Состав для полирования полупроводниковых материалов

(54)(57)ПОЛУПРОВОаайий золчающнулучаения ТАВ КОВЫ вуок с я чест ДЛЯ ПОЛИРОВАНИЯМАТЕРИАЛОВ, содерси кремния, о т лтем, что с цельюа полированной поСрль аммонияОкислительПоверхностноактивное веществоВода 0,04-0, 16Остальное ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬ 365985/23-0522.07.8315.06.85. Бюл. У 22А.А.Чуйко, В.М.Огенко,Киризий, Г.Я.Губа, Б.Г.ЗЛибо и Т,В.ДмитриеваСпециальное конструкторологическое бюро Институческой химии АН УССР621.921(088.8)Патент США У 3922393,27-15, опублик. 1975,атент Великобритании В3 ), опублик, 1967,верхности арсенида галлия, фосфида галлия,. германия и повыаения производительност 1 процесса полирования, он дополнительно содераит соль аммония, выбранную из группы; карбонат аммония, фторид аммония, хлорид аммония, окислитель, выбранный из группы: перекись водорода, калий железосинеродистый, и поверхностно- активное вещество - метилметилдиэтиламмоний бензосульфонат и воду при следующем соотнощении компонентов, мас.Х:Золь двуокисикремния ,0 3116152 40 Изобретение относится к составамдля полирования полупроводниковыхматериалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии..Цель изобретения - улучшение 5качества полированной поверхностиарсенида галлия, фосфида галлия,германия и повышение производительностипроцесса полировки,Состав готовят следующим образом. 10В серийный золь кремнекислоты,содержащий около 30 . твердого вещества, вводят при перемешивании алкамонОСв виде 0,01%-го водного раствора. Затем добавляют водный раствор 1зсоли аммония, перемешивают и послеобразования однородного тиксотропногогеля прибавляют водный раствор окислителя, добавляют воду до 100 . В качестве окислителя используют калий 2 Ожелезосинеродистый или перекисьводорода, в качестве соли аммония "углекислый, хлористый или фтористыйаммоний.Полученную композицию используют 25для полирования образцов арсенидагаллия,фосфида галлия, а также германия.Производительность процесса полирования оценивают по съему материалав единицу времени, степень чистотыполируемой поверхности определяютпутем измерения микронеровностейповерхности при помощи профилометрапрофилографа.П р и м е р 1. Готовили композицию состава, мас. :Золь двуокисикремния (силиказоль) 4,3Карбонат аммония 1,3Калий железосинеродистый 8,4Алкамон ОС(метил"метилдиэтиламмонийбензосульфонат) , 0,04 9 2Вола 85,96Композицию использовали для полировки поверхности образцов арсенида галлия, Скорость съема составляла 1,0-1,5 мкм/мин, микронеровности не привышали 0,5 мкм, что соответствует 14 классу точности.П р и м е р 2. Готовили композицию состава, мас. :Силиказоль 78Фторид аммония 6,3Перекись водорода 12Алкамон ОСО, 16Вода 3,24Композицию испольэовали для полирования образцов германия с высокой степенью легирования, Скорость съема составляла 0,4-0,6 мкм/мин.П р и.м е р 3. Готовили композицию состава, мас. :Силиказоль 33Хлорид аммония 4,0Калий железосинеродистый 16Алкамон ОС0,067Вода 4 бф 933Композицию использовали для полирования 6 бразцов фосфида галлия. Скорость съема составляла 0,2-0,35 мкм/ мин.Сравнительные данные по производительности процесса полирования и степени чистоты обработанной поверхности представлены в таблице.Как видно из таблицы, производи" тельность процесса полирования, определяемая скоростью съема полируемого материала в единицу времени, по предлагаемому способу в 10 и более раз превышает скорость съема аналогичных полупроводниковых материалов по известному способу. Достигаемый при этом класс точности обработанной поверхности в 3-4 ед. выше, чем при обработке по известному способу.1161529 Известная композиция Предлагаемая композицияпо примерам Показатели Яз- а е еР Скорость съема материала,мкм/минКласс точности исходной поверх,ности, усл.ед. 10 10 10 10 10 10 10 О 14 14 Время обработки,мин О 20 10 10 го 10"Съем материала настолько мал, что не определяется при помощи профилометра-профилографа. Составитель И. Гинзбург Техред Л.Мартяшова Редактор Т. Колб Корректор.А. Тяско Заказ 3936/30Тираж 630 Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Класс точностиобработаннойповерхности,усл.ед. 0,04-0,06 0,01 "0,03 " 1,0-1,5 0,4"0,6 0,2-0,35 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5