Патенты с меткой «кремния»

Страница 16

Катализатор для димеризации олефинов, представляющий собой аморфный гель двуокиси кремния и окиси алюминия, и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 1837958

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Анжела, Марко, Фабрицио, Джузеппе

МПК: B01J 21/12, B01J 37/00

Метки: димеризации, катализатор, алюминия, гель, собой, окиси, аморфный, кремния, представляющий, олефинов, двуокиси

...сушат вначале в роторном испарителе, а затем в термостате при 100 С в течение часа,Полученную смесь выдерживают приперемешивании при 60 С, а спустя 30 минутполучают гомогенный гель, который сушатвнутри роторного испарителя в потоке воздуха, причем температуру теморегулируемой бани поддерживают 90 С, а затем втермостате при 100 С,Высушенный гель кальцинируют при600 ОС в течение 3 часов в потоке азота азатем в течение 10 часов в потоке воздуха. 10Получают 30 г геля двуокись кремнияокись алюминия, с количественным выходом относительно исходной загрузкидвуокиси кремния и окиси алюминия,Данныехимического анализа подтверждают, что малярное отношение 302/А 20 зимеет то значение, что и для реакционнойсмеси после загрузки реагентов.Данные по...

Шихта для получения нитрида кремния в азотсодержащем газе

Загрузка...

Номер патента: 1838233

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Бунин, Чемагин, Карпов

МПК: C01B 21/068

Метки: азотсодержащем, кремния, шихта, нитрида, газе

...реакционная масса охлаждается, давление сбрасывают доатмосферного. Продукт подвергают рентгенофазному и химическому анализам.Добавление цинка или хлорида цинкаобеспечивает: разрыхление загрузки, способствующее доступу азота в объем загрузки и полному азотированию кремния;повышение выхода Р-фазы Язй 4 и формирование частиц 5 зй 4 в сферическую форму(Ксфер, = 0,95-0,98),Сферичность частиц определяют отношением длины к их ширине К = 1/б припросмотре порошка под микроскопом в количестве не менее 1000,П р и м е р 1. Берут порошок кремния,смешивают его с цинком в количестве 18%от массы кремния в течение 30 мии 20 гшихты загружают в реакционный сосуд, заполняют азотом до добавления 4 атм, помещают в трубчатую печь ивысокотемпературное...

Способ полирования пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 2001465

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Завадская, Кошевар, Федоренко, Мазина, Хохлов, Рагозин

МПК: H01L 21/304

Метки: пластин, кремния, полирования

...без эамшевидного покрытия обеспечи 200465вает более грубую обработку нерабочей по- После суперфинишного полирования и верхности по сравнению с рабочей, т.е. очистки был проведен контроль локальной обеспечивает наличия слоя с геттерирую- плоскостности на установке гчТЧ. На 80 щими свойствами, пластин отклонение от плоскостности наОбработку проводят на станках АР. 5 участках площади(10 х 10) мм не превышаНа финишном полировании используют етмкм не менее, чем на 90 ф рабочей полизоовальник плотностью не менее 0,30 поверхности каждой пластины. Оценка шег/см типа "5 оЬа". Пластины располагают роховатости пластин при контроле рефлекрабочей поверхностью вверх. Полирование тометрическим способом свидетельствуют проводят в течение 35 -...

Источник диффузии для одновременного легирования кремния бором и золотом

Загрузка...

Номер патента: 683397

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Лапунин, Косенко, Плохих

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, кремния, источник, золотом, диффузии, бором, одновременного

...кварцевые подложки 1 и 2 наносят борный ангидрид. После отжига в аргоне при 940 С в течение 2 ч происходит стекло образование, в результате чего на подложках образуются слои 3 боросиликатного стекла. На боросиликатные слои 3 наносят слои 4 золота при давлении 5 10 мм рт.ст, 5 в течение 20-25 с.Расстояние от испарителя до подложки70 мм, навеска золота весит 40 мг, Толщинанапыленных слоев золота составляет 0,05- 0,1 мм, После напыления золота подложку 10 отжигают в течение 20 мин при 940 С. Легирование ведут в открытой кварцевой трубе 5 в потоке аргона.Температура диффузии 940 + 1 С, время легирования 20 - 40 мин, Расход аргона 40 - 50 л/ч при диаметре трубы 58 мм, Пластины 6 кремния со вскрытыми окнами под базовое легирование...

