Милошевский

Номер патента: 1108962

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: H01L 21/04

Метки: двухслойного, дефектности, диэлектрика, кремния, нитрид, окисел, проводник, структуре, уменьшения, —полупроводник

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...

Номер патента: 1253350

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий первый запоминающий транзистор, первый и второй управляющие транзисторы, истоки которых подключены к шине нулевого потенциала, затворы являются соответственно информационным и управляющим входами элемента памяти, первый ограничительный элемент, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в него введены второй ограничительный элемент и второй запоминающий транзистор, у которого затвор и сток объединены и подключены к затвору первого запоминающего транзистора и через второй ограничительный элемент - к второму управляющему входу, стоки первого и второго управляющих транзисторов подключены к истоку второго запоминающего транзистора, исток первого запоминающего транзистора подключен к шине...

Номер патента: 1378681

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: G11C 11/40

Метки: включением, изменяемым, матричный, мдп-транзисторах, накопитель, пороговым

1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗМЕНЯЕМЫМ ПОРОГОВЫМ ВКЛЮЧЕНИЕМ , содеpжащий ячейки памяти, каждая из котоpых состоит из гpуппы запоминающих тpанзистоpов, пpичем в каждой стpоке затвоpы гpупп тpанзистоpов подключены к соответствующей числовой шине, а истоки и стоки гpупп тpанзистоpов в каждом столбце соответственно объединены, отличающийся тем, что, с целью повышения быстpодействия матpичного накопителя, он содеpжит дополнительные числовые pазpядные и упpавляющие шины, а в каждую ячейку памяти введены упpавляющие МДП-тpанзистоpы, исток пеpвого упpавляющего МДП-тpанзистоpа подключен к истокам запоминающих тpанзистоpов данной ячейки памяти, к стокам котоpых подключен сток втоpого упpавляющего МДП-тpанзистоpа, пpичем в каждой...

Номер патента: 1582834

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин

МПК: G01R 31/26

Метки: основе, памяти, пноп-структуры, программирования, ячейки

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПНОП-СТРУКТУРЫ, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, на ПНОП-структуру подают нарастающее напряжение и при этом контролируют величину сквозного тока через ПНОП-структуру, при достижении сквозным током заданного значения определяют соответствующую ему величину приложенного напряжения, которое является напряжением программирования.

Номер патента: 1318096

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ, содержащая триггер, первый и второй элементы выборки, каждый из которых выполнен на транзисторе выборки, истоки транзисторов выборки соединены соответственно с первым и вторым информационными входами-выходами триггера, стоки являются соответственно первым и вторым числовыми входами-выходами ячейки памяти, а затворы - адресным входом ячейки памяти, энергонезависимый элемент памяти, состоящий из первого и второго запоминающих МНОП-транзисторов, первого и второго ключевых транзисторов, затворы которых являются входом стирания ячейки памяти, а стоки соединены с истоками запоминающих МНОП-транзисторов, затворы которых являются входом записи ячейки памяти, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности восстановления...

Номер патента: 1308063

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Траилин, Тюлькин, Чернышев

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

1. ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ по авт. св. N 1115106, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия восстановления информации в ячейке памяти, в нее введены два коммутирующих транзистора, затворы которых являются коммутирующим входом ячейки, а истоки запоминающих МНОП-транзисторов подключены к стокам соответствующих коммутирующих транзисторов, истоки которых подключены к выходам триггера.2. Ячейка памяти по п. 1, отличающаяся тем, что стоки запоминающих МНОП-транзисторов подключены к истокам соответствующих коммутирующих транзисторов, стоки которых подключены к выходам триггера.

Номер патента: 1501803

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин

МПК: G11C 11/40

Метки: мдп-транзистор, составной

СОСТАВНОЙ МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий последовательно включенные однотипные МДП-транзисторы с обедненным каналом, причем исток и затвор первого однотипного МДП-транзистора является соответственно истоком и затвором составного МДП-транзистора, исток каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен со стоком предыдущего однотипного МДП-транзистора, сток последнего однотипного МДП-транзистора является стоком составного МДП-транзистора, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения составного МДП-транзистора, затвор каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен с истоком предыдущего однотипного МДП-транзистора.

