Способ стабилизации параметров полупроводниковых резестивных датчиков импульсной сверхвысокочастотной мощности

Номер патента: 568026

Авторы: Микалаускас, Паужа

ZIP архив

Текст

Оп ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциал истицескихРеспублик( 01 й 21/00 единением зая Гасударственный камнтеСааата Мнннстраа СССРаа делам нэабретеннйн открытий 3) Приорит бюллетень(72) Авторы изобретения С, Паужа и К ала ск рдена Гоудового Краснофизики полупроводников А Знамени институтЛитовской ССР(71) Заявитель 4) СТАБИЛИЗАЦИИ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХРЕЗИСТИВНЫХ ДАТЧИКОВ ИМПУЛЬСНОЙСВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЙ МОЩНОСТИ Изобретение относится к радиотехнике и может, использоваться в устройствах измерения напряженности электрического поля сверхвысоких частот (СВЧ), импульсной СВЧ мощности, коеффициентв стоячей волны с применением полупроводниковых реэистивных датчиков, работающих по принципу изменения сопротивления под действием сильного СВЧ поля.Известен способ стабилизации параметров полупроводниковых резистивных датчиков импульсной сверхвысокочастотной мощности Основанныйна использовании двух температурноввисимых сигналов .разных амплитуд ,11.Однако этот способ не пригоден для стабилизации сигнала в динамическом (неустановившемся) режиме нагрева, при этом для снижения погрешности сужается рабочий диапазон температур.Целью изобретения является повышение точности измерений при расширении температурного диапазона стабилизации.Для этого в способе стабилизации параметров полупроводниковых реэистивных датчиков импульсной СВЧ мощности, основанном на использовании двух температурно-зависимых сигналов разных амплитуд, переменные составляющие упомянутых сигналов, имеющих отрицательные зависимости одинаковой величины от температуры, формируют с положительной пропорциональной зависимостью от постоянных составляющих, а постоянные составляющие формируют с положительной зависимостью разной величины от температуры и обв полученных сигнала алгебраически вычитают.На тертеже приведена структурная электрическая схема. устройства, реализующего предложенный способ.Устройство содержит полупроводниковые реэистивные датчики 1, 2, помещенные в волновод 3, включенные последовательно с ними постоянные резисторы 4, 5, к которым приложены регулируемые напряжения источников 6, 7 питания соответственно. Датчик 1 и резистор 4, датчик 2 и резистор 5 представляют собой потенциометрические делители напряжений с разными коэффициентами деления, между плечами которых включен дифференциальный Бзмеритеж- ный прибор 8.Устройство работает следукиаим образом.Через потеиииометрические делители течет ток в результате чего Ба датчиках 1, 2 падают постояниью Напряжения 0 и 3, величины которых нри помоиа регулийруемых напряжечий источии ков 6 7 уста навлнваются разиыми.Во Время прохожденияно Волноводу 3 импульсный СВЧ мощности на датчиках 1, 2 генерируются сигналы, состоящие из постоянных и переменных (импульсных) составлпоших, т.е, (ЦО ) для датчика 1 и 3 Ф Ц 4 для датчика 2. Постоянные составляющие образуются в результате прохождения постоянного тока от источников 6, 7, в переменные - в результате скачкообразного изменения сопротивлений датчиков 1,.20 2 во время прохождения импульса СВЧ,При нагреве датчиков 1, 2 из-за температурной заВисимости переменБые состав.ляюшие сигналов Ц и Цуменьшаются а25 Постоянные. Составляющие Он 11 в результате роста сопротивлений датчиков 1, 2, увеличиваотся.: Происходит частичная компенсация температурной зависимости переменной составляющей. Но этой компенсаЗО ции недостатоЧНО, так как переменная составлякнцая уменьшается больше, а постоянная состаВляющая увеличивается меньше.Полная компенсация получается прн алгебраическом вычитании обоих сигналов, .,е. Ж 0)-(О + У )= У, где У разностный сигнал, При вычитании величина разностного сигнала зависит от обоих сигналов. Ыоэффнщент деления одного из делителей подобран маленьким (1:1), поэтомув этой цепи уменьшение переменной составляющей О при нагреве происходит набольшую величину из-аа меньшего приростапостоянной составляющей И При условии,что переменная составляющая является щапорциональной постоянной составляющей (нетдополнительного шунтирования низкоомнымрезистором 4), изменение разностного сигцала 0 от температуры происходит иаменьшую величинуа при соответствующемподборе коэффициентов деления потенциометрических делителей получают сигнал Уне зааисищий от температуры. Формула изобретенияСпособ стабилизации параметров нолупроводниковьгх резнстнвных датчиков импуль спой сверхвысокочастотной мощности ос-, нованный на использовании двух темцератур но зависимых сигналов разных амплитуд, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерений при расширении температурного диапазона стабилизации, переменные составляющие упомян тых сигналов, имеющих отрицательные зависимости одинаковой величины от температуры, формируют с положительной пропорциональной зависимостью от постоянных составляющих, а постоянные составляющие формируют с положительной зависимостью разной веди- чины от температурь 1 н оба полученных сиг. нада алгебраически вычитаютИсточники информации, принятые во внимание при экспертизе;1. Бокрннская Л. А, и др. Методы измерения мощности СВЧ. Киев "Тех,щт, УССР", 1862, с. 18.ЦНИИ Филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул 1 Подписное роектная, 4

Смотреть

Заявка

2305417, 31.12.1975

ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АН ЛИТОВСКОЙ ССР

ПАУЖА АНТАНАС СТАСИО, МИКАЛАУСКАС КАЗИС КАЗИО

МПК / Метки

МПК: G01R 21/00

Метки: датчиков, импульсной, мощности, параметров, полупроводниковых, резестивных, сверхвысокочастотной, стабилизации

Опубликовано: 05.08.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-568026-sposob-stabilizacii-parametrov-poluprovodnikovykh-rezestivnykh-datchikov-impulsnojj-sverkhvysokochastotnojj-moshhnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ стабилизации параметров полупроводниковых резестивных датчиков импульсной сверхвысокочастотной мощности</a>

Похожие патенты