H05B 33/18 — отличающиеся природой вещества активаторов или его концентрацией

Номер патента: 362515

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Веревкин

МПК: H05B 33/18

Метки: 362515

...сглаживается при использовании и качестве балластирующей среды связующих с высокой диэлектрической проницаемостью или введением в обыччые связки порошковых наполнителей с большой диэлектрической константой. Однако известные связующие с,повышенной диэлектрической проницаемостью не обладают всем комплексом необходимых свойств - гигроскопичны, имеют низкую адгезию к электродам и т. п. Возможности повышения диэлектрическои проницаемости введением соответствующих наполнителей ограничены, так как получить большое относительное объемное содержание наполнителя в свя 5 зующем практически невозможно,Цель изобретения - увеличение надежностиисточника света,при одновременном повышении яркости свечения или снижении величинырабочего напряжения и...

Номер патента: 429758

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Миргаловская, Стрельникова, Юнович

МПК: H05B 33/18

Метки: излучения, полупроводниковый, электролюминесцентныйисточник

...в объеме полупроводника. Оно относится, в частности, к устройствам 5 с р - а-переходом, созданным из сплавов соединений типа Апт В, которые при приложении прямого напряжения создают эффективное излучение в инфракрасной области электромагнитного спектра. 10Известны источники, изготовленные из йаР, СаАз, СтаЗЬ, 1 пАз, тройных твердых растворов на их основе - СтаА 12 Аз, баАз,Рба,-1 п,Р - и некоторых других.Однако известные источники - электролю минесцентные диоды не дают излучения в практически важной спектральной области 1,9 - 2,6 мкм, соответствующей окну прозрачности атмосферы.Предложенный полупроводниковый электро люминесцентный источник излучения с р - а- переходом создан, подобно известным, на основе соединений АптВ и их твердых...

Номер патента: 550772

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Литвиненко, Махотенко

МПК: H05B 33/18

Метки: диод, электролюминесцентный

...электронов, через капилляр введен проволочный электрод 4. Электрод 4 выполнен из манганина, не взаимодействующего со сплавом щелочных металлов. Резервуар герметизирован с помощью эпоксидной смолы или парафина. Поверхности пластины 3 отполированы и прозрачны. С противоположной стороны на ней изготовлен невыпрямляющий контакт 5, например из графитовой пасты, нанесенной в виде пленочной маски со светопроницаемыми щелями, или из испаренного в вакууме золота, серебра и т, д. Токоввод 6 может быть выполнен из манганинового или медного провода.При приложенном в прямом направлении электрическом напряжении сплав щелочных металлов является катодом и инжектирует электроны в базу 3, При определенном пороговом напряжениями диод спонтанно...

Номер патента: 649344

Опубликовано: 25.02.1979

Авторы: Барбара, Ежи, Тэрэса

МПК: H05B 33/18

Метки: электролюминесцентный, элемент

...фторида кадмия с донорной притрехвалентного элемента и концией электронов, превышающей см ), омический контакт, распо ный на одной стороне кристалла и ический электрод, расположенный тивоположной стороне кристалла и нный от него изолирующим слоем, оводящий кристалл фторида кадмия ен люминесцируюшим и активироарганцем в количестве 0,1-5 мол,7 о. элем крис есью цент 10 фв на и отдел полуп выпал ван м тюрного высокоэффективного источника света.Известен электролюминесцентный элемент, содержащий полупроводяший крис-талл фторида кадмия, активироввнного редкоземельными элемен тами, которые являются одновременно поставщиками электронов проводимости. На одной стороне кристалла расположен омический контакт, а на противоположной - металлический...

Номер патента: 674257

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Быстрая, Михо

МПК: H05B 33/18

Метки: электролюминесцентная, ячейка

...растворе хлористого цезия тфи вве яркость, измеренная при повышентЧт напрттже.денни ионов цезия. Свечение наблюдается со стотптя, то есть, при напряжении Оз=11 где:роны прозрачного электрода из ЗттО при прила. 15 т.т, - ттапРяжение, начиная с которого. яркостьженин разности потенциалов 20 - 130 В кэлект- " практически перестает зависеть от .напряжения;родам, ЬВ = В, - Вгде В, - яркость при напряженииИзобретение поясняется чертежами.Оизмеренная при уменьшении напряжения,На фиг, 1 представлена вольтяркостная ха.На фиг. 2,приведена построенная на основерактеристика ячейки, а на фиг. 2 - "-заттисимость 2 О экспериментальных измерений кривая зависимосвеличины эффекта ттамяти от конттетгграцтпт ионов ти величины эффекта ЛВ от...

Номер патента: 1026614

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Гусев, Демаков, Столярова

МПК: H01L 33/00, H05B 33/18

Метки: карбида, кремния, основе, светодиод

СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ, представляющий собой трехслойную структуру, содержащую n- и p-слои, отличающийся тем, что, с целью повышения яркости свечения, уменьшения падения напряжения и времени высвечивания, он содержит приповерхностный слой, обогащенный углеродом, с градиентом не менее 1024 см-4, при этом концентрация примеси в n-слое не менее 1016 см-3, а градиент концентрации в p-слое 1024 - 1026 см-4.