Номер патента: 1501801

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Шукатко

МПК: G11C 11/40

Метки: восстановления, информации, памяти, ячейке

СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ В ЯЧЕЙКЕ ПАМЯТИ, заключающийся в подаче напряжения на входы коммутации, программировании и стирании информации с последующим уменьшением напряжения на входе программирования, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы ячейки памяти, перед подачей напряжения на вход программирования ячейки памяти, величину напряжения питания уменьшают до значения, меньшего номинального напряжения питания, но большего минимального напряжения хранения информации в ячейке памяти, а после снятия напряжения со входа программирования ячейки памяти напряжение питания восстанавливают до номинального значения.

Номер патента: 1474188

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Бесчастный, Милошевский, Монастырский

МПК: E01B 3/20

Метки: рельсошпальной, решетки, шпала

...а именно к передвижным ленточным конвейерам для открытых горных работ, состоящим из отдельных секций, соединенных между собой шарнирно и опирающихся на рельсошпальную решетку, передвижка которой выполняется способом полного отрыва рельсошпальной решетки от грунта.Цель изобретения - облегчение процесса передвижки путем уменьшения вмерзания шпал в грунт при низких температурах. 15На фиг. 1 представлена шпала в разгруженном состоянии, вид спереди; на фиг.2 - то же, в деформированном состоянии при действии нагрузки; на фиг.3 - разрез А-А на фиг.1.Шпала рельсошпальной решетки состоит из опор, выполненных в виде двухплечих рычагов 1, нижние концы которых соединены между собой упру.гой связью 2, а верхние снабжены роликами 3, контактирующими...

Номер патента: 1437918

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: G11C 11/40

Метки: мноп, памяти, перепрограммирования, транзисторе, ячейки

...подаваяна затвор запоминающего МНОП-транзистора импульс напряжения стирания самплитудой не меньшей амплитуды импульса напряжения записи, напримерравной ей и составляющей 25 В, и длительностью 5 мс (фиг. 1); В результате воздействия этого импульса пороговое напряжение запоминающего транзистора увеличивается и станет равным, например, 4,0 В, причем это произойдет на фоне некоторого общегосдвига межпороговой зоны этого транзистора. Затем пороговое напряжение50уменьшают до значения, соответствующего стертому состоянию, подавая на затвор запокнающего транзистора, например, импульс напряжения той же полярности,но с амплитудой, например, 20 В, В результате этого пороговое напряжение запоминающего транзистора уменьшается на 1,5-2,0 В, что...

Номер патента: 1115106

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Куварзин, Мальцев, Милошевский, Нагин, Однолько, Соломоненко, Тюлькин, Чернышев

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, ее, памяти, ячейка

...на шину 1 2 , а запись логического0 подаче низкого потенциыа на шину 1 1 и высокого на шину 1 2 . При этом на шину 1 7 подается положит ель ный потенциал ( + 5 Ч) . В р ез ул ьтате этого при записанной логич ес кой " 1 " триггер устанавливаетс я в состояние, когда потенциал на выходе 9 высокий , а на выход е 1 О низкий . Эт о состояние сохраняется после понижения потенциала на шич е 1 7 .Для считывания состояния ячейки необходимо подать положительный пот енциал на шину 1 7, контролируя при этом потенциал на шинах 1 1 и 1 2 . Высокий потенциал на шине 1 1 и низкий на шине 1 2 свидетельствует о т ом ,чт о в ячейке хранится логическая " 1 " . 11151 Ячейка памяти по второму варианту 55(фиг.2) отличается от первого лишьтем, что транзисторы...

Номер патента: 999108

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Власенко, Мальцев, Масловский, Милошевский, Нагин, Тюлькин

МПК: G11C 11/40

Метки: информации, памяти, стирания, элементе

...велика, т.е.примерно равна Од, то. такой импульсприведет к сравнительно быстромууменьшению порогового напряжения отего исходного значения От ( 0 ) донекоторого значения О. (Ос), определяемого амплитудой импульса стирания Оср, но величина этого уменьшения Ь = О ("0") - О. мала (посравнению с ЬО. при меньших О) ине изменяется при дальнейшем увеличении времени стирания (фиг. 1, кривая.с О = О),Наличие же в предлагаемой формеимпульса стирания составляющих. самплитудой О (Ос обеспечивает больший сдвиг порогового напряжения Ы 3чем пРи О = Одскб(фиг. 1 кРивые сО , О , ОО ),Напротив, если амплитуда прямоугольного импульса стирания сравнительно мала, т.е, ОО щи, то вплотьдо определенного времени вообще непроизойдет изменения порогового...

