Красницкий

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 1588202

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Шкуть, Турцевич, Красницкий, Лесникова, Семенов

МПК: H01L 21/205

Метки: осаждения, кремния, легированных, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку слоя аморфного кремния при 560-580°С при давлении 33,7-66,5 Па из парогазовой смеси, содержащей моносилан и фосфин при соотношении ингредиентов в смеси 0,0008-0,007, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемой пленки путем снижения уровня механических напряжений, перед осаждением аморфного слоя на подложку наносят подслой поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при температуре осаждения аморфного слоя пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па.

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 1584641

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Лесникова, Красницкий, Турцевич, Кабаков, Гранько

МПК: H01L 21/205

Метки: поликристаллического, кремния, осаждения, пленок

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с толщиной каждого отдельного слоя 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя осаждение и отжиг, а отжиг каждого последующего слоя проводят при давлении не более 13,3 Па, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемых пленок поликристаллического кремния путем подавления...

Способ формирования пленок нитрида кремния

Загрузка...

Номер патента: 1715138

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Турцевич, Козлов, Кастрицкий, Макаревич, Красницкий

МПК: H01L 21/318

Метки: нитрида, формирования, пленок, кремния

Способ формирования пленок нитрида кремния, включающий осаждение на кремниевые подложки пленки нитрида кремния при температуре 650-900°С из газовой смеси дихлорсилана и аммиака при соотношении ингредиентов 1:(4-20) и общем давлении 13,3-133,3 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет увеличения их электрической прочности и снижения дефектности, осаждение проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя не более 15 монослоев, последовательно чередуя операции осаждения и отжига в аммиаке в течение 2-10 мин при давлении 6,65-66,5 Па при температуре осаждения пленки нитрида кремния.

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку

Загрузка...

Номер патента: 1484193

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Шкуть, Крищенко, Лесникова, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: полупроводниковую, осаждения, поликристаллического, подложку, пленок, кремния

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...

Способ изготовления элементов интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1598707

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Цыбулько, Красницкий, Турцевич, Довнар, Кисель

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: элементов, схем, интегральных

Способ изготовления элементов интегральных схем, включающий формирование на подложке функционального слоя, формирование на нем фоторезистивной маски, сухое травление функционального слоя через маску, удаление фоторезистивной маски, осаждение слоя планаризующего материала и его анизотропное травление до полного вскрытия планарной поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов интегральных схем за счет снижения их дефектности, перед формированием фоторезистивной маски на поверхность функционального слоя наносят слой тантала, перед сухим травлением функционального слоя осуществляют сухое травление слоя тантала, а перед осаждением слоя...

Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 1651698

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Кастрицкий, Красницкий, Турцевич, Петрашкевич, Шкуть, Вискуп

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, пленки, фосфоросиликатного, стекла

Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 350-450°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реакционную зону реактора смеси моносилана с фосфином и кислорода и наращивание пленки фосфоросиликатного стекла при давлении 26,6-46,6 Па и соотношениях ингредиентов фосфинмоносилан с фосфином 0,03-0,25, кислород-моносилан 0,8-4,0, при температуре нагрева реактора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фосфоросиликатного стекла путем увеличения электрической прочности и снижения дефектности осаждаемых пленок, после наращивания пленки толщиной 0,1-0,3 мкм прекращают...

Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 1651697

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Мамедов, Красницкий, Турцевич, Смаль, Румак, Корешков

МПК: H01L 21/3105

Метки: структур, мдп-интегральных, микросхем

Способ изготовления структур МДП-интегральных микросхем, включающий формирование в кремниевой подложке охранных областей, создание слоя подзатворного окисла кремния, осаждение слоя кремния, легированного фосфором, при 550-580°C в реакторе при пониженном давлении, формирование на его основе затвора, создание истоковых и стоковых областей внедрением примеси и термообработкой при 800-10000°C, формирование межуровневого диэлектрика и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и выхода годных МДП-интегральных микросхем путем повышения стабильности порогового напряжения, уменьшения токов утечки p-n-переходов, после осаждения слоя легированного фосфором кремния...

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации

Загрузка...