Способ получения карбида кремния и печь для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 2004493

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Павлов, Толстогузов

МПК: C01B 31/36

Метки: кремния, карбида, печь

...50 55 Печь состоит из прямоугольной, футерованной огнеупорным кирпичом шахты 1 и двух горизонтально расположенных в нижней части шахты плоских электродов 2 со скошенными вверх торцами, Электроды 2 в горизонтальной плоскости имеют размеры, соотносимые с шириной шахты печи, и установлены с возможностью перемещения в горизонтальной плоскости с помощью механизма 3. Печь оборудована подвижным подом 4, который с помощью роликов 5 по рельсам 6 может перемещаться в плоскости, перпендикулярной направлению перемещения электродов 2. Подвижный под в 2 раза превышает размеры печи в плане,В подвижном поду выполнены два бункера 7 и 8 для выдачи карбида после его прокаливания в промежутке междузлектродами и для выгрузки карбида из печи, размеры которых...

Способ изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей из монокристаллического кремния

Номер патента: 695418

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/18

Метки: кремния, механоэлектрических, монокристаллического, интегральных, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, включающий термическое окисление пластин, двустороннюю фотолитографию, изготовление тензочувствительных компонентов, формирование мембран локальным травлением кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и увеличения диапазона линейного преобразования, после термического окисления пластин проводят формирование мембран локальным травлением, удаляют весь окисел с пластин, снимают с обеих сторон пластин тонкий слой кремния в полирующем травителе, проводят термическое окисление и двустороннюю фотолитографию, после чего изготовляют тензокомпоненты.

Способ регенерации травителя для кремния

Номер патента: 1759183

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Гапоненко, Изидинов

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, регенерации, травителя

СПОСОБ РЕГЕНЕРАЦИИ ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ КРЕМНИЯ, включающий контроль состава отработанного травителя и восстановление исходной активности травителя путем введения в отработанный травитель добавок химических реагентов, отличающийся тем, что, с целью упрощения регенерации травителя из смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот с объемным соотношением 1 : (6 - 17) : (1 - 3) и сокращения расхода реагентов, в качестве добавок химических реагентов используют смесь равных объемов перекиси водорода и плавиковой кислоты, причем количество этой смеси, достаточное для восстановления исходной активности единицы объема отработанного травителя данного исходного состава, устанавливают в предварительных экспериментах, связанных с определением общей массы...

Устройство для термического окисления пластин кремния

Номер патента: 535771

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Фарбер, Морохов, Воинов

МПК: C30B 31/06

Метки: окисления, пластин, термического, кремния

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ, включающее горизонтально установленный кварцевый реактор, снабженный магистралями для подачи кислорода и воды с каплеобразователем, отличающееся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса окисления, реактор снабжен поперечной перегородкой с окном, отделяющей место расположения пластин от магистралей подачи воды и кислорода, а каплеобразователь - наклонно расположенным в полости реактора патрубком, выходное отверстие которого расположено ниже окна в перегородке.

Способ ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния

Номер патента: 749293

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Толстых, Косоплеткин, Булгаков, Красножон

МПК: H01L 21/306

Метки: двуокиси, нитрида, кремния, травления, ионно-химического

СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ в потоке фторсодержащих ионов и электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности травления по отношению к кремнию, травление проводят в потоке положительных ионов фтористого водорода и продуктов диссоциации аммиака.