Номер патента: 938315

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Глушков, Жемейцев, Милошевский

МПК: G11C 7/20

Метки: информации, матричного, накопителя, считывания

...цо О, а потенциал стоковзаряжающих транзисторов повышаютсядо +Е,Анализ работы устройства показывает,что время выборки информации ( от мо 3 9383 15ние к ЗУ, что приводит к опрецеленнымпогерям мощности, затрачиваемой на переэаряд емкостей строк в каждом циклеобращения. Кроме того, по окончаниисчитывания информации перед тем, какосуществить новое обращение к ЗУ, ненеобходимо повысить потенциал стоковвсех информационных транзисторов, чтоосуществляется через открываемые цляэтого информационные транзисторы. Мак йсимальное время, необходимое для подэаряда стоков информационных транзисторов, имеет место в случае, когда в столбце находится лишь один транзистор, Размеры информационных транзисторов ограничены по известным причинам. Поэтомудля...

Номер патента: 843200

Опубликовано: 30.06.1981

Автор: Милошевский

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, формирователь

...содержит ячейки 1 - 1в которые входят транзисторы 2 -2 и3 -Зп, конденсаторы 4 -4, аноды 5 - 5, 15резисторы 6 -6, 7-7, 8-8 п,9 -9,в также входной транзистор 10 с колдек-торным резистором 11. Кроме того, вкажду ячейкувведены соединительныйтранзистор 12и разделительный диод -013 и в формирователь введены коммутирующий транзистор 14 и входной диод 15,Прецлагаемый формирователь импульсов работает слецуюшим образом.При наличии нв базе транзистора 10 25положительного потенциала он открыт инасыщен . В результате этого закрыт транзистор 14, открыт и насыщен транзистор21 .Последний поддерживает открытым инасыщенным транзистор 3, который, 30в свою очередь, поддерживает закрытымтранзистор 121 .При этом остальные транзисторы 3 и 2...

Номер патента: 841045

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Милошевский, Яковлев

МПК: G11C 11/40

Метки: запо-минающего, накопитель, постоянного, устройства

...плавкие перемычки, резисторы и т, д.На рассматриваемый элемент связи подается напряжение Бее. При напряжении на нем Рс транзистор 4 (1 = 1, 2, , п) открывается, При напряжении с 1, на элементе связи транзистор 5 а открывается, транзистор 4 при этом закрыт.Устройство работает следующим образом, Пусть выполнено условие (1), чего можно достигнуть выбором номиналов резисторов б, 7, 8, 9. Тогда, очевидно, в случае подачи па элемент связи напряжения Б = = За (условие (2) напряжение на резистивном элементе 10 с будет близко к 1.)с, а напряжение на остальных резистивных элементах 10 близко к нулю. Пусть высокому сопротивлению элемента связи соответствует 0 лвоичной информации, а низкому - 1 двоичной информации.,(,.-р,. 1СКс Р 2 1 с( (4...

Номер патента: 834767

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Милошевский, Яковлев

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...- напряжение перекрытия кана%ла транзистора х (1=2, 3,. 4, 5) .Пусть крутизна транзисторов 2 и 3 выше, чем крутизна транзисторов 4 и 5( и 1 оЬ 1 М 4 э ЭП работает следующим образом.Если 067 удовлетворяет условию (1) (режим хранения информации), то ЭП может находиться в любом из следующих двух устойчивых состояний, В первом состоянии (пусть оно соответствует, например, 0 двоичной информации) транзисторы 2 и 3 закрыты, а 4 и 5 открыты, вследствие чего У близко к О. Во втором состоянии, соответствующем 1 двоичной информации, транзисторы 2 и 3 открыты, а 4 и 5 закрыты и Ц близко к Ц 6. В обоих состояниях мощность, рассеиваемая ЭП, мала и обусловлена лишь токами утечки.Если ц- увеличить настолько, чтобы оно несколько превысило Уи (режим...

Номер патента: 819942

Опубликовано: 07.04.1981

Автор: Милошевский

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, формирователь

...соединена с базой этого же транзистора,при этом базовый резистор первого выходного транзистора подключен к коллекторууправляющего транзистора предпоследнейячейки,4На чертеже привелена принципиальнаясхема формирователя,Он содержит ячейки 1 А - 1 и, вкоторые входят ключевые 2 -2заряд 1 фные 34 и 31 и управляющие 44 - 4 п транзисторы "первые" 5. - 5.и вторые 6 4 - 61, диоды, конденсаторы7 4- 7 И и резисторы 8 - 82 - 10 и 1011, Кроме того, в формирователь входят первый 11 и второй 12 выходныетранзисторы, диод и резисторы 14 и 15,При этом эмиттеры транзистора 1 1 икаждого ключевого транзистора 2 - 2подключены к шине нулевого потенциала.Эмиттер каждого, кроме последнего, зарядного транзистора 3через конденсатор 7соединен с первым диодом...