Номер патента: 1739801

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Турцевич, Коваленко, Шкуть, Наливайко

МПК: H01L 21/285

Метки: контактно-барьерной, металлизации

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации, включающий предварительное удаление естественного окисла с поверхности кремниевых подложек путем обработки в водном растворе фтористоводородной кислоты, нанесение на поверхность подложек диэлектрического слоя и формирование в нем контактных окон, размещение кремниевых подложек в реакторе, вакуумирование реактора, продувку реактора водородом и селективное осаждение вольфрама при 270-350°C из парогазовой смеси гексафторида вольфрама и водорода при соотношении компонентов 1:(10-100) и общем давлении 13,3-66,5 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности контактно-барьерной металлизации на основе слоев вольфрама путем...

Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 1783932

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Турцевич, Сухопаров, Красницкий, Дулинец, Родин

МПК: H01L 21/28

Метки: микросхем, интегральных, межсоединений

1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качества межсоединений путем уменьшения количества коротких замыканий, подслой формируют из алюминия или алюминия с кремнием, толщина подслоя d1 и толщина верхнего слоя d 2 сплава удовлетворяют соотношениям: ...

Способ формирования межуровневой изоляции интегральных схем из борофосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 1780467

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Зайцев, Красницкий, Козлов, Кабаков, Турцевич, Карпиевич

МПК: H01L 21/76

Метки: борофосфоросиликатного, изоляции, интегральных, схем, формирования, межуровневой, стекла

Способ формирования межуровневой изоляции интегральных микросхем из борофосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 600-700°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реактор паров тетраэтоксисилана с азотом или кислородом посредством испарителя-барботера при 30-60°С, фосфина с парами триметилбората в инертном газе и кислорода, наращивание пленки борофосфоросиликатного стекла требуемой толщины с содержанием фосфора 2-5 мас.% и бора 3-6 мас.% при давлении 15-100 Па и соотношении ингредиентов фосфин-кислород более или равном 0,2 при температуре нагрева реактора, оплавление борофосфоросиликатного...

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 1780461

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Наливайко, Турцевич, Кастрицкий, Красницкий, Козлов, Лесникова

МПК: H01L 21/316

Метки: поликристаллического, легированных, осаждения, кремния, пленок

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки,...

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 1575832

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Солодуха, Таратын, Казачонок, Колешко, Белицкий, Турцевич, Красницкий

МПК: H01L 21/265

Метки: микросхем, интегральных, разводки, многоуровневой

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя сплава алюминия с кремнием на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, проведение ионной имплантации в этот слой, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, термообработку полученной структуры, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон в ней к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между ее элементами, имплантацию в слой сплава алюминия с кремнием проводят...

Межсоединение для сверхбольших интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1730989

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Демьянович, Красницкий, Лесникова, Родин, Дулинец, Турцевич

МПК: H01L 23/46

Метки: сверхбольших, интегральных, межсоединение, схем

1. Межсоединение для сверхбольших интегральных схем, содержащее последовательно расположенные диэлектрический слой с контактным окном к активной области полупроводниковой подложки, барьерный проводящий слой, нижний слой алюминия или его сплавов, слой тугоплавкого металла, верхний слой алюминия или его сплавов, антиотражающий проводящий слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества межсоединения путем улучшения надежности и электрофизических характеристик, толщина слоя тугоплавкого металла выбрана равной 40-100 нм, а толщина d1 и d 2 соответственно верхнего и нижнего слоев алюминия или его сплавов выбраны из выражений

Способ планаризации кремниевых структур

Загрузка...

Номер патента: 1515964

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Турцевич, Красницкий, Войтович, Цыбульский, Ковалевский

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, планаризации, структур

Способ планаризации кремниевых структур, включающий нанесение на их поверхность пленки борофосфоросиликатного стекла и последующую термообработку при 800-950°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения планарности структур и снижения дефектности пленки борофосфоросиликатного стекла, термообработку проводят в парогазовой смеси водорода и алканола R-OH, где R - CH3 -(CnH2n), n = 0, 1, 2, 3, ..., при давлении 20-200 Па и концентрации алканола 0,5-10 мас.%.

Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией

Загрузка...

