Камера для измерения параметров полупроводниковых приборов

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоциалистическикРеспублик(и)964555 1) Дополнительное к авт. свид(22) Заявлено 06.08.80 (2 ) 2969105/18 Фс присоединением заявки М(088.8) Дата опубликования описания 08.10.8 72) Авторы изобретени тручук и А. Б. Спи Е, Ю. Митус,7) Заявите 4) КАМЕРА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРО ПОПУПРОВОДНЩОВЫХ ПРИБОРОВНедостат ры - наличи обусловленн емкостью к полнительноИзвестна параметров содержащая Изобретение. относится к технике СВЧизмерений,Известна также измерительная коаксиальная камера, представляющая собойотрезок воздушного коаксиального перехода, в котором диод устанавливаетсямежду центральным проводником коаксиальной камеры и внешним проводником,причем последовательно с диодом включается дополнительная индуктивность ввиде отрезка коаксиальной линии регулируемой длины, а измерения проводят-ся также методом последовательногорезонанса при параллельном включениидиода в линию передачи 1 .15 ок этой коаксиальной камее погрешности измерений,ой паразитной распределеннойоаксиального проводника дой индуктивности,также камера для из ияполупроводниковых протрезок коаксиальной с коаксиальным разъемом на внешнем проводнике и индуктивный элемент 2Однако известная конструкция не по зволяет измерять параметры многоэлектродных полупроводниковых приборов. Кроме того, имеются погрешности, обусловленные активными потерями в круг-, лом проводнике, в виде которого выполнен дополнительный индуктивный элемент.Бель изобретения - обеспечение измерения параметров многоэлектродных полупроводниковых приборов и уменьшение погрешности измерений.Поставленная цель достигается тем, что в камере для измерения параметров полупроводниковых приборов между внеш нтм .и внутренним проводниками отрезка коаксиальной линии установлена диалектрическая пластина с нанесенными на нее контактной площадкой и проводящей па лоСкой, а индуктивный алемент выполнен в виде двух проводящих полосок, которые нанесены на указанную диалектри964555фкового прибора 12 (например, трехэлектродного варактора с переносом и ин-жекцией заряда) с помощью данной камеры проводится следующим образом,Измеряемый (трехэлектродный) полупроводниковый прибор 1 2 крепится ная диэлектрической пластине 5 и с помощьюгибких индуктивных вводов 13 подсоединяется к полосковым проводникам, распо 10 ложенным на поверхности диэлектрическойпластины 5,Диэлектрическая пластина 5 с образцомс помощью держателя 11 и наконечника14 крепится в регулярном сечении каме 15 ры, .На (измеряемый) полупроводниковыйприбор 12 подается тактовое питание(для варактора с переносом и инжекциейпостоянное смещение и измерительныйСВЧсигнал) .20 Изменением частоты СВЧ-сигнала илисмещения на измеряемом образце устанавливается резонанс последовательногоконтура по минимуму мощности, проходящей через камеру. В этом, случае послее 25 довательное эквивалентное сопротивление5, образца В равно ческую пластину, при этом одни концыдвух проводящих полосок отделены зазорами от противоположных сторон контактной площадки, а другие их концьгконтактируют с внутренними проводниками коаксиального разъема и отрезка коаксиальной линии соответственно, третьпроводящая полоска одним концом соединена с контактной площадкой, а другимконтактирует с внешним проводникомотрезка коаксиальной линии,На чертеже приведена конструкциякамерь,Камера для измерения параметровполупроводниковых приборов содержитотрезок 1. коаксиальной линии с коаксиальным разъемом 2 на внешнем проводнике 3 и индуктивный элемент, Между внешним и внутренним проводниками3 и 4 отрезка 1коаксиальной линииустановлена диэлектрическая пластина 5с нанесенными на нее контактной площадкой 6 и проводящей полоской 7, аиндуктивный элемент выполнен в видедвух проводящих полосок 8 и 9, которынанесены на диэлектрическую пластинупри этом одни концы проводящих полосок7 и 9 отделены зазорами от противопо-.ложных сторон контактной площадки 6, адругие их концы контактируют с внутрен-. ЗОним проводником 10 коаксиального разьема 2 и внутренним проводником 4 отрез-.ка 1 коаксиальной линии. Проводящаяполоска 8 одним концом соединена с.контактной площадкой 6, а другим контактирует с внешним проводником 3 отрезка коаксиальной линии через держатель 11, при помощи которого диалектрйческая пластина 5 закреплена во внешнем проводнике 3. Контролируемый полупроводниковой прибор 12 закрепляетсяна контактной площадке 6, Последовательный контур образован емкостью кон-:тролируемого полупроводникового прибора 12,индуктивностью ввода 13 к немуи дополнительной индуктивностью в видедвух проводящих полосок 8 и 9, приэтом проводящая полоска 9 контактируетс внутренним проводником 4 через наконечник 14. о 122 т-гдеи Е - частоты, на которых уро;- вень мощности в нагрузке в два разабольше, чем при резонансе.50 Величина последовательной индуктивности резонансного контура определяется по формуле1ДГР2 Подключение внешних цепей задания режимов работы (измеряемого) полупроводникового,прибора 1 2 осуществляется через коаксиальный разъем 2, состоящий из внутреннего проводника 10, диэлектрической шайбы 15 и гайки 16.Измерение параметров эквивалентной схемы (многоэлектродного) полупроводнигде 20 - волновое сопротивление камеры;Т - коэффициент передачи, опреде-.ляемый из соотношения 1 = -р ф2Р 1 - мощность в нагрузке при отсутствни образца в линии;Р - мощность в нагрузке при условии последовательного реэонан.са контура с образцом.Величина последовательной эквивалентной емкости С измеряемого прибора определяется по формуле Иэ указанного следует, что введение в регулярное сечение камеры диэлектрической пластины 5 позволяет разместитьСоставитель Р. КузнецоваРедактор И. Николайчук Техред Ж,Кастелевич Корректор Г. Решетник аказ 7 е илиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,/25В НИИПИпо де113035,Тираж 717ударственного к изобретений и сква, Ж-ЗБ, Ра Подпиитета СССРкрыт ийушская наб., д. 4