Номер патента: 809378

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Глушков, Кульбашный, Мальцев, Милошевский, Нагин, Яковлев

МПК: G11C 17/00

Метки: за-поминающее, постоянное, программируемое

...управляющие транзисторы 9, при которой происходит инверсия информации, а именно: запись логического нуля в управляющий транзистор 9 происходит лишь при единичном состоянии запоминающего транзистора, а логическйй нульв управляющем транзисторе 9 преобразуется в логическую единицу в запоминающем транзисторе 4.Стирание информации в выбранном слове или во всех управляющих транэисто рах 9 происходит при подаче высокого уровня на шину 17 и низкого уровня на выбранную словарную шину 5 или на шину 14 избирательного стирания, а на остальные шины 5 подается высокий уровень, что переводит выбранные транзисторы 4 или 9 в открытое состояние (логическая единица).Запись информации в транзисторы 4 или 9 производится при подаче высокого уровня на...

Номер патента: 773727

Опубликовано: 23.10.1980

Автор: Милошевский

МПК: G11C 11/36, G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...работает следующимобразом.Пусть б - гатенциал точки- 7,. 8, 9, 10). Пусть также напрякение обратного пробоя диода 5 меньше напряжений обратного пробоя перехадон сток в подлож транзисто - рон 1 - 4Если разность потенциалов Ч7 достаточна для того, чтобы триггер, состоящий из транзисторов 1-4, имел два устойчиных состояния, но меньше, чем напряжение обратного пробоя диода 5 (режим хранения инФормации), .о ЗЭ может при этом находиться н любач из днух устойчивых состояний . В первом состоянии (пусть оно соответствует, например "О" двоичной инфор.ации транзисторы 4 и 2 закры.сы, а 3 и 1 - открыты, Во второй состоянии( соответствующем "1" двоичной информации) транзисторы 4 и 2 открыты, а 3 и 1 - закрыты. В обоих со"таяниях мощность,...

Номер патента: 767834

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Глушков, Жемейцев, Милошевский

МПК: G11C 11/4063, G11C 5/02, G11C 7/00 ...

Метки: информации, матричного, накопителя, считывания

...исток - с шиной нулевого потенциала, а затвор через элемент задержки 19 соединен с шиной 22 выборки, которая также подключена к дешифраторам 17 и 18, Ко входам дешифраторов подключены также адресные шины 23 и 26.Предлагаемое устройство Функционирует следующим образом,При наличии на шине 22 потенциала,близкого к Р, потенциал на всех выходах дешнфратора 17 близок к нулю,потенциал всех выходов дешифратора18 и затвора транзистора 20 близокк Е . В результате этого все ключевые транзисторы эакрйты,а шунтирующийтранзистор 20 открыт и потенциал шины21 считывания близок к нулю, Все информационные транзисторы 5-16 открыты и потенциал истока каждого тран"зистора ключа близок к. По приходууправляющего сигнала (нулевого потенциала) на шину...

Номер патента: 758423

Опубликовано: 23.08.1980

Автор: Милошевский

МПК: H02M 3/18

Метки: конденсаторный, постоянного, умножитель

...подается сигнал О, а во втором - сигнал 1. Совокупность же сигналов, подаваемых в точки 14 - 19 записывается в виде 6 рззрядного двоичного кода, в котором левая цифра означает сигнал, поданный в точку 14, а правая цифра означает сигнал, подзннЫй в точку 19. При подаче на преобразователь сигнала45 010000 транзисторы 64 и 94 открыты, а все остальные транзисторы закрыты. При этом, если напряжение Е источника питания много кратно превышает величину падения напряже. ния на прямосмещенном диоде, то накопительный конденсатор 41 зарядится до напряжения, близкого к напряжению Е источйика питания, При подаче на прсобразоватсль сигнала 100100открываются транзисторы 74, 81, 6 и 9,в результате чего конденсатор 4 заряжается с помощью конденсатора...