Номер патента: 1822298

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Дулинец, Турцевич, Красницкий, Малышев, Белицкий, Калошкин, Колешко

МПК: H01L 21/18

Метки: тонкопленочной, металлизацией, интегральная, микросхема

1. Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией, содержащая кремниевую подложку с расположенными в ней активными и пассивными элементами, диэлектрический слой со сформированными в нем контактными окнами и созданным первым слоем тонкопленочной металлизации, расположенным на диэлектрическом слое и в контактных окнах, вторым слоем металлизации на основе алюминия или его сплавов, расположенным над первым, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции ИМС за счет уменьшения вертикальных размеров элементов, первый слой тонкопленочной металлизации выполнен толщиной от 15 до 100 нм из заэвтектической смеси кремния с алюминием при содержании кремния от 11,8 до 60...

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 1568798

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Лесникова, Турцевич, Красницкий

МПК: H01L 21/205

Метки: поликристаллического, пленок, осаждения, кремния

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение при пониженном давлении на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 10-20 нм из газовой фазы, содержащей моносилан, проведение отжига в азоте при температуре выращивания подслоя в течение 10-30 мин и доращивание кремния до заданной толщины при 600-650°C, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок поликристаллического кремния путем повышения стабильности кристаллической структуры подслоя кремния, подслой осаждают из газовой фазы, дополнительно содержащей моногерман, при парциальных давлениях моносилана и моногермана 12-40 и 1-3 Па соответственно при температуре 600-650°C.

Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1769635

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Турцевич, Сарычев, Сасновский

МПК: H01L 21/28

Метки: контактных, схем, интегральных, межсоединений, столбиков

Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем и снижения трудоемкости за счет сокращения длительности процесса формирования контактного столбика, слой кремния формируют до полного заполнения контактного окна, а осаждение вольфрама проводят из парогазовой смеси гексафторида вольфрама с...

Способ изготовления контактов интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1766208

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Турцевич, Довнар, Красницкий

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем, контактов

Способ изготовления контактов интегральных схем, включающий создание на поверхности кремниевой пластины изолирующей пленки, формирование на ее поверхности фоторезистивной маски с конфигурацией контактных окон, вскрытие контактных окон, удаление маски, селективное осаждение в контактных окнах вольфрама, формирование разводки из алюминия или его сплавов, отличающийся тем, что, с целью снижения тока утечки, повышения стабильности контактного сопротивления за счет снижения бокового распространения и потребления кремния в области контакта, после вскрытия контактных окон проводят имплантацию ионов вольфрама или молибдена с энергией 5-30 кэВ и дозой не менее 1012 см-2.

Способ изготовления многоуровневой разводки мдп ис

Загрузка...

Номер патента: 1491266

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Кисель, Турцевич, Красницкий, Смаль, Домбровский

МПК: H01L 21/28

Метки: многоуровневой, мдп, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС, включающий последовательное нанесение слоев нитрида кремния и нелегированного поликристаллического кремния на окисленную кремниевую пластину со сформированной активной структурой, легирование слоя поликристаллического кремния примесью, формирование на нем маски, соответствующей рисунку нижнего уровня разводки, стравливание участков слоя нитрида кремния, незащищенного маской, удаление маски, формирование межслойного диэлектрика и верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки путем уменьшения количества закороток между элементами разводки, маску формируют после нанесения слоя нелегированного...

Способ формирования пленок двуокиси кремния

Загрузка...

Номер патента: 1820782

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Козлов, Дударчик, Красницкий, Турцевич, Кабаков

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, формирования, двуокиси, пленок

...моносилана при осаждении не превышала 50 см /мин, а закиси азота - 3000 см /мин, Величина давлениязпри осаждении составляла 133,3 Па. Температура при продувке реактора и осаждении составляла 800+1 С (пр, 24-7), 650 С (пр,1), 850 С (пр. 3); в примере 8 температура продувки реактора и осаждения составила 680 С, а в примере 9 - 820 С,Всего проведено 10 процентов.Процесс включал следующие стадии:ПР а ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ размещение кремниевых подложек в продуваемом азотом реакторе;- вакуумирование реактора;- продувку реактора закисью азота; - плавное установление потока моносилана, подачу его в реактор, осаждение 31 Ог;- прекращение осаждения, вакуумирование реактора;подача в реактор кислорода (при достижении необходимой температуры) и...