Способ выявления дефектов на поверхности кремния

Номер патента: 1639341

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Русак, Енишерлова-Вельяшева

МПК: H01L 21/66

Метки: дефектов, поверхности, выявления, кремния

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, включающий очистку поверхности кремния с ориентацией (100) и травление в составе, содержащем хромовый ангидрид, плавиковую кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения выявляемых типов микродефектов в тонких приповерхностных слоях, травление проводят в составе, дополнительно содержащем азотную кислоту, при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хромовый ангидрид 15 - 32Плавиковая кислота (45%-ная) 4 - 25Азотная кислота (72%-ная) 8 - 50Вода 10 - 36время травления составляет 5 - 15 мин, при этом количество хромового ангидрида в зависимости от толщины обрабатываемого слоя составляет, мкм:Более 10 15 - 4010 - 2 40 - 50

Способ выявления микродефектов кремния с ориентацией (iii)

Номер патента: 1364142

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Русак, Иноземцев, Енишерлова-Вельяшева

МПК: H01L 21/306

Метки: ориентацией, выявления, кремния, микродефектов, iii»

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ МИКРОДЕФЕКТОВ КРЕМНИЯ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (III), включающий травление в кипящем травителе, содержащем фтористый водород, хромовый ангидрид и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, деслокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III), травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов травителя, мас.%:Фтористый водород 1 - 2Хромовый ангидрид 1 - 10Вода 88 - 98причем время травления составляет от 2 до 5 мин.

Способ получения карбида кремния

Номер патента: 1777312

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Боровинская, Вершинников, Микаберидзе, Мамян, Тавадзе, Мержанов

МПК: C01B 31/36

Метки: кремния, карбида

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ, включающий смешение мелкодисперсного кремнеземсодержащего сырья, углерода и магния, термообработку смеси в режиме горения, кислотную обработку, отличающийся тем, что, с целью получения продукта в виде мелкодисперсного однородного по гранулометрическому составу порошка, смешение осуществляют при следующих соотношениях компонентов, мас. %:Кремнеземсодержащее сырье 45 - 55Углерод 9-11Магний 36-44затем смесь трамбуют до плотности 1,04 - 1,63 г/см3 и термообработку осуществляют при 1400 - 2200oС.

Способ получения карбида кремния

Загрузка...

Номер патента: 177312

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Микаберидзе, Вершинников, Боровинская, Мамян, Тавадзе, Мержанов

МПК: C01B 31/36

Метки: карбида, кремния

...состоящий из пружины и флажка и укрепленный на сигнальном пальце 17. 510 15 20 25 30 35 40 45 50 б 0 б 5 Узловязальпый механизм 5 имеет крючки 26 (фиг. 3) для захвата концов нитей, приводимые в возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости с помощью двупле чих рычагов 27 и 28, кинематически связанных с пазовым кулачком 29, который укреплен пи приводном валу 7. Последний получает движение от электромагнита 1 б. Сердечник 30 электромагнита 1 б снабжен подпружиненным пальцем 31, взаимодействующим с укрепленной на приводном валу шестерней 32 и контактами 33 электрической цепи.На приводном валу 7 установлен также дополнительный пазовый кулачок 34, взаимо. действующий с системои рычагов, устанавливающей бооины 35 (см. фиг. 1)...

Способ получения слоев карбида кремния

Номер патента: 1398484

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Мохов, Водаков, Роенков, Рамм

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: карбида, кремния, слоев

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ путем конденсации паров источника на подложку карбида кремния в инертной атмосфере при температуре выше 1800oС и температурном градиенте, перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения морфологического и структурного совершенства слоев, конденсацию паров ведут на подложку с одной или несколькими выступающими квадратными площадками высотой 5 - 200 мкм, площадью 0,01 - 1,0 мм2 при дополнительном радиальном температурном градиенте 10 - 50 град/см, скорости роста не более 100 мкм/ч в течение не менее 10 мин.

