Аппарат для получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕИ 30 61 н ЕТЕ Н И Я К АЬТОУСКОМУ СЬИ ВТВЛЬСТЬУ Союз Советских Социалистицкмих Ркпублин(61) 1. Кл.Н 01 Ь 21/20 Н 011 21/36 Гююударютавнный нюмнтют Оювета Мнннатрюв СССР ню делам наюбретеннЯ н ютнрмтнй(4 б) Дата опубликования описания 20,09,77. А, Л. Гофштейн-Гардт, Ю. М. Деготь, М. Л, Девевбера,А. Г. Дмитриев, С, А, Докман, Л. М. Коган, Б, В, Царвкков,П. П, Шкармутин в Ю. П, Яковлев(54) АППАРАТ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ Изобретение относится к технологическому оборудованию для проьзводства полупроводниковых приборов, в частности для получения эпитвксиальных слоев полупроводниковых материалов из .раствора-рвсплава. 6Известны конструкции аппаратов для получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов из раствора-расплава, Твк, известен аппарат, представляющий собой цилиндрическую рабочую камеру с от верстиями для продувания рабочего газа, Снаружи цилиндрической рабочей камеры находится нагреватель, Контейнер с исходными полупроводниковыми подложками расположен внутри рабочей камеры. б Конструкция такого аппарата предусматривает получение эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов в гоке водорода и не позволяет проводить процесс в 20 замкнутом объеме. При этом летучие комцоненты раствора уносятся потоком. водорода, в результате чего изменяется состав исходного раствора, что сказывается на качестве получаемых слоев. 25 Цель изобретения - разработка такого аппарата дпя получения эпвтвксвальных слоев, который ноэволил бы получать в одном аппарате эпитаксиальвыеслои как в условиях отсутствия фазового равновесия между компонентами раствора-расплава (открытый объем), так и в условиях фазового равновесия,(закрытый, объем). Это достигается тем, что внутренняя Мамера аппарата снабжена подвижвымв герметиэиру 3 ощими пробками и расположена в температурной зоне нагревателя,На чертеже показан предлагаемый аппарат.Аппарат содержит камеру 1 с отверстиями для продувания рабочего газв, нвгре ватель 2, кварцевую трубу 3 е конически ми шлифами и пробками 4 из кварца, зв крепленными на штоках 5; Каждый шток соо. тоит иэ двух частей, соединенных между собой. полусферическим шарниром 6 и имеет ручной привод, сосгояший иэ маховика 7 и пружины 8, которая поджимает шток к трубе Э. В месте выхода из рабочей камеры3шток имеет уплотнение 9, которое препятствует утечке рабочего газа из камеры. Внутри кварцевой грубы размещен грвфитовый контейнер 10, в котором находится монокриствппическвя подложка с растворите лем. Аппарат работает следующим образом.В трубу 3 помещают графитовый контейнер с образцом, Вщ эгого открывают крыш ку 11, удаляют пробки и загружают кварцевую трубу. Кварцевая труба при загрузке открыта с обеих концов. После проведения загрузки рабочий объем камеры закрывают крышкой и через отверстия в камере проду-,ц ввют рабояий гаэ. Затем включают нагрева.тель и при достижении требуемой температуры кварцевая труба герметязируегся,Трубу гермегизируют следующим образом. При вращении маховика пружина перемещает рО шток в направлении трубы, и пробки герметично зацмваюг трубу, Полусферический шарнир обеспечивает герметичное эвкрывание трубы при некоторой несоосносги ивар цевой трубы и штока. Разгерметизацию груфы осуществляют вращением маховика в обратную сторону.формула изобре тенинАппарат дпя получения эпигвксиальных слоев попупроводниковых материалов из раствора-расплава, содержащий внешнюю камеру с отверстиями дпя продувания рабочего газа, внутреннюю камеру дпя размещения подпожкодержатепя, нагреватель, о гличающийся тем, что,сцепью получения в одном аппарате эпитаксиапьных слоев квк в условиях отсутствия фазового равновесия между компонентами раствора-расплава, так и в условиях их фазового равновесия, внутренняя камера снабжена подвижными герметизирующими пробками и расположена в температурной зоне нагревателя.