Газовая смесь для селективного сухого травления диэлектрических слоев

Загрузка...

Номер патента: 1823714

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Турцевич, Клименков, Цыбулько, Красницкий

МПК: H01L 21/306

Метки: слоев, смесь, диэлектрических, сухого, селективного, газовая, травления

...содержания гептафторпропана в газовой смеси менее 15 об.;4 приводит к значительному снижению скорости и селективности травления диэлектрических слоев по отношению к нижележащему слою.Превышение содержания кислорода в смеси более 11 об.;4 приводит к снижению равномерности травления диэлектрических слоев и селективности по отношению к маскеи нижележащему слою.Снижение содержания кислорода в смеси менее 2,6 об.;, приводит к увеличению вероятности загрязнения поверхности нижележащего слоя из-за повышения соотношения С/Е в смеси.Использование заявляемой газовой смеси может быть проиллюстрировано на примере селективного реактивного ионноплазменного травления слоев двуокиси кремния, фосфоросиликатного стекла (ФСС), нитрида кремния,...

Способ изготовления обкладки накопительного конденсатора элемента памяти интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Смаль, Наливайко, Турцевич, Довнар, Красницкий, Родин

МПК: H01L 21/82

Метки: накопительного, конденсатора, интегральных, обкладки, элемента, схем, памяти

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Способ изготовления мдп-транзистора

Загрузка...

Номер патента: 1829782

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Смаль, Довнар, Красницкий

МПК: H01L 21/335

Метки: мдп-транзистора

...кремниевой пластины 1 КДБ (фиг,1) первого типа проводимости р сформировали термическим окислением с использованием маски ЯзХ 4 области локального окисла толщиной 0,5-0,8 мкм с последующим удалением маски ЯЗХ 4 и созданием ионным легированием бора (Е 30 кэВ, Р = 0,1-0,3 мкКл/см ) во всю2поверхность области подлегирования каналов транзисторов. Затем проекционной фотолитографией на установке ЭМ 584 А по сформированным на пластине слоям подзатворного термического окисла толщиной 150 олегированного фосфором поликремния толщиной 0,4 мкм, низкотемпературного окисла толщиной 0,3 мкм создали области затвора 2 с длиной канала 1,2 мкм. Травление слоев проводили плазмохимическим методом. На поверхность со ступенчатым рельефом нанесли...

Способ изготовления обкладки конденсатора из поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 1829776

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Турцевич, Довнар, Баянов, Красницкий, Родин, Наливайко

МПК: H01L 21/308

Метки: конденсатора, кремния, обкладки, поликристаллического

...КДБ 12 (100) со сформированной активной структурой ДОЗУ информационной емкости 256 к и созданным на ее поверхности диэлектрическим слоем (2 фиг.1) двуокиси кремния толщиной 0,3+0,03 мкм, нанесли защитное покрытие (3 фиг.1), состоящее из 81 зХ 4 толщиной 20-50 нм и двуокиси кремния толщиной 20-50 нм. Затем с помощью проекционной фотолитографии в нанесенных слоях сформировали контактное окно (4 фиг.1) к стоковой области МДП- транзистора. После этого методом 1.РСЪР на поверхность пластины осадили слой поликристаллического кремния (5 фиг,1) толщиной 0,1+0,01 мкм легированного фосфором в процессе роста и травлением через фоторезистивную маску осажденного слоя на установке "Лада" в плазмообразующей смеси гексафторида серы и кислорода при...

Способ изготовления конденсатора интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 1817606

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Красницкий, Воронин

МПК: H01G 4/00

Метки: конденсатора, интегральной, схемы

...специальной конфигурации первой обкладки, поэтомч эта часть слоя должналегко удаляться в травителях, для этого могут использоваться более рыхлые пленки по сравнению с остальными частями слоя, например, пленки фосфорно-силикатного стекла, скорость травления которых в травителях состава НГ:Н 20 в 3-5 раз вышескорости травления среднетемпературного окисла;средняя часть слоя может использоваться, если нижняя часть слоя все-таки несколькоподтравливается в травителях при удалении верхней части, что будет ухудшать изолирующие свойства, поэтому средняя часть слоя будет служить в качестве стоп-слоя, предотвращающего подтравливание нижней части слоя, для этого используется пленка нитрида кремния, которая устойчива к травителям типа НР:Н...