Способ получения порошкообразного синтетического диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 1376488

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Руденко, Черемисин, Вильцен, Елисеев, Боганов

МПК: C01B 33/12

Метки: порошкообразного, синтетического, кремния, диоксида

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКООБРАЗНОГО СИНТЕТИЧЕСКОГО ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, включающий гидролиз тетрахлорида кремния и сушку целевого продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты и эффективности плотности порошка, гидролиз ведут гранулированным льдом при минус 65 - минус 40oС, при этом исходные компоненты берут в количестве, мол.%:Тетрахлорид кремния 40 - 65Лед 55 - 60

Светодиод на основе карбида кремния

Номер патента: 1026614

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Гусев, Столярова, Демаков

МПК: H01L 33/00, H05B 33/18

Метки: светодиод, основе, карбида, кремния

СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ, представляющий собой трехслойную структуру, содержащую n- и p-слои, отличающийся тем, что, с целью повышения яркости свечения, уменьшения падения напряжения и времени высвечивания, он содержит приповерхностный слой, обогащенный углеродом, с градиентом не менее 1024 см-4, при этом концентрация примеси в n-слое не менее 1016 см-3, а градиент концентрации в p-слое 1024 - 1026 см-4.

Способ очистки поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 1814439

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Бухтияров, Бакланов, Алиев

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, поверхности

...Т=550 ОСдля практически полной десорбции насыщенного хемосорбционного слоя требуется22 с, при Т=600 ОС требуется 8 сХотя после полного удаления хемосорбционного слоя на поверхности отсутствуют какие-либо загрязнения, поверхность аморфизирована(данные ДМЭ -дифракции медленных электронов). Очевидно, аморфный слой образуется в результате реакции диспропорционирования, протекающей между низшими фторидами кремния при десорб.ции хемосорбционного слоя, и поэтому толщина его не.должна превышать одного монослоя кремния. Действительно, прогревповерхности кремния при 750 С в течение 2 мин приводит к появлению рефлексов (З (100). структура (2 х 1), Е,=93 эв).Предлагаемый способ очистки поверх-.ности кремния реализуется следующим образом.П р и м е р...

Способ уменьшения дефектности двухслойного диэлектрика в структуре проводник нитрид кремния окисел кремния полупроводник

Номер патента: 1108962

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Нагин, Милошевский, Мальцев, Тюлькин, Чернышев

МПК: H01L 21/04

Метки: —полупроводник, двухслойного, кремния, дефектности, окисел, проводник, диэлектрика, уменьшения, структуре, нитрид

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...

Способ определения примесей в хлориде кремния

Номер патента: 1329354

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Шевцова, Столярова, Орлова, Цапенко, Кириллова, Градскова

МПК: G01N 31/00, G01N 1/28

Метки: кремния, примесей, хлориде

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ В ХЛОРИДЕ КРЕМНИЯ, включающий обработку пробы фтористоводородной кислотой в присутствии комплексанта трифенилхолрметана и окислителя перманганата калия, отгонку тетрафторида кремния и последующую количественную регистрацию примесей фотометрированием, отличающийся тем, что, с целью уменьшения погрешности анализа за счет исключения потерь, анализируемую пробу перед обработкой фтористоводородной кислотой наносят на твердую смесь, состоящую из послойно замороженных бидистиллата воды, трифенилхлорметана при соотношении к пробе (1 2) 10-4 1 и перманганата калия при соотношении к пробе (2,5 5)

Способ получения ультрадисперсного порошка нитрида кремния

Номер патента: 1568445

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Григорьев, Варламов, Мержанов

МПК: C01B 21/068

Метки: ультрадисперсного, порошка, нитрида, кремния

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНОГО ПОРОШКА НИТРИДА КРЕМНИЯ, включающий обработку кремнийсодержащего соединения в атмосфере газа-носителя гидразином при 500 1700oС, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода продукта, в качестве кремнийсодержащего соединения используют тетраметилсилан при концентрации 0,2 93 об. и его объемном отношении к гидразину, равном 0,03 0,44.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что обработку осуществляют в атмосфере водорода и/или азота.

Способ выращивания монокристаллов кремния

Загрузка...

Номер патента: 1824958

Опубликовано: 10.10.1995

Автор: Худицын

МПК: C30B 29/06, C30B 15/00

Метки: выращивания, монокристаллов, кремния

...внутри кварцевую ловушку 5. На фиг. 2 и 3 дан вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью в виде полукольца (вид сбнку и в плане); на 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 фиг. 4 и 5 - другой вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью виде двух пересекающихся кварцевую прутков. Дно одного и другого варианта выполнено с отверстиями для стекания расплава при подьеме ловушки. Для упрощения вылавливания частичек кварца в первом варианте(фиг, 2 и 3) полукольцо выполнено усеченным, во втором варианте (фиг. 4 и 5) один из прутков расположен по горизонтали, а другой небольшим углом к горизонтали.Далее загружается тигель, Сначала проводится загрузка остатков кремния в тигле, затем оборотный кремний, После расплавления загрузки тигель с...

