Способ измерения толщины полупроводниковых слоев материала
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51) С ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ЕТЕЛЬСТВУ К АВТОРСНО 105/1 28.84.устов17,39торсккл. С юл. 9 31и О.М.Асанов531.717(088.8)е свидетельство ССС01 В 7/06, 1978 (пр ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(54) (57 СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ МАТЕРИАЛА поавт,св. Ф 697801, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения точности и расширения пределовизмерения толщины многослойных материалов, на исследуемом материалепод жидкостным электродом создаюткосой срез и после пропускания импульса электрического тока междуматериалом и жидкостным электродомизмеряют расстояния между границами,соответствующими областям выбросавещества различных слоев.Заказ 6016/26 Тираж 587 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к измерительной технике и может быть исполь. зовано для контроля параметров полупроводниковых материалов при их изготовлении. По авт.св. Р 697801 известен способ измерения толщины полупроводнико. вых слоев материала, заключающийся в том, что пропускают импульс электрического тока между материалом и жидкостным выпрямляющим электродом и измеряют глубину микроскола, вызванного локальным тепловым выбросом вещества 13. Недостатком известного способа являются недостаточно высокие точность и предел измерения,Целью изобретения является повышение точности и расширение пределов измерения толщины многослойных материалов.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу на исследуемом материале под жидкостным электродсм создают косой срез и после пропускания импульса электрического тока между материалом и жидкостным электродом измеряют расстояния между границами, соответствующими областям выброса вещества различных слоев. Способ осуществляется следующимобразом.На кромке измеряемой пластиныизготавливают микроскопический косойсрез, например, погружением образцав химический травитель. На поверхности косого среза устанавливают жидкостной выпрямляющий электрод, вспомогательный электрод устанавливают впроизвольной точке образца. Черезэлектрод на срезе пропускают импульсный ток (на ример, 1-3 импульса) взапирающей контакт полярности (например, отрицательная полярность приэлектронной проводимости полупроводника) и с разностью потенциалов, превышающей напряжение пробоя полупроводника.Пропусканием тока через полупроводниковые слои в площади электрода создают,резкий градиент температуры, направленный к поверхности среза, которыйпропорционален электропроводностислоев. Наличие теплового градиента,вызванного лавинным током, приводитк локальной возгонке вещества в видемножества микросколов и С плотностью,пропорциональной электропроводностислоев, что обеспечивает Формированиев площади контакта светового контраста, обозначающего геометрические размеры слоев,
СмотретьЗаявка
2939005, 09.06.1980
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4467
КУСТОВ ВАСИЛИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ, АСАНОВ ОЛЕГ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 7/06
Метки: полупроводниковых, слоев, толщины
Опубликовано: 23.08.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1109578-sposob-izmereniya-tolshhiny-poluprovodnikovykh-sloev-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения толщины полупроводниковых слоев материала</a>
Предыдущий патент: Способ разметки центровых отверстий цилиндрических ступенчатых деталей
Следующий патент: Способ измерения внутренних напряжений в композиционных полимерных материалах
Случайный патент: Свч-фазовращатель