Способ изготовления межэлементных соединений интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1799203

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Красницкий, Довнар, Химко, Буляк, Турцевич, Кастрицкий

МПК: H01L 23/48

Метки: схем, интегральных, межэлементных, соединений

...перекрыло покрытие из ФСС на 0,1-6,0 мкм.Приборы собирали в пластмассовые корпуса и проводили ускоренные испытания попарно 8 групп по 15 приборов на безотказность (при температуре 120 С, влажности 950 ). На специальных тестовых структурах методом поляризационного сопротивления системы электрод - раствор определялась скорость коррозии межэлементных соединений,Испытательной средой служил раствор ортофосфорной кислоты. Дополнительно провели сравнительные испытания пластин со сформированным защитным покрытием (16 групп пластин по 5 шт.) путем обработки в автоклаве под давлением 1,2 атм при повышенной температуре и влажности, Контроль на наличие следов коррозии проводили при помощи микроскопа 1 епа(ееЬ.Рассчитывалось отношение скорости...

Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы

Загрузка...

Номер патента: 1811217

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Турцевич, Петрашкевич, Кисель, Сахон, Красницкий, Шкуть

МПК: C23C 16/00

Метки: химического, осаждения, пленок, газовой, фазы

...паров воды и кислорода вреактор, возрастания неконтролируемогослоя двуокиси кремния и снижения качестваосаждаемых пленок нитрида кремния.При длине корпуса более 5 диаметровреактора не наблюдается дальнейшего улучшения качества осаждаемых пленок нитридакремния при увеличении габаритов установки.При высоте корпуса менее 2 диаметровреактора затруднена загрузка в реактор припомощи автоматизированных систем и обслуживание шлюзовой камеры.При высоте корпуса более 3 диаметровреакторов снижается эффективность затвораиз-за облегчения попадания паров воды икислорода в реакционное пространство и,следовательно, снижается качество нитридакремния, То, что шлюзовая камера выполнена высотой 2-3 диаметра реактора, позволяет...

Мдп-транзистор

Загрузка...

Номер патента: 1809707

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Красницкий, Довнар, Смаль

МПК: H01L 29/772

Метки: мдп-транзистор

...областей,Расстояние в плане между областью с меньшей концентрацией и областью с большей концентрацией составило 0,8 мкм, При расстоянии между областями с меньшей и большей концентрациями, равном 0,8 мкм оценку эффективности предлагаемой конст. рукции провели при условии, что диффузионный профиль дополнительного слоя совпадает с границей профиля областью большей концентрации, лежит посередине между профилями областей и на расстоянии 0 1 мкм.Оценку эффективности предлагаемой конструкции провели посредством замера параметра надежности (тока подложки), параметра быстродействия (задержка на каскад) и параметра короткоканальности (коэффициент короткого канала), Ток подложки 1 замерялся при напряжениях на стоке, затворе и подложке 5 в, 2 в,...

Способ формирования пленок двуокиси кремния

Загрузка...

Номер патента: 1820781

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Турцевич, Петрович, Козлов, Кабаков, Красницкий, Вискуп

МПК: H01L 21/205

Метки: пленок, двуокиси, кремния, формирования

...тем, чтопродувку реактора проводят кислородом ссодержанием озона 2-6 при давлении 5-60Па в течение 3-10 мин при температуре650-770 С,В предлагаемом техническом решенииповышение качества пленки двуокиси кремния обусловлено следующим. Перед осаждением пленки двуокиси кремния проводятпродувку реактора озонированным кислородом при температуре осаждения при соответствующих давлениях и длительности,происходит формирование более совершенного слоя термического окисла, чем припродувке просто кислородом. Кроме того,продувка реактора озонированным кислородом с указанными режимами способствуетболее полному, по сравнению с чистымкислородом, удалению, связыванию илипереводу в неактивное состояние рядапримесей, способствующих коллоидо-...