СмотретьЗаявка
1489621, 03.11.1970
ГОФШТЕЙН-ГАРДТ А. Л, ДЕГОТЬ Ю. М, ДЕНЕНБЕРГ М. Л, ДМИТРИЕВ А. Г, ДОХМАН С. А, КОГАН Л. М, ЦАРЕНКОВ Б. В, ШКАРМУТИН П. П, ЯКОВЛЕВ Ю. П
МПК / Метки
МПК: H01L 21/20
Метки: аппарат, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных
Опубликовано: 25.08.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-392857-apparat-dlya-polucheniya-ehpitaksialnykh-sloev-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Аппарат для получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов</a>
Способ получения слоев тройного полупроводникового соединения
Номер патента: 1123467
Опубликовано: 23.10.1985
Авторы: Георгобиани, Грузинцев, Дону, Спицын, Тигиняну
МПК: H01L 21/265
Метки: полупроводникового, слоев, соединения, тройного
...слоя образующегося тройного соединения СЙСа,Б 4, ПриТ ( 693 К процесс "залечивания" радиационных дефектов идет крайне медленно, и .и-этому требуется время отжига1800 с, Если проводить отжигменее 600. с, то решетка нового соеинения не успевает упорядочиться.,.ля высоких температур отжига Т753из подложки СЙБ начинается улетучивание кадмия и серы, а внедренный галлий диффундирует по всемуобъему подложки,. так что в поверхностном слое его становится недостаточно для образования СИСа Б 4.При дозах внедрения, меньших 10 " смв любой точке подложки СЙБ галлиянедостаточно для образования новоготройного соединения, а при дозах,больших 10 см 2, на поверхностиподложки образуется слой галлия,ухудшающий оптичеСкое свойствасистемы СЙСаБ-...
Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах
Номер патента: 676109
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Короткова, Коршунов, Миркин, Тихонов
МПК: H01L 21/268
Метки: инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев
1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществляют в режиме образования выпуклой зеркальной поверхности рекристаллизованного слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6) 104...
Способ определения рабочего объема камеры дифференциального адиабатного сканирующего двухкамерного калориметра
Номер патента: 1348655
Опубликовано: 30.10.1987
Автор: Плотников
МПК: G01F 17/00
Метки: адиабатного, двухкамерного, дифференциального, калориметра, камеры, объема, рабочего, сканирующего
...калориметра, сначаЗ 0 ла первую камеру заполняют средой сизвестной теплоемкостью, прогревают первую и вторую камеры, регулируют ток прогрева первой камеры при равенстве температур камер, измеряют скорость прогрева и мощность в нагрева" теле первой камеры в фиксированном температурном интервале, охлаждают камеры и заполняют первую камеру другой средой с известными теплоемкостью 40 и плотностью, повторно прогревают камеры в режиме первого прогрева, измеряют ток прогрева первой камеры при равенстве температур камер, измеряют мощность в нагревателе первой камеры 4 в том же температурном интервале,причем рабочий объем Ч первой камеры вычисляют по формуле Ч(с,р -с, р, ) скорость прогрева камер;удельная теплоемкость, первой и второй...
Способ получения эпитаксиальных слоев, например, полупроводников твердых растворов из газовой фазы
Номер патента: 496873
Опубликовано: 25.12.1975
Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников
МПК: H01L 7/36
Метки: газовой, например, полупроводников, растворов, слоев, твердых, фазы, эпитаксиальных
...уменьшении п,гг)ц)ди неоднородных по составу пластин источника).5При достижении указанной скорости смены источников слоистая неоднородность полученного твердого раствора не превышает период, равный одному чежатомному расстоянию. Вследет зщ этого дгье медленный процесс самодиффузии в тве)одоч теле обеспечи О виет плное выравнивание концентраций комПг Ргсцт)ЛЗ; ВЕР,Г)го Р )С .Ра .:ЕЖДУ СОСЕДНИ.;:.)Точны чи с;гон )следовательно, по всем, ) оъечу эг.таса,.ьцой пленки.ЗадаРВ): . ) гав твердого раствора обес 15 печивается благодаря использованию пластин источников различных по размеру.Для иолучеция твердого раствора на основе соединений АВ ц АВ соотношение углов секторов используемых источников должно быть пропорционально их мольной доли в 2...
Способ измерения глубины микрорельефа, преимущественно в тонких слоях на полупроводниковых подложках
Номер патента: 1073574
Опубликовано: 15.02.1984
Авторы: Волков, Герасимов, Ларионов
МПК: G01B 11/30
Метки: глубины, микрорельефа, подложках, полупроводниковых, преимущественно, слоях, тонких
...к плоскости подложки, изменяют в этой плоскости угол падения пучка света наподложку, регистрируют те углы, прикоторых достигаются экстремальныезначения интенсивностей света вдифракционном спектре, и по этимуглам определяют глубину микрорельефа по формуламЪпЬф дпя минимальных значений интенсивностей света,Ь, для максимальныхзначенийЪ(Л+ Офсое Ч интенсивностей света,. где и - глубина микрорельефа;р -. Угол падения кучка света иа подложку,П - целое число;3 - длина волны падающегоизлучения.На фиг.1 и 2 изображены схемы реализации способаизмерения глубинымикрорельефа, преимущественно в тонких слоях на попупроводниковых подложках; иа фиг.З - диаграмма изменения интенсивности света в дифракционном спектре в зависимости от угла падения...
Предыдущий патент: Исследовательский ядерный реактор
Следующий патент: Способ получения алкидных смол
Случайный патент: Захват манипулятора