Измеритель электрофизических параметров полупроводниковых материалов

х 22/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ риньшЮ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И СГГКРИТИЙ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Физико-энергетический институт АН Латвийской ССР(56) 1. Авторское свидетельство СССР У 456 197, кл, С 01 Б 22/00, 1973.2. Авторское свидетельство СССР У 166763, кл. С О 1 И 22/00, 1962 (прототип).(54)(57) ИЗМЕРИТЕЛЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий щелевой из 801109612 лучатсль, соединенный с СВЧ генератором и индикатором, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения точности измерения параметров полупроводниковых материалов в виде слоистых структур, щелевой излучатель выполнен в виде отрезка несимметричной полосковойлинии, в экранирующей пластине которой прорезано не менее двух излучающих щелей, расположенных другот друга на расстоянии В /2, приэтом длина каждой излучающей щелиравна Л, а ширина (О, 1-0,01) ,где 3 - длина волны в отрезке несимч Рметричной полосковои линии,ФИзобретение относится к контрольно-цзмерительной технике и можетиспользоваться для контроля пара -метров слоев полупроводниковыхструктур на СВЧ,Известен с верхвысокочастотныйиз мерит ел ь для из мер ения эле ктр офиз ич ес ких параметров пол упроводнив ковых структур, содержащий СВЧ генератор, подключенный к волноводному резонатору, с отверстием, к которому прижат исследуемый образец 13.Недостатком этого устройства является то, что оно имеет сравнит зльно большие габариты, и сложно в изготовлении.Наиболее близким технически по сущности к изобретению явцяется измеритель электрофизических пара -метров по.3 упроводццковых материалов, содержащий щелевой излучатель в виде отрезка волцонода, соединенный с СВЧ генератором и индикатором2 3,Однако известцый измеритель электрофизических параметров полупроводниковых материалов це обеспечивает высокую точность измерения О 20 параметров полупроводгьиковых мате риалов в виде слоистых структур.Цег 3 ь изоГретецця - цо 33 ь 3 ение точ - ности измереций параметров попупроводниковых материалов в вигге слоистыхструктур,Поставленная цегь достигается тем,что в измерителе э.3 ектрофизических параметров по 33 уцро 33 опцико 3333 х мате -РИаЛОВ, СОДЕРжаЩЕМ ЩЕЛЕБОЙ ИЗЛУЧатсгПсоедцненг 3 ь 3 с СВЧ гецг ратором ц иг 3 ди-,Окатором, щелевой излучатець выполненв виде отрезка цссцм.3 г 3 т 3 цчцо 3 полос -КОБОЙ лиц 3 пгр 33 эСрац 3333 у 3 де 3 Пластинекоторой прореза 3 о це менее двух из -лучаю 3 ццх еле Ряс цело":ец.ь 3 Х друот друга на расстоянии Л /2, приэтом дл 3 гца каждой 33 злучающей щелиравна 3, а ширина (0,1-0,0)Л,Где 3 длина г 3 олцы 3 отрезке цесимметричной полоског 3 ой пицци.бНа Фиг. 1 приведена конструкцияизмерителя электрофизических параметро 3 полупроиодциковь 3 Х материалов, на Фиг.2 - разрез Л-Л ца Фиг.1;на Фцг.3 - разрез В-В ца Фиг.1.55ИзморТе 3 эпектрофизическцх параметров г 3 ог 3 прг 333 одццког 33 х матерна.3 ов сопс 3 жц ше.3 евоц и злучатель 1, соедццеццый с СВЧ генератором 2 и индц катором 3, црц этом щелевой иэлуча - тель 1 г 3 ыг 3 олцец в виде отрезка неси.гмез 3 цчой полосковой линии, в экрацирующец пластине 4 которой про резано не менее д 33 ух излучающих ще.гей 5, расположенных друг от друга на расстоянии г 3/2, при этом каждой изл 3 аю 3 цей щели 5 ранца Л, а ширина (0,1-0,0) г 3, где Л - длина волны в отрезке несимметричной полосковой лиции .Измеритель электрофизических параметров полупроводниковых материалов работает следующим образом.От СВЧ генератора 2, созданного на отрезке несимметричной полосковой лцциц, энергия передается непосредственно к присоединенному щелевому излу ателю 1. Часть энергии электромагнитного поля излучается через щелевой излучатель 1, который обеспечивает оптимальное излучение при длине излучающей щели 5, равной и шцрцце Б излучающей щели 5 Ь =(0,1-0,01)Л и расстоянии между ними г = Л/2, где Л - длина волны Б отрезке несимметричной полосковой лицин.При наложении контролируемого образца ца излучающие щели 5 происходит отражение электромагнитной энергии от контролируемого образца, Отраженная часть электромагнитнойэнергии измецяет величину попадающей ца индикатор 3 электромагнитной энергии, что регистрируется индикатором 3. В зависимости от электрофизических свойств поверхностного слоя контролируемого образца (например, поверхностного сопротивления диффузионных полупро 330 дциковых структур) происхОдит различное отражение электромагнитной энергии от контролируемого образца и индикатор 3 показывает различныезначе 3 ьця тока 31 оложительц 33 й эффект от использования предлагаемого изобретения заключается в существенном упрощении устройства, уменьшении его габаоитов и повышении точности измер ения параметров полупроводниковых материалов Б виде слоистых структур Б три раза,11096 12 оставит ехред Л ь В, Ежовоцюбняк Корректор В, Синицкая едактор Г.Волков акаэ 6019 НИИ 113 кая наб., д. иал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектн Тираж 823ПИ Государственноо делам изобретенМосква, Ж, Рауш Подписноекомитета ССи открытий