в соприкосновение с крлом 3. Поворачивают шпиндели наоборот. Регистрируют локальные эксмы (фиг. 2) изменения радиус-векторавания кристалла 3 (йК % и Рм) тов кристалла алмаза. Цель изобретения повышение точности и производительности. Способ заключается в том, что кристалл устанавливают в оправки шпинделей станка. Измеряют значения локальных экстремумов расстояний четырех сторон его основания до оси вращения шпинделей за олин оборот. Определяют координаты центра основания кристалла относительно упомянутой оси вращения: , = (К - К;),2)11(К 2 К )2, где 1 ь Ьг - значения смешений центра кристалла в:двух взаимно перпендикулярных направлениях; Й, Яг, Яг, Я 4 -- локальные экстремумы противолежащих сторон основания. Поворачивают шпиндели в положение, соответствующее значению Я, и смещают кристалл на величину ь Поворачивают шпиндели на угол 90 и смещают кристалл на величину 1 г. 2 ил. После этого поворачивают шпиндели на угол , смещают кристалл по линии ЮР системы координат станка на вел ич и ну Поворачивают шпиндели на угол 90 и смещают кристалл по линии ЫР на величину гг. Контроль величины смещения осуществляют с помощью датчика перемещений.В результате измерений значений локальных экстремумов расстояний четырех сторон основания по оси врагцения шпинделей повышается точность и и ронзводитльность ориентирования кристалла. так как на р- зультаты измерений не влияют морфологические особенности распыленных криталлов и погрешности профиля рундита.Пример. Кристалл гр) ппь; РОП с размером основания 5,0 Х 5,2 мм устанавливают г, оправки обточного станка модели ПО - 2, на одном из шпинделей которого утановлена плавающая планшайба с возможностью радиального перемещения. Грн повороте1556924кристалла взние полуфабрикат абрикату алт егистРирУюте сообщение полуи нана один обоРот Ри с- шем патроне ение величины ишпинделя нт емумыу изменениЯ Радиуаза вращ и полу аения определенф брикалокальные экс Р у (см, диаграмму мия кристаллаавления нес овпадения осн еля и пе рев ектора основан ри с-вектора ), После этого прс осью вр ащения шпи до совпаден ияизменения радиуугол, равныи 5 таабриката деля,т шпиндели на умещение поления шпиндел,сталлы на величину ь м щн ели на его оси счто, с целью повышцюиийся тем,ительности,смещают криалнуЬ,раенивают по тполуизмерениясоба оц10тем непрерывногоспособа цент- путе рия предлагаемогос- ов контурап и полном о оРа,дизы иения шпинделя пр оРиров ния Ри иводит к повьи- оси вращении в 7, рате последннего и послед овательно региДния радиус 4 5 раза. лянют минима льные значе р снап авление одтельности вспользуют аналу логичные деистов, затем совмещают напных значенийкристаллов иср и- из полученныа- с-вектора с точкои наго значения р уначиная с минимальнооме то- изводят пеевая точка отсчета -не, наания кристалла. рравления нулеваМ ределяют собо" евая на величнР к- в ащениимальных.го, точкибиллианта маказности миниаправлеок жности пояска- его половине ражащих в этом напметр окружльного размера, а точки Е и- еградиус-векторов, лежащил абрикат по ворачиваютсимальнв полу аФ брикате,нии, п осле чего полут каза нные дейстположениеб етения90 и повторяю уов ал- на голСпособ центрир овани я кристаллови закреплемаза, ввключающии у становку. Монсе П митета по изобретениям и откр ва, Ж - 35, Раушская наб., й комбинат Патент, г. Ужго Редактор С. Лис инаЗаказ 686НИИПИ Государственного к113035, МосПроизводственно-издательск СоставитеТехред И. ВТираж 507 ректор О. Ципледписное ытиям при ГКНТ СССР д. 4(5род уя Гагарина 01

Смотреть

Заявка

4319112, 19.10.1987

ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ НАДЕЖНОСТИ И ДОЛГОВЕЧНОСТИ МАШИН АН БССР, СМОЛЕНСКОЕ ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ "КРИСТАЛЛ"

ЧЕРНЫХ СЕРГЕЙ ИВАНОВИЧ, КИРПИЧЕНКО ИНЕССА АНАТОЛЬЕВНА, БОЧАРОВ АНАТОЛИЙ МИХАЙЛОВИЧ, СЕВОСТЬЯНОВ НИКОЛАЙ ИВАНОВИЧ, СКОРЫНИН ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, КОРОЧКИН СЕРГЕЙ СЕРГЕЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристаллов, центрирования

Опубликовано: 15.04.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1556924-sposob-centrirovaniya-kristallov-almaza.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ центрирования кристаллов алмаза</a>

Похожие патенты