H01L 23/54 — H01L 23/54

Номер патента: 20732

Опубликовано: 31.05.1931

Автор: Тейтель

МПК: H01L 21/16, H01L 23/54

Метки: 14941, видоизменение, выпрямителя, контактного, медно-окисного, охарактеризованного, патенте

...выпрямителе, представляющем собой видоизменение описанного в отмеченном патенте выпрямителя, диски, в целях упрощения устройства последнего, заменены медными, окисленными с внутренней стороны, трубками, которые покрыты в одной своей половине изолирующим лаком и наполнены ртутью, переливающейся при наклонении трубок в активную часть зазора.Таким ооразом, указанный выпрямитель, схематически изображенный на чертежер в продольном разрезе, состоит из рядамедных, окисленных изнутри трубок 1,насаженных с зазором иа железные болты 2, изолированные прокладками 3 оттрубок и скрепленные с последними гайками 5 с шайбами 4,Трубки 1 в одной своей половине покрыты изолирующим лаком и наполненыртутью,Для регулирования плотности выпрямляемого тока...

Номер патента: 557703

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Баранов, Горина, Достанко, Королев, Полякова, Савицкий, Чистяков

МПК: H01L 23/54

Метки: интегральных, материал, покрытия, полупроводниковых, приборов, проводящего, схем

...соединений типа А В, А Ви АВ, где А - металл платиновой группыф 60 4В - элемент ПВ или УВ группы: возможен также смешанный состав фаз, напри мер А В + АВ а также наличие промежуточных фаз, дефектных структур и т.д. Промежуточные фазы, в отличие от чистых ме. галлов, имеют свою электронную структуру и, в сэответствии с ней, другие межатомные расстояния, измененную решетку и, в конечном итоге, свой цвет металлического материала. При атом определяющим фактором являетсястроение электронных оболочек компонентов. Покрытие из такого материала будет иметь цвет, этличный от цвета исходных составляющих, его можно задавать выбором материалов и регулированием процентного содержания каждой компоненты, определяющего формульный состав и...

Номер патента: 546240

Опубликовано: 25.09.1978

Авторы: Васильев, Смолько, Чиковани

МПК: H01L 23/54

Метки: микросхема

...остнои свя еньше ой оведущи еталлическои и ми окис. чтобы в душих ктными площадк жками и конт пленку можно вать так, к и токов ла толще,формиролощадо нка бь ную мест ем онтактных окисная пл ист 1 полируют и поиз его поверхностейстным способом окисне менее 12 мкм с з миниевын на одной бым изв олщиной рой. доро шей ме мируют лпленку 2 ои текстуНа Ми 25 ча олняют копленочных микросхем,Известна микросхема по авт,св. Иф 470249,содержащая металлическую подложку, актиэлементы, резисторы и конденсаторы, причем все элементы сформированы непосредственно на анодной окисной пленке, а в качестве одной из обкладок конденсаторов использована металлическая подложка (11.Однако известная микросхема недостаточнонадежна и долговечна,Цель изобретения -...