Номер патента: 750710

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Милошевский, Яковлев

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, формирователь

...кроме первой ячейки соединен с эмиттером транзистора предыдущей ячейки.750710 ИПИ Эаказ 4670/45 ,Рираж 995 Подписно ал ППП 1 Патент,;г Ужгород, уд, Проектная На чертеже представлена принципиальная схема устройства.Устройство содержит входной транзистор 1, цепь умножения, состоящуюиз и ячеек на транзисторах 2-1, 2-2,2-3 2- и, резисторы 3-1, 3-2,3-3, З-п, диоды 4-1, 4-2, 4-3,4-п,конденсаторы 5-1, 5-2, 5-3, 5=п, диоды.6-1, 6-2, 6-3,6-п, нагрузку 7,резисторы 8, 9.Устройство работает следующимобразом.При наличии на базе входного транзистора 1 положительного потенциалаэтот транзистор открыт и насыщен, отчего потенциал обкладок конденсаторов 5-1, 5-2, 5-3,5-п соединенныхс анодами диодов 6-1, 6-2, 6-3,б-пблизок к нулю. Каждый транзистор...

Номер патента: 739696

Опубликовано: 05.06.1980

Автор: Милошевский

МПК: H02M 3/315

...конденсатора 11. вторая его 40обкладка подключена к коллекторамшунтирующего транзистора 13 и привязывающего транзистора 13, базы которых через резисторы 14 и 15 подключены к выходу мультивибратора 1, 45эмиттер транзистора 13, непосредственно, а база транзистора 9 черезрезистор .16 подключены к заземлен.ному, а эмиттер транзистора 12 - кнезаземленному полюсам источника 50питания. Одна обкладка конденсатора 2 через диод 17 подключена к общей точке диода 4 и конденсатора3, другая обкладка - к заземленному полюсу источника питания.Преобразователь напряжения рабо-,тает следующим образом.Когда напряжение на выходе мультивибратора 1 близко к нулю, транзисторы 5 - 5 п открыты и насыщены,При этом конденсаторы 3 - 3 соедио,иены...

Номер патента: 736363

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Милошевский, Яковлев

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, формирователь

...- 1, а значит и потенциал эмиттера транзистора 2-1, ловы шаютс я, транзистор 8-1 закрывается, транзистор 2-1 открывается и насыщается, а диод 4-1 смещается в обратном направлении.При этом также закрываются все транзисторы 8-1-8- и открываются и насыщаются все транзистора 2-1-2- и., а все диоды 4-1-4- г 1 смещаются в обратном направлении. Конденсаторы 5-1-5-гт.соединяются последовательно и разряжаются на нагрузку. Обозначим падение напряжения на элементе "С 2 " символом БаТогда при наличии на входе формирователя (см, чертеж) нулевого потенциала имеемЦ,Е ( =1,И), (3) так как конденсаторы при атом разряжаются, т.е. разность потенциалов между обкладками каждого такого конденсатора уменьшается. С учетом (3) имеем ТУ = 5 кэ 2кэ 8 ь Е0 Ч= о 5 Г...

Номер патента: 706919

Опубликовано: 30.12.1979

Автор: Милошевский

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, формирователь

...КсидоиоатсрОВ 4 Ч -4 Н, - Н Ъ К8диодов 5 -5 резисторов 6 -6 й ьй910 В7-71, 8 -8 , 9 -9, входноготранзистора 10 с резистором 11 в кол-Рассуждая подобным образом, получаем,лекторной цепи. , 20, что если при всех , таких, что 16формирователь импульсов работает сле- (а М), выполняется условие (3), тоследующим образом. . амплитуда импульса на коллекторе транПри наличии на базе транзистора 10зистора Зй т,е. на выходе формироваположительного потенциала этот транзис-теляблизка к +Е 2 1",тор открыт и насыщен, В результате это-,25го открыт и насыщен транзистор 2, ко-"СЕ, сторый в свою очередь. поддерживает от 11+1 1крытым и насьшенным транзистор 31Открыты и насыщены также все осталь-.ные транзисторы. В результате этого . 5- :+ - -й. - + -Зо 9 И4...

Номер патента: 627575

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Милошевский, Яковлев

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, формирователь

...заряжающих диодах 1111 п, конденсаторах 12 - 12 д и резисторах 134 - 13, причем шина 6через диод 5 соединена с базой транзистора 1 и через резистор 3 - е бааойтранзистора 2, эмиттер которого соединенс шиной 7 и через резистор 4 - с транзистором 1, коллектор которого соединенс первой обкладкой конденсатора 12.,;Первые обкладки конденсаторов 1212., соединены с катодами диодов101 - 10 аноды которых соединеныс первыми обкладками соответственноконденсаторов 12 . - 12 подключенными к коллекторам соответственно5транзисторов 94 -. 9, , базы которых соответственно через резисторы134: - 131соединены с шиной 8, аэмиттеры соединены со вторыми обкладками соответственно конденсаторов124 - 12 п , соединенными соответственно через диоды 11 - 1 со...