Способ изготовления твердых планарных источников диффузии фосфора на основе пирофосфата кремния

Номер патента: 1780457

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Левицкая, Денисюк

МПК: H01L 21/225

Метки: пирофосфата, планарных, основе, источников, фосфора, диффузии, твердых, кремния

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА НА ОСНОВЕ ПИРОФОСФАТА КРЕМНИЯ, включающий приготовление смеси из порошков пирофосфата кремния, кремния и пирофосфата циркония, нанесение диффузанта в виде блоков на термостойкую подложку из кремния и спекание источника диффузии фосфора в инертной или окислительной среде при 1010 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных источников при изготовлении и увеличения срока их службы при эксплуатации при температурах не выше 1050oС за счет повышения термомеханических свойств источников и снижения отслаивания блоков диффузанта и выкрашивания частиц диффузанта, перед нанесением диффузанта на термостойкую подложку из кремния приготавливают...

Способ получения композиционного материала из алмаза и карбида кремния

Номер патента: 1729086

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Воронин, Шульженко, Осипов

МПК: C01B 31/06, C01B 31/36

Метки: карбида, композиционного, алмаза, кремния

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА ИЗ АЛМАЗА И КАРБИДА КРЕМНИЯ, включающий формирование трехслойной системы из слоя алмазного порошка, пластины из кремния и промежуточного между ними слоя, нагрев этой системы под воздействием давления не менее 25 кБар до температуры, достаточной для плавления кремния, и выдерживание при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости алмазосодержащего слоя композиционного материала, в качестве промежуточного слоя используют порошок или пластину со сквозной пористостью из карбида элемента из группы, включающей бор, кремний, переходные металлы IV VI групп Периодической системы или из смеси карбидов или из твердого сплава карбида вольфрама и кобальта, а нагрев...

Способ повышения качества керамики на основе нитрида кремния

Номер патента: 1781995

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Скородумова, Старолат, Семченко, Гогоци, Руденко

МПК: C04B 35/58, C04B 41/84

Метки: повышения, керамики, основе, кремния, качества, нитрида

СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ КАЧЕСТВА КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ путем пропитки в растворе этилсиликата, а также в составах, содержащих SiO2, Al2O3, J2O3, сушки и обжига в среде аргона, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности пропитки и равномерности распределения свойств по объему, увеличения стойкости к окислению, керамику предварительно подвергают ультразвуковой обработке в течение 1 - 15 мин с частотой 7 - 25 Гц в подкисленной воде и сушат до влажности 0,2 - 1,5%, в качестве составов, содержащих SiO2, AlO3 или J2O3 используют золь-гельные композиции, пропитку ведут по крайней мере в одном составе в течение 12 - 52 ч при (-4) -...

Устройство для изготовления волокнистых материалов из нитрида кремния

Номер патента: 1774611

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Гилев, Анциферов

МПК: C04B 35/08

Метки: кремния, нитрида, волокнистых

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВОЛОКНИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ ИЗ НИТРИДА КРЕМНИЯ, включающее распылительную форсунку в виде цилиндра с радиальными отверстиями, сообщающуюся с емкостью с шликером, и средство создания в ней давления, отличающееся тем, что, с целью получения материалов с упорядоченной регулярной структурой, оно снабжено по крайней мере одной дополнительной форсункой, каждая из которых выполнена с дополнительным соосным цилиндром с радиальными отверстиями, выполненными на одном уровне с отверстиями основного цилиндра, дополнительный цилиндр смонтирован с возможностью вращения, отверстия основного цилиндра сгруппированы в секторах.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что средство создания давления в емкости выполнено в виде...

Щелочной травитель для утонения кремния

Загрузка...

Номер патента: 1829773

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Баранов, Ковалевский

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, травитель, щелочной, утонения

...из компонентов марки ОСЧ с использованием деионизованной воды (20 МОм), Готовили пять составов, количественное соотношение которых приведено в табл. 1,П р и м е р ы 2 - 4. Приведены в табл. 1, соответствуют данному щелочному травителю для утонения кремния.После смешивания компонентов травителя его выдерживают в течение 30 - 40 мин, после чего травитель готов к использованию.Съем кремния при утонении пластин осуществляется в установке ДРМЗ. 249025 на эластичных капралоновых столиках с вакуумной присоской, на которые укладывают кремниевые пластины планарной стороной к поверхности столика. После их укладки и присоски столик погружают в травитель и начинают обрабогку непланарной стороны (процесс утонения) в травителе при...

Способ получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире

Номер патента: 1586457

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Лютович, Кулагина, Ашуров, Хикматиллаев

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, гетероэпитаксиальных, сапфире, структур

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ, включающий испарение в вакууме, очистку поверхности подложки ионным травлением и осаждением кремния на разогретую поверхность подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества гетероэпитаксиальных структур за счет улучшения кристаллической структуры эпитаксиального слоя, полное травление производят с помощью частично ионизированного потока кремния энергией 1-3 кэВ, со степенью ионизации 10-20% при температуре подложки 800-1100oС, а осаждение кремния осуществляют из того же потока с энергией 0,05 0,5 кэВ, степенью ионизации 0,5 10% при температуре подложки 450-700oС со скоростью 0,1-1 мкм/ч.

Способ подготовки шихтовых материалов для выплавки кремния

Номер патента: 1656881

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Черняховский, Леонов, Елкин, Скорняков, Черных, Кожевников, Воробьев, Зельберг

МПК: C22B 5/10, C01B 33/025

Метки: подготовки, кремния, выплавки, шихтовых

Способ подготовки шихтовых материалов для выплавки кремния, включающий дробление кремнеземсодержащего и углеродистых материалов, их измельчение, смешивание и окускование в присутствии связующего, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь кремния, после смешивания кремнеземсодержащий и углеродистые материалы подвергают тонкому измельчению в течение 1 20 мин.

Материал на основе аморфного нитрида кремния, содержащего углерод

Загрузка...

Номер патента: 1809585

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Григорьев, Варламов

МПК: C01B 31/36, C01B 21/068

Метки: аморфного, основе, кремния, содержащего, углерод, материал, нитрида

...в 10-1000 раз, Тетраметилсилан является источником кремния и азота при фиксированном атомном соотношении между ними,Аморфный карбонитрид кремния обладает большей термостойкостью за счет образования новых связей между кремнием и углеродом. Материал на основе аморфного нитрида кремния, содержащего углерод, огпличающийся тем, что, с целью повышения химической стойкости и термостойкости, он П р и м е р. В реактор подают смесь тетраметилсилана и гидразина в атмосфере аргоноводородной смеси при Аг/(Н+Аг)=0,1, молярном соотношении ТМС/Г=0,2, это соответствует содержанию углерода 0,1, и общим давлении газовой смеси 500 торр, На нагретой до 1260 С подложке осаждается пленка аморфного карбонитрида кремния, Состав полученного карбонитрида...

Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния

Номер патента: 1598726

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Аванесян, Лазарев, Савчук, Осипов, Стусь

МПК: H01C 17/00, H01C 7/06

Метки: резисторов, кремния, хрома, сплавов, основе, тонкопленочных

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий последовательное нанесение резистивных и проводниковых слоев на диэлектрическую подложку методом термического испарения в вакууме, формирование проводниковых и резистивных элементов методом фотолитографии, многократную термообработку в диапазоне температур 250 550°С, включающую нагрев, охлаждение, измерение сопротивления резисторов и расчет значений ТКС, изотермическую выдержку, подгонку величины сопротивления, причем термообработку прекращают по достижении заданных значений ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления за счет временной стабильности резисторов, подгонку величины сопротивления осуществляют в